SiC技術(shù)

• 中國車載SiC器件技術(shù)部分已領(lǐng)跑 有望主導(dǎo)全球供應(yīng)鏈
  

  新能源汽車無疑是近年來最耀眼的行業(yè)之一，其發(fā)展速度遠(yuǎn)超預(yù)期。2023年，中國新能源汽車銷量預(yù)計(jì)達(dá)到950萬輛，市場占比高達(dá)31.6%，即每銷售10輛汽車中，就有3輛是新能源汽車。展望2024年，年銷量有望攀升至1200-1300萬輛，市場占比可能超過45%，并占據(jù)全球年產(chǎn)銷量的60%。這一增長態(tài)勢令人振奮，不禁讓人聯(lián)想到十幾年前光伏行業(yè)的崛起，新能源汽車行業(yè)的發(fā)展軌跡似乎正沿著相似的路徑加速前進(jìn)。? ? ? ?

  響指

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  10/31 12:40

  sic器件 SiC技術(shù)
• 速度快10倍！這項(xiàng)SiC技術(shù)提供降本新思路
  

  在第1-3期內(nèi)容中，“行家說三代半“介紹了日本電裝（Denso）的SiC長晶核心技術(shù)（鏈接），今天這期內(nèi)容我們給大家剖一下他們和昭和電工（Resonac）的超快速SiC外延生長技術(shù)。

  行家說三代半

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  10/18 09:20

  SiC技術(shù) 碳化硅外延片
• 液相法SiC有戲？8吋產(chǎn)品將送樣，晶圓廠已合作
  

  今天，液相法SiC技術(shù)有了重磅進(jìn)展——日本Oxide公司宣布，他們已經(jīng)與日本SiC芯片代工廠JS?foundry株式會(huì)社簽署了一項(xiàng)基本協(xié)議，雙方將在日本開展液相法SiC全鏈條產(chǎn)業(yè)協(xié)同。

  行家說三代半

  1530

  10/10 09:00

  SiC SiC技術(shù)
• 新增5起SiC合作，供貨蔚來/極氪/零跑等車企？
  

  近期，行業(yè)內(nèi)新增了幾項(xiàng)重要的合作，旨在通過技術(shù)創(chuàng)新和資源共享，加速SiC技術(shù)在電動(dòng)汽車領(lǐng)域的應(yīng)用：●?英飛凌&零跑汽車：為零跑C16智能電動(dòng)汽車供應(yīng)SiC模塊和MCU等多款產(chǎn)品?！?鈞聯(lián)電子&博世：深化汽車電子領(lǐng)域合作，共同推動(dòng)SiC功率芯片在新能源汽車電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)等領(lǐng)域的應(yīng)用。●?羅姆&極氪：羅姆的第四代SiC MOSFET芯片被用于極氪品牌的三款電動(dòng)車型。

  行家說三代半

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  09/05 08:43

  電動(dòng)汽車 SiC
• 貿(mào)澤開售適合能量轉(zhuǎn)換應(yīng)用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET
  

  注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售英飛凌公司的CoolSiC? G2 MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET溝槽技術(shù)，開啟了電力系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章，適用于光伏逆變器、能量儲(chǔ)存系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電、電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。 貿(mào)澤供貨的英飛凌CoolSiC? G2

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  07/24 08:29

  貿(mào)澤電子 電子元器件
• 2家企業(yè)加碼SiC！已獲近30億補(bǔ)貼
  

  昨天，環(huán)球晶和俄羅斯的2家半導(dǎo)體企業(yè)/組織公開披露了他們在碳化硅領(lǐng)域的最新布局：環(huán)球晶：最高將獲得約29億人民幣的補(bǔ)助資金，計(jì)劃擴(kuò)建SiC外延生產(chǎn)線。PJSC Element & ETU LETI：共同成立Letiel LLC合資企業(yè)，開發(fā)碳化硅器件。

  行家說三代半

  2190

  07/19 08:44

  碳化硅 SiC技術(shù)
• 尺寸減小28%，羅姆面向xEV逆變器推出“二合一”SiC封裝模塊
  

  碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，在高功率、高電壓、高頻率的應(yīng)用場景下具有顯著優(yōu)勢，其在xEV（包括純電動(dòng)汽車BEV和插電式混合動(dòng)力汽車PHEV）上的應(yīng)用規(guī)模快速增長。根據(jù)Yole Intelligence 2023年功率SiC報(bào)告，從SiC在xEV中各種應(yīng)用產(chǎn)品的市場規(guī)模來看，按DC-DC、OBC和牽引逆變器三個(gè)主要應(yīng)用產(chǎn)品區(qū)分，其中牽引逆變器占比超90%，是整個(gè)車載SiC的主戰(zhàn)場。 數(shù)

  史德志

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  07/01 07:28

  碳化硅 ROHM
• 該環(huán)節(jié)良率僅有50%，8英寸SiC如何破局？
  

  近年來，8英寸SiC技術(shù)突破明顯加快，據(jù)“行家說三代半”調(diào)研發(fā)現(xiàn)，全球已有29家企業(yè)實(shí)現(xiàn)了8英寸SiC單晶生長的研發(fā)突破，其中包括19家中國企業(yè)。但是，有一些SiC企業(yè)向我們透露，目前生長8英寸SiC單晶的技術(shù)已經(jīng)逐漸成熟，但在磨拋等后道工序還存在技術(shù)難點(diǎn)，目前業(yè)內(nèi)8英寸SiC襯底磨拋良率僅為40-50%。

  行家說三代半

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  04/23 08:58

  SiC 碳化硅
• 數(shù)百位SiC精英將齊聚上海，共推3件大事
  6月14日，行家說三代半將在上海舉辦第2屆“汽車/光儲(chǔ)充SiC技術(shù)應(yīng)用及供應(yīng)鏈升級(jí)大會(huì)”。作為碳化硅行業(yè)的專業(yè)盛會(huì)，此次活動(dòng)受到了小鵬汽車、東風(fēng)汽車、徐工集團(tuán)等眾多汽車及光儲(chǔ)充終端企業(yè)的高度關(guān)注和支持，預(yù)計(jì)屆時(shí)將有數(shù)百位行業(yè)精英參會(huì)。

  行家說三代半

  1853

  04/17 08:43

  SiC 碳化硅
• Allegro MicroSystems推出高帶寬電流傳感器技術(shù)幫助實(shí)現(xiàn)高性能電源轉(zhuǎn)換
  

  運(yùn)動(dòng)控制和節(jié)能系統(tǒng)傳感技術(shù)和功率半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商Allegro MicroSystems（納斯達(dá)克股票代碼：ALGM）（以下簡稱Allegro）宣布推出新型高帶寬電流傳感器 ACS37030和ACS37032，能夠幫助采用GaN和SiC技術(shù)在電動(dòng)汽車、清潔能源解決方案和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高性能電源轉(zhuǎn)換。 當(dāng)前的高功率密度 GaN 和 SiC FET 充電和電源基礎(chǔ)設(shè)施需要高速度、低損

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  3080

  02/07 17:17

  GaN 氮化鎵
• 致瞻科技采用意法半導(dǎo)體碳化硅技術(shù)，提高新能源汽車電動(dòng)空調(diào)壓縮機(jī)控制器能效
  

  服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 宣布，與聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體功率模塊和先進(jìn)電力電子變換系統(tǒng)的中國高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動(dòng)汽車車載空調(diào)中的壓縮機(jī)控制器提供意法半導(dǎo)體第三代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。采用高能效的控制器可為新能源汽車帶來諸多益處，以動(dòng)力電池容量60k

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  2986

  01/18 10:56

  意法半導(dǎo)體 控制器
• 投用電網(wǎng)！國產(chǎn)SiC器件連破3關(guān)
  

  近日，國家電網(wǎng)等多家企業(yè)宣布，他們成功將SiC技術(shù)應(yīng)用在電網(wǎng)電力系統(tǒng)中，并且實(shí)現(xiàn)了SiC MOSFET芯片的全國產(chǎn)化，為SiC器件應(yīng)用又拓寬了應(yīng)用面，詳情請往下看：

  行家說三代半

  3568

  2023/12/20

  電力系統(tǒng) sic器件
• 8英寸SiC領(lǐng)域又一強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合！
  

  據(jù)報(bào)道，近日，新加坡科學(xué)技術(shù)研究局 (A * STAR) 下屬研究機(jī)構(gòu)微電子研究所 (IME) 與德國擴(kuò)散及退火設(shè)備供應(yīng)商centrotherm International AG就8英寸SiC技術(shù)達(dá)成合作，IME的8英寸開放式R&D SiC試產(chǎn)線將與centrotherm的擴(kuò)散及退火設(shè)備相結(jié)合，為SiC材料制備環(huán)節(jié)提供解決方案。

  化合物半導(dǎo)體市場

  2868

  2023/12/19

  SiC技術(shù) 8英寸
• 浮思特 | 碳化硅（SiC）技術(shù)在伺服器領(lǐng)域的潛力
  正在被廣泛使用的伺服技術(shù)使60年代的自動(dòng)化工程師羨慕無比。這種體積小、精確且完全電動(dòng)的技術(shù)反映了我們現(xiàn)在可以使用的半導(dǎo)體控制、傳感器和電力技術(shù)的緊湊性。今天的最大挑戰(zhàn)仍然是伺服和其控制器之間的布線。由于必須承受來自電機(jī)和控制信號(hào)的高電流，布線成本昂貴，且是電磁干擾（EMI）的重要源頭。阻抗不匹配引發(fā)的反射波經(jīng)常成為問題，對(duì)電機(jī)繞組的絕緣產(chǎn)生了破壞性壓力。

  浮思特科技

  2087

  2023/12/14

  SiC 碳化硅
• 意法半導(dǎo)體SiC技術(shù)助力博格華納Viper功率模塊設(shè)計(jì)，為沃爾沃下一代電動(dòng)汽車賦能
  

  服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)將與提供創(chuàng)新和可持續(xù)移動(dòng)解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者博格華納公司(紐約證券交易所股票代碼：BWA)合作，為博格華納專有的基于 Viper 功率模塊提供意法半導(dǎo)體最新的第三代 750V 碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET 芯片。博格華納將使用該功率模塊為沃爾沃現(xiàn)有和未來的多款電動(dòng)車型設(shè)計(jì)電驅(qū)逆變器平臺(tái)。

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  2364

  2023/09/07

  電動(dòng)汽車 電氣化
• Bosch為什么要在美國生產(chǎn)SiC？
  

  上周，Bosch宣布計(jì)劃收購美國芯片制造商TSI Semiconductors在加州Roseville的資產(chǎn)。這項(xiàng)交易將把目前提供全系列邏輯CMOS工藝技術(shù)的TSI設(shè)施轉(zhuǎn)變?yōu)锽osch的美國制造基地。從2026年開始，Bosch將在這里生產(chǎn)基于200㎜晶圓的SiC芯片。

  Astroys

  2418

  2023/05/09

  SiC技術(shù) SiC芯片
• 通過轉(zhuǎn)向1700V SiC MOSFET，無需考慮功率轉(zhuǎn)換中的權(quán)衡問題
  高壓功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對(duì)持續(xù)創(chuàng)新的需求?；诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。

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  424

  2022/11/21

  MOSFET 晶體管
• 安森美推出3款基于碳化硅、用于車載充電器的汽車功率模塊
  領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，今天宣布推出三款基于碳化硅 (以下簡稱”SiC”) 的功率模塊，采用壓鑄模技術(shù)，用于所有類型電動(dòng)汽車 (以下簡稱“xEV”) 的車載充電和高壓 (以下簡稱“HV”) DCDC轉(zhuǎn)換。

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  530

  2022/09/29

  安森美 車載充電器
• 綠色出行：英飛凌CoolSiC?功率模塊可將有軌電車的能耗降低10%
  全球逐步淘汰化石燃料這一趨勢給包括交通運(yùn)輸在內(nèi)的許多行業(yè)都帶來了挑戰(zhàn)。舉例來說，整個(gè)社會(huì)向綠色出行方式轉(zhuǎn)型，就需要減少短途航班及駕車出行，而這勢必會(huì)促進(jìn)軌道交通的發(fā)展。

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  159

  2022/03/07

  英飛凌 MOSFET
• 意法半導(dǎo)體推出第三代碳化硅產(chǎn)品，推動(dòng)電動(dòng)汽車和工業(yè)應(yīng)用未來發(fā)展
  服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)推出第三代STPOWER碳化硅 (SiC) MOSFET晶體管。

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  289

  2021/12/10

  SiC 意法半導(dǎo)體

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