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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設備，在不超過4GB的低容量應用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。

NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設備，在不超過4GB的低容量應用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。收起

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    存儲大廠獲數(shù)百億補貼擴產(chǎn)尖端DRAM，最新市況如何？
    近日美光表示獲得美國61.65億美元（約為人民幣450億元）的直接資金資助，計劃用于加強尖端DRAM供應能力。兩個月時間里，美國芯片法案補貼計劃已公布9家。另外近日存儲市場動態(tài)頻頻，三星、Marvell、鎧俠等相繼披露了最新進展。
  • Samsung、Hynix、Micron存儲器御三家財務數(shù)據(jù)統(tǒng)計及2025年預測
    Samsung、Hynix、Micron存儲器御三家財務數(shù)據(jù)統(tǒng)計及2025年預測
    之前，我已經(jīng)做了全球存儲器市場的統(tǒng)計和預測了。后來和行業(yè)人士核對了一下我的預測結(jié)論，大方向上彼此還是基本一致的：明年無論DRAM還是NAND的價格都會出現(xiàn)下跌，但出貨量的上漲會有一些對沖作用；明年HBM的市場大約會占DRAM市場的10%左右，對整體市場規(guī)模會有一些支撐
  • 存儲廠商沒有笑出雙十一
    存儲廠商沒有笑出雙十一
    國內(nèi)市場DRAM現(xiàn)貨價格在整個11月份持續(xù)走低，尤其是DDR4受到的沖擊尤為嚴重。相比之下，NAND閃存價格顯示出穩(wěn)定跡象。業(yè)內(nèi)估計，雙十一期間 DRAM 模組整體銷量與 2023 年同期相比下降約 20%。單位銷量下降 16%，平均售價下降約 9%。在產(chǎn)品價格貢獻方面，2024年雙十一期間，SSD的銷售表現(xiàn)已超越DRAM模組。今年雙十一，長江存儲旗下的致態(tài)品牌表現(xiàn)亮眼，在京東實現(xiàn)了SSD品類交易總額（GMV）和銷量的雙料第一，超過了三星。
  • 全球半導體存儲器市場統(tǒng)計分析及預測（2024-Q3）
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    今天講講半導體存儲器器件（DRAM、NAND）的市場數(shù)據(jù)。過去，我一直是直接把DramExchange公布的季度市場數(shù)據(jù)拿過來參考使用的。不過最近我扒了三星、海力士、美光的財報以后，發(fā)現(xiàn)這幾家財報上公布的數(shù)據(jù)和DramExchange的數(shù)據(jù)有些許差異，而且這些差異也并不僅僅是匯率換算的問題導致的
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    12/03 15:49
  • 越制裁，越強大！重要性比肩光刻機的刻蝕設備——北方華創(chuàng)
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    美日荷相繼加大對華半導體設備出口限制，國產(chǎn)替代迫在眉睫。盡管中國是全球最大半導體消費市場，但本土化缺口明顯，2023 年芯片自產(chǎn)率僅 20%、半導體設備國產(chǎn)化率為 35%、高端刻蝕機等關鍵領域國產(chǎn)化率不足 10%。隨著國產(chǎn)晶圓廠的逆勢擴張、海外制裁趨緊，本土半導體設備廠商有望擴大份額，預計2025年國產(chǎn)化率將達50%。 前面文章我們分析了國產(chǎn)半導體設備龍頭之一的中微公司，今天我們繼續(xù)深入研究半導體
    5202
    11/26 12:10
  • 明年將進入400層NAND時代
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    繼在高帶寬內(nèi)存（HBM）市場占據(jù)領先地位之后，SK 海力士還在 NAND 閃存領域?qū)θ请娮訕嫵赏{。盡管它在市場份額方面仍然落后，但它在垂直堆疊單元的堆疊技術方面處于領先地位，這預示著 NAND 市場將發(fā)生翻天覆地的變化。
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    11/25 10:05
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    SK海力士開始量產(chǎn)321層NAND，明年上半年供貨
    SK海力士11月21日宣布，已開始量產(chǎn)全球最高321層1Tb（Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND閃存，預計明年上半年供貨。SK海力士表示，“2023年6月，我們公司已經(jīng)量產(chǎn)并向市場供應了上一代最高水平的238層NAND產(chǎn)品，而這一次，我們是第一個推出超過300層的NAND，突破技術極限。我們將通過向客戶提供產(chǎn)品來響應市場需求。”
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    安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡盟近日宣布與全球領先的工業(yè)NAND閃存存儲和硬件安全解決方案供應商 Flexxon 建立新的合作伙伴關系。e絡盟是一家為電子和工業(yè)系統(tǒng)設計、維護和維修提供相關產(chǎn)品和技術的分銷商，它響應速度快且非?？煽?。 通過此次合作，e絡盟將為客戶提供更廣泛的渠道，獲取 Flexxon 可靠的工業(yè)級存儲解決方案，同時維護數(shù)據(jù)的保密性、完整性和安全性。 Flexxon
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    產(chǎn)業(yè)丨不同存儲類別，價格變了又變？
    從需求端來看，通貨膨脹壓力及AI個人電腦應用場景的缺乏，共同阻礙了大規(guī)模升級周期的形成。在供應端，主要制造商于第三季度恢復了滿負荷生產(chǎn)，同時其他供應商亦通過技術革新提升了產(chǎn)能，共同推動了整體供應能力的提升，進而加劇了市場價格競爭。
  • 存儲價格，變了又變
    存儲價格，變了又變
    過去幾個季度，存儲市場經(jīng)歷了過山車般的波動，尤其是在后疫情時代，用戶對消費電子興趣減弱，整體市場動態(tài)變化，需求降至歷史最低水平。
  • 三星電子存儲器（DRAM、NAND）營收數(shù)據(jù)分析：它可能比你以為的還要強大
    三星電子存儲器（DRAM、NAND）營收數(shù)據(jù)分析：它可能比你以為的還要強大
    我一直說要做一個全球主要存儲器供應商的財務數(shù)據(jù)分析。上周一發(fā)布了海力士的分析（鏈接見下面）以后，就一直忙著整理三星的數(shù)據(jù)，這兩天總算是有了一些進展，和大家分享一下：SK Hynix財務數(shù)據(jù)深度分析：我給他盈虧點劃了一條紅線 ...
  • NAND閃存，迎新局
    NAND閃存，迎新局
    2024年的存儲市場風云變幻，整體上傳出很多好聲音，合約價格上漲、原廠營收明顯增長、技術多點突破...在此之下，存儲大廠的每一步布局都是在枕戈待旦，同時NAND閃存將迎來新的變局。
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    09/14 17:30
  • AI激發(fā)存儲革命，美光SSD和NAND產(chǎn)品線全面升級
    AI激發(fā)存儲革命，美光SSD和NAND產(chǎn)品線全面升級
    搭載了第九代（G9）TLC NAND技術的 SSD 產(chǎn)品2650 NVMe SSD，在 PCMark? 10 測試中表現(xiàn)優(yōu)異，在日常計算方面帶來一流的用戶體驗，與競爭對手相比，性能提高了38%。在帶寬方面，我們提高了36%。平均訪問時間比其他產(chǎn)品低40%。
    1949
    08/05 13:02
  • 存儲大廠NAND技術迎突破
    存儲大廠NAND技術迎突破
    AI人工智能正推動存儲器產(chǎn)業(yè)強勁發(fā)展，AI應用帶來了海量數(shù)據(jù)增長，存儲容量與性能需求大幅提升，NAND Flash技術重要性不斷凸顯。因此，存儲大廠積極布局以HBM為代表的DRAM產(chǎn)業(yè)的同時，也并未忽視NAND Flash的發(fā)展。最新消息顯示，三星、鎧俠兩家大廠NAND技術迎來新進展。
  • 美光率先量產(chǎn)面向客戶端和數(shù)據(jù)中心的 200+ 層 QLC NAND 產(chǎn)品
    美光率先量產(chǎn)面向客戶端和數(shù)據(jù)中心的 200+ 層 QLC NAND 產(chǎn)品
    Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）近日宣布，美光 232 層 QLC NAND 現(xiàn)已量產(chǎn)，并在部分 Crucial 英睿達固態(tài)硬盤（SSD）中出貨。與此同時，美光 2500 NVMeTM SSD 也已面向企業(yè)級存儲客戶量產(chǎn)，并向 PC OEM 廠商出樣。這些進展彰顯了美光在 NAND 技術領域的長期領導地位。
  • 余震余震恰逢原廠缺貨期，固態(tài)硬盤或迎新一輪漲價
    余震余震恰逢原廠缺貨期，固態(tài)硬盤或迎新一輪漲價
    今日凌晨，中國臺灣東部的花蓮縣連續(xù)發(fā)生地震，最高強度為6.3級，震源深度10公里，據(jù)中國地震臺網(wǎng)分析，本次地震均為4月3日臺灣花蓮縣海域發(fā)生的7.3級地震的余震。中國臺灣地區(qū)在全球半導體供應鏈中扮演者重要角色，其10nm以下先進制程供應全球占比高達69%。地震帶來的重創(chuàng)使得本地存儲芯片廠商必須停工檢修、調(diào)試設備，從而影響出貨，不少廠商都向客戶發(fā)出了漲價通知。而此次余震，可能會再次影響本地芯片廠商們
  • 1000層NAND，是“勇者”的游戲
    1000層NAND，是“勇者”的游戲
    最近，鎧俠首席技術官 (CTO) Hidefumi Miyajima表示，計劃將在2031年批量生產(chǎn)超過 1,000 層的 3D NAND 存儲器。不少人感嘆，NAND終究是卷到了1000層。其實，在去年的IEEE論壇上，三星也提出了類似的觀點，預測到2030年將出現(xiàn)1000層NAND。1000層NAND，是“勇者”的游戲。
  • eMMC兩級啟動設計，從此再也不用擔心啟動時間了
    eMMC兩級啟動設計，從此再也不用擔心啟動時間了
    大家好，我是痞子衡，是正經(jīng)搞技術的痞子。今天痞子衡給大家分享的是在i.MXRT1xxx系列上用NAND型啟動設備時可用兩級設計縮短啟動時間。
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    04/22 09:30
  • DRAM/NAND 市場將在2024年復蘇
    DRAM/NAND 市場將在2024年復蘇
    3 月，法國市場研究公司 Yole Group 發(fā)布了 DRAM 和 NAND 閃存（以下簡稱?"NAND"）的市場分析。根據(jù)該報告，2023 年 DRAM/NAND 銷量均處于低位，但從 2024 年開始呈復蘇趨勢。這是由于生成式 AI（人工智能）需求的增長帶動了數(shù)據(jù)中心市場的增長，以及配備生成式 AI 的個人電腦/智能手機的出現(xiàn)帶動了替代需求。
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    04/15 20:47
  • 美光擴建西安工廠，強化對華承諾并推動存儲產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新
    美光宣布了一項43億元人民幣的追加投資，用于擴建西安工廠，引入新的生產(chǎn)線以生產(chǎn)包括移動DRAM、NAND和SSD等在內(nèi)的產(chǎn)品，旨在擴大西安工廠現(xiàn)有的DRAM封裝和測試能力。
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    04/01 21:04

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