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MRAM

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MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。收起

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    1956 年，IBM推出世界上第一個硬盤驅動器——RAMAC 305，可以存儲 5MB 的數(shù)據(jù)，傳輸速度為 10K/s。雖然這款硬盤體積巨大如同兩臺冰箱，重量超過一噸，但是卻標志著磁盤存儲時代的開始。
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    近日，北京航空航天大學黨委常委、副校長趙巍勝，分享了MRAM最新進展及未來發(fā)展趨勢。MRAM的前身是磁存儲，其是人工智能時代的根技術，如今數(shù)據(jù)中心中有70%以上的數(shù)據(jù)依舊保存其中。十年前就有不少專家認為未來磁存儲將被SSD完全取代，然而十年后，磁存儲依舊是最重要的存儲技術。
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    據(jù)日經新聞網報道，近期晶圓代工廠商力積電（PSMC）傳出將和日本新創(chuàng)企業(yè)合作，目標在2029年量產MRAM，將利用力積電計劃在日本興建的晶圓廠第2期工程產線進行量產。根據(jù)報道，東北大學長年來持續(xù)研究MRAM，而PowerSpin將提供MRAM IP給力積電，力積電在推動研究、試產后，目標在2029年開始進行量產，期待可應用于生成式AI數(shù)據(jù)中心。
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    MRAM是一種非易失性存儲技術，通過磁致電阻的變化來表示二進制中的0和1，從而實現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲。由于產品本身具備非易失性，讓其在斷電情況下依然可以保留數(shù)據(jù)信息，并擁有不遜色于DRAM內存的容量密度和使用壽命，平均能耗也遠低于DRAM。