作者:ICVIEWS編輯部
近日,北京航空航天大學(xué)黨委常委、副校長趙巍勝,分享了MRAM最新進展及未來發(fā)展趨勢。
MRAM的前身是磁存儲,其是人工智能時代的根技術(shù),如今數(shù)據(jù)中心中有70%以上的數(shù)據(jù)依舊保存其中。十年前就有不少專家認(rèn)為未來磁存儲將被SSD完全取代,然而十年后,磁存儲依舊是最重要的存儲技術(shù)。
?01磁存儲技術(shù)的發(fā)展歷程
首先是技術(shù)突破,磁存儲技術(shù)自誕生以來,致力于解決信息存儲與讀取的關(guān)鍵技術(shù)難題。1992 年美國 MIT 與 IBM 聯(lián)合研發(fā)出隧穿磁阻技術(shù),基于自旋電子與量子隧穿效應(yīng),成為現(xiàn)代大容量硬盤讀取技術(shù)的核心。1996 年摩托羅拉引領(lǐng)的寫入技術(shù)取得突破,并于 2004 年廣泛應(yīng)用。制造方面采用前端半導(dǎo)體與后端自旋電子的混合集成技術(shù),2006 年成功量產(chǎn)首顆芯片,在航空航天、飛機制造等領(lǐng)域占據(jù)核心地位,我國 C919 大飛機也采用了磁存儲芯片。
其次是技術(shù)演進與應(yīng)用拓展,1996 年開始,IBM 等企業(yè)在微縮技術(shù)上努力,提高了存儲效率。過去 20 年,日本東北大學(xué)與北航分別解決第二代磁存儲技術(shù) STT-MRAM 的核心問題,2018 年進入量產(chǎn)階段,全球多家代工廠具備生產(chǎn)能力,專利布局日趨完善。近年來,磁存儲技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴展,在汽車產(chǎn)業(yè)展現(xiàn)巨大潛力,預(yù)計到 2030 年市場規(guī)模達數(shù)十億美元。第一代磁存儲芯片雖占市場主流(占有率約 80%),但集成度問題促使業(yè)界探索新技術(shù)。
在應(yīng)用案例方面,華為智能手表等消費級產(chǎn)品率先采用磁存儲技術(shù),顯著提升了待機時間與性能。同時,在車載電子和數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域,磁存儲技術(shù)也展現(xiàn)出強大的競爭力,成為降低功耗、提升算力密度的關(guān)鍵解決方案。特別是在數(shù)據(jù)中心,磁存儲技術(shù)的應(yīng)用能夠大幅優(yōu)化功耗問題,滿足日益增長的數(shù)據(jù)存儲需求。
在一些應(yīng)用中,MRAM可以被看做是 NOR FLASH的替代者,但是和SRAM相比,MRAM的速度、可擦寫次數(shù)等方面還存在不足。
于是,第三代自旋存儲技術(shù)SOT MRAM的研發(fā)成為國際科技競爭的新焦點。基于自旋協(xié)同曲技術(shù)的第三代磁存儲芯片,有望在密度、功耗及算力密度上實現(xiàn)突破性進展,成為未來算力芯片的重要支撐。
SOT MRAM也是目前唯一一個能夠取代SRAM的技術(shù)方案。
?02未來發(fā)展機遇與挑戰(zhàn)
就當(dāng)前國際上涉足該領(lǐng)域的公司所關(guān)注的問題以及在未來可能會面臨的挑戰(zhàn),趙巍勝指出以下幾點:
一是 MRAM 是否有希望替代 DRAM。從自然界第一性原理來看,最佳信息載體并非電容,而 1970 年發(fā)現(xiàn)的釩鐵磁這種物理現(xiàn)象,兩個原子湊到一起可代表 0 和 1,有望帶來 10 納米的突破。第三代自旋芯片可能突破 10 納米限制,北航和華為長期在此領(lǐng)域合作。大容量芯片的出現(xiàn)可能使未來的 HBM 發(fā)生顛覆性變化,只有 MRAM 能與 DRAM 匹配,從而解決 DRAM 功耗問題。
二是存算一體是否有希望替代馮諾依曼架構(gòu)。傳統(tǒng) AI 芯片采用馮諾依曼架構(gòu),雖有人期待存算一體替代它,但實現(xiàn)起來非常困難。
三是量子計算技術(shù)的發(fā)展。量子計算雖有趣但難以應(yīng)用到手機手表等小型設(shè)備。
關(guān)于對未來的展望,過去十年,我國在該領(lǐng)域從一無所有發(fā)展到現(xiàn)在基本形成產(chǎn)業(yè)鏈,涵蓋制造、設(shè)計、裝備、應(yīng)用等環(huán)節(jié)。未來十年,三代產(chǎn)品將并行發(fā)展,持續(xù)快速增長。第一代繼續(xù)在工業(yè)領(lǐng)域、航空航天應(yīng)用;第二代在 IoT 終端、車載、數(shù)據(jù)中心持續(xù)增長;第三代是我國真正的自主發(fā)展機會,若能重點發(fā)展第三代,實現(xiàn)對前兩代的替代,將是重要機遇。