GaN

• 無(wú)輔助繞組 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器如何解決交流/直流適配器設(shè)計(jì)難題
  

  人們對(duì)更小、更高效電源的需求不斷增長(zhǎng)，進(jìn)而推動(dòng)著基于氮化鎵 (GaN) 的功率級(jí)快速普及。在交流/直流適配器市場(chǎng)中，制造商正在迅速利用 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器，通過(guò)功能越來(lái)越強(qiáng)大但尺寸越來(lái)越小的適配器，幫助擴(kuò)大 USB Type-C? 接口的市場(chǎng)規(guī)模。 雖然這令人振奮，但與此同時(shí)，電源設(shè)計(jì)人員必須降低系統(tǒng)成本和復(fù)雜性。借助反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中的最新創(chuàng)新成果，無(wú)需使用輔助繞組即可實(shí)現(xiàn)器件偏置（無(wú)輔助繞組

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  12/11 08:43

  GaN EMI
• 英飛凌推出新型EiceDRIVER? Power全橋變壓器驅(qū)動(dòng)器系列
  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出適用于IGBT、SiC和GaN柵極驅(qū)動(dòng)器電源的EiceDRIVER? Power 2EP1xxR全橋變壓器驅(qū)動(dòng)器系列。2EP1xxR系列擴(kuò)大了英飛凌功率器件產(chǎn)品陣容，為設(shè)計(jì)人員提供了隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器電源解決方案。該系列半導(dǎo)體器件可以幫助實(shí)現(xiàn)非對(duì)稱(chēng)輸出電壓，以經(jīng)濟(jì)高效、節(jié)省空間的方式為隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器供電。因此，2EP1xx

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  12/06 08:47

  英飛凌 GaN
• 貿(mào)澤電子與Analog Devices和Bourns聯(lián)手發(fā)布全新電子書(shū)
  

  專(zhuān)注于推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新電子書(shū)，探討氮化鎵 (GaN) 在效率、性能和可持續(xù)性方面的優(yōu)勢(shì)，以及發(fā)揮這些優(yōu)勢(shì)所面臨的挑戰(zhàn)。 《10 Experts Discuss Gallium Nitride Technology》（10位專(zhuān)家暢談

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  12/03 08:08

  貿(mào)澤電子 GaN
• 國(guó)產(chǎn)OBC采用GaN！可節(jié)省1500元
  

  11月25日，匯川聯(lián)合動(dòng)力在官微宣布，他們正式推出了新一代6.6 kW GaN車(chē)載二合一電源產(chǎn)品，該產(chǎn)品將車(chē)載充電器與車(chē)載直流變換器集成，采用GaN功率器件，達(dá)到了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的96%充電效率和4.8 kW/L整機(jī)功率密度。

  行家說(shuō)三代半

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  11/26 09:00

  GaN GaN功率器件
• 砷化鎵
  砷化鎵（Gallium Arsenide，簡(jiǎn)稱(chēng)GaAs）是一種重要的半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子性能和光電性能，在半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。砷化鎵材料因其高電子遷移率、高飽和漂移速度、較寬的能隙以及優(yōu)秀的光電特性而備受關(guān)注。

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  12/04 09:50

  GaN 半導(dǎo)體材料

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