EEPROM

• X-FAB推出基于其110nm車規(guī)BCD-on-SOI技術的嵌入式數(shù)據(jù)存儲解決方案
  

  全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）宣布一項非易失性存儲領域的重大創(chuàng)新。該創(chuàng)新利用X-FAB同類最佳的SONOS技術：基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節(jié)點平臺，X-FAB可為客戶提供符合AECQ100 Grade-0標準的32kByte容量嵌入式閃存IP，并配備額外的4Kbit EEPROM。此外，從2

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  12/05 08:53

  EEPROM X-FAB
• 存儲原理、分類、競爭格局及市場空間分析
  

  前述文章我們對國內6家存儲企業(yè)的情況進行了對比分析，對國內產業(yè)現(xiàn)在有了一定的了解。但是國內企業(yè)發(fā)展晚，營收和利潤相對國際大廠來看還比較弱??；成熟制程占比多，先進制程占比少；產品也存在很大的代差，先進HBM3和LDDR5面臨較大挑戰(zhàn)。因當前面臨各種限制，光刻機方向還未突破先進制程，國內企業(yè)在產品選擇方向上比較偏傳統(tǒng)，且多是海外大廠逐步退出的小眾市場。但是從全球和國內存儲市場空間來看，行業(yè)空間比較廣闊

  王兵

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  12/03 11:25

  與非研究院 存儲
• EEPROM與Flash存儲器的區(qū)別
  區(qū)別 EEPROM Flash 存儲器 擦除方式 一種可擦除且可編程的存儲器，擦除時以字節(jié)為單位進行操作，可以通過電子方式擦除 以扇區(qū)或塊為單位進行擦除，擦寫速度較快，但擦除范圍較大 擦寫速度 EEPROM相對于Flash而言擦寫速度較慢，因為它允許單獨擦除每個字節(jié)，這導致擦寫時間較長 Flash存儲器擦寫速度通常較快，但由于需要按塊擦除，可能會引入額外的延遲 壽命 由于EEPROM只需擦寫特定位

  eefocus_3901714

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  12/18 16:26

  存儲器 EEPROM

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