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碳化硅

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碳化硅，是一種無機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 中國(guó)工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。

碳化硅，是一種無機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 中國(guó)工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。收起

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  • 半導(dǎo)體硅片和碳化硅大廠分別建新廠！
    半導(dǎo)體硅片和碳化硅大廠分別建新廠！
    近日，全球半導(dǎo)體硅片大廠環(huán)球晶和汽車零部件供應(yīng)商博世均宣布，獲得美國(guó)芯片法案的巨額補(bǔ)貼。該項(xiàng)補(bǔ)貼將分別用于12英寸先進(jìn)制程硅晶圓制造廠及8英寸碳化硅晶圓廠的擴(kuò)產(chǎn)。
  • 聚焦SiC大面積銀燒結(jié)，該企業(yè)透露“關(guān)鍵一招”
    聚焦SiC大面積銀燒結(jié)，該企業(yè)透露“關(guān)鍵一招”
    近日，聚礪新材料透露，他們聚焦碳化硅功率模塊廠商的大面積銀燒結(jié)工藝需求，發(fā)布了具有高可靠性和穩(wěn)定性的有壓燒結(jié)銀膏 FC-325LA，樣品經(jīng)1000次循環(huán)測(cè)試后無空洞、裂紋或分層，性能表現(xiàn)卓越。
  • 中汽協(xié)頒獎(jiǎng) | 芯聯(lián)動(dòng)力獲“2024中國(guó)汽車芯片創(chuàng)新成果”榮譽(yù)
    中汽協(xié)頒獎(jiǎng) | 芯聯(lián)動(dòng)力獲“2024中國(guó)汽車芯片創(chuàng)新成果”榮譽(yù)
    芯聯(lián)集成控股子公司芯聯(lián)動(dòng)力的SiC MOS主驅(qū)芯片，成功斬獲中國(guó)汽車工業(yè)協(xié)會(huì)（簡(jiǎn)稱“中汽協(xié)”）“2024中國(guó)汽車芯片創(chuàng)新成果”獎(jiǎng)項(xiàng)。這份榮譽(yù)是對(duì)公司技術(shù)創(chuàng)新實(shí)力的高度贊譽(yù)和有力肯定。 芯聯(lián)集成自2021年開始啟動(dòng)碳化硅研發(fā)，2023年正式量產(chǎn)，是國(guó)內(nèi)第一個(gè)真正把碳化硅大規(guī)模應(yīng)用到新能源汽車主驅(qū)的企業(yè)。 2023年10月，芯聯(lián)集成聯(lián)合產(chǎn)業(yè)鏈重要伙伴一起成立芯聯(lián)動(dòng)力，將碳化硅業(yè)務(wù)獨(dú)立化運(yùn)營(yíng)，加速擴(kuò)大公
  • 半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化開啟全力加速跑！
    半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化開啟全力加速跑！
    半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化發(fā)展是一個(gè)長(zhǎng)期命題，近年來中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游國(guó)產(chǎn)化程度逐步提高，但當(dāng)前國(guó)內(nèi)外形勢(shì)反復(fù)，刺激中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速邁進(jìn)。中國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)副理事長(zhǎng)葉甜春近日表示，近幾年大家一直在說卡脖子和補(bǔ)短板，而這兩年我們也確實(shí)做出來很大的成績(jī)。但是把短板補(bǔ)齊未必就意味著能發(fā)展，“替代”永遠(yuǎn)不是發(fā)展的主題。
  • ST加大在華合作對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體國(guó)際合作的啟示
    ST加大在華合作對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體國(guó)際合作的啟示
    11月20日ST首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery宣布，ST將由華虹代工其微控制器芯片；近日，據(jù)悉ST合資的重慶碳化硅項(xiàng)目進(jìn)展良好，即將通線。在即將到來的特朗普2.0時(shí)代，業(yè)界都認(rèn)為中歐半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)該加強(qiáng)合作。正在此時(shí)，ST密集加強(qiáng)與中國(guó)企業(yè)合作，這為后續(xù)中歐合作提供了很好的示范。恰好芯謀研究參與了這兩個(gè)項(xiàng)目，并盡了綿薄之力，我們從這兩個(gè)案例的點(diǎn)滴來看推動(dòng)中國(guó)半導(dǎo)體國(guó)際合作有哪些可借鑒之處。
  • 干貨 | 碳化硅可靠性驗(yàn)證要點(diǎn)
    干貨 | 碳化硅可靠性驗(yàn)證要點(diǎn)
    從MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是我們生活中無數(shù)電子設(shè)備的核心。從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施，到個(gè)人電子產(chǎn)品和電動(dòng)汽車(EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設(shè)備的持續(xù)運(yùn)行。
  • 內(nèi)卷加劇，考驗(yàn)芯片企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)策略
    內(nèi)卷加劇，考驗(yàn)芯片企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)策略
    “我們不會(huì)盲目斷言2025年將會(huì)更容易，我們會(huì)非常謹(jǐn)慎和警醒地對(duì)待這一年，就像對(duì)待2024年一樣?！苯?，在一次媒體交流中，提及對(duì)汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)未來前景的預(yù)判，安森美CEO Hassane El-Khoury如是說。 安森美CEO Hassane El-Khoury 這一預(yù)判相信也是很多芯片企業(yè)的共識(shí)，尤其是國(guó)際品牌，雖然從SIA（美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)）的市場(chǎng)數(shù)據(jù)來看，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的銷售額自202
  • 三安、士蘭微等5個(gè)SiC項(xiàng)目公布新進(jìn)展
    三安、士蘭微等5個(gè)SiC項(xiàng)目公布新進(jìn)展
    近日，“行家說三代半”發(fā)現(xiàn)，國(guó)內(nèi)新增5個(gè)碳化硅項(xiàng)目進(jìn)展，包括士蘭微、三安半導(dǎo)體等。11月21日，據(jù)福建環(huán)保網(wǎng)公示，廈門士蘭明稼SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目已完成環(huán)保驗(yàn)收，目前正在穩(wěn)定運(yùn)行中。
  • SiC價(jià)格跳水，開啟下半場(chǎng)戰(zhàn)役
    SiC價(jià)格跳水，開啟下半場(chǎng)戰(zhàn)役
    2023年，國(guó)內(nèi)碳化硅（SiC）襯底行業(yè)涌入大量的玩家，眾多項(xiàng)目在全國(guó)各地落地，產(chǎn)能擴(kuò)張達(dá)到空前規(guī)模。據(jù)行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，2023年國(guó)內(nèi)SiC襯底的折合6英寸銷量已超過100萬片，許多廠商的產(chǎn)能爬坡速度超過預(yù)期。直至如今，6英寸SiC襯底的擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作仍在繼續(xù)。
  • 碳化硅如何加速新能源汽車普及？你必須要知道的細(xì)節(jié)！
    碳化硅如何加速新能源汽車普及？你必須要知道的細(xì)節(jié)！
    習(xí)慣能在5分鐘內(nèi)完成能量補(bǔ)給的燃油車車主們，難免會(huì)對(duì)新能源汽車產(chǎn)生“里程焦慮”。這種焦慮源自于汽車的充電時(shí)間和續(xù)航能力。然而，隨著充電技術(shù)的不斷提升，特別是以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)日益成熟，新能源汽車的充電效率和整體性能迎來了革命性的提升，這不僅有望緩解車主的充電焦慮，還將加速新能源汽車的普及進(jìn)程。
  • 意法半導(dǎo)體先進(jìn)的電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器STGAP3S為 IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護(hù)功能
    意法半導(dǎo)體先進(jìn)的電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器STGAP3S為 IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護(hù)功能
    意法半導(dǎo)體的 STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關(guān)柵極驅(qū)動(dòng)器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護(hù)功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。 STGAP3S 在柵極驅(qū)動(dòng)通道與低壓控制和接口電路之間采用增強(qiáng)型電容隔離，瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達(dá)到 200V/ns。通過采用這種的先進(jìn)的電隔離技術(shù)，STGAP3S提高了空調(diào)、工廠自動(dòng)
  • 3起SiC合作！吉利汽車公布新成果
    3起SiC合作！吉利汽車公布新成果
    近期，“行家說三代半”又發(fā)現(xiàn)行業(yè)內(nèi)又新增3起碳化硅合作案：11月12日，晶能微電子在官微透露，由吉利汽車集團(tuán)中央研究院新能源開發(fā)中心等部門及機(jī)構(gòu)共同舉辦的“吉利汽車功率半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新平臺(tái)”揭牌儀式圓滿舉行，晶能微電子作為合作伙伴發(fā)布首期成果。
  • 車載充電器材料選擇比較：碳化硅與IGBT
    車載充電器材料選擇比較：碳化硅與IGBT
    車載充電器 (OBC) 解決了電動(dòng)汽車 (EV) 的一個(gè)重要問題。它們將來自電網(wǎng)的交流電轉(zhuǎn)換為適合電池充電的直流電，從而實(shí)現(xiàn)電動(dòng)汽車充電。隨著每年上市的電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)、架構(gòu)和尺寸越來越豐富，車載充電器的實(shí)施也變得越來越復(fù)雜。
  • 2家國(guó)產(chǎn)SiC獲得訂單，供應(yīng)東風(fēng)/路特斯/智己等
    2家國(guó)產(chǎn)SiC獲得訂單，供應(yīng)東風(fēng)/路特斯/智己等
    近期，碳化硅領(lǐng)域迎來了一系列合作突破，涉及國(guó)產(chǎn)SiC半橋模塊量產(chǎn)上車、超充技術(shù)應(yīng)用，激光切割技術(shù)及設(shè)備采購(gòu)等，詳情請(qǐng)看：悉智科技SiC-DCM量產(chǎn)，已搭載于智己
  • 國(guó)內(nèi)4個(gè)SiC項(xiàng)目竣工/投產(chǎn)，合計(jì)投資超3.5億！
    國(guó)內(nèi)4個(gè)SiC項(xiàng)目竣工/投產(chǎn)，合計(jì)投資超3.5億！
    近期，國(guó)內(nèi)多個(gè)SiC項(xiàng)目宣布竣工，涉及異質(zhì)晶圓、耗材、電控/電驅(qū)及設(shè)備環(huán)節(jié)：●?晶瓴半導(dǎo)體：高質(zhì)量碳化硅異質(zhì)晶圓研發(fā)新建項(xiàng)目竣工，總投資2450萬元?！?鈞聯(lián)電子：碳化硅動(dòng)力域控制器研發(fā)與制造一期項(xiàng)目竣工，總投資5000萬元?！?晶馳機(jī)電：半導(dǎo)體材料研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目投產(chǎn)儀式舉行，生產(chǎn)SiC外延設(shè)備。
  • 英飛凌將參加2024年慕尼黑國(guó)際電子元器件博覽會(huì) 展示低碳化和數(shù)字化解決方案
    英飛凌將參加2024年慕尼黑國(guó)際電子元器件博覽會(huì) 展示低碳化和數(shù)字化解決方案
    在即將到來的慕尼黑國(guó)際電子元器件博覽會(huì)（electronica 2024）上，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）將展示其創(chuàng)新的解決方案如何推動(dòng)全球低碳化和數(shù)字化進(jìn)程，充分展現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)品如何為實(shí)現(xiàn)凈零經(jīng)濟(jì)鋪平道路，并釋放人工智能的全部潛力。11月12-15日，英飛凌將在 C3 展廳502號(hào)展臺(tái)重點(diǎn)展示其豐富的產(chǎn)品組合，并提供與英飛凌專家交流的機(jī)會(huì)。 慕尼黑國(guó)際電
  • 良率提升20%！國(guó)產(chǎn)8吋可視化SiC電阻爐亮相！
    良率提升20%！國(guó)產(chǎn)8吋可視化SiC電阻爐亮相！
    10月26日，據(jù)“證券時(shí)報(bào)”消息，晶升股份已成功研發(fā)了可視化的8英寸電阻法SiC單晶爐，晶體良率可提升20%以上，目前該設(shè)備已在客戶端通過驗(yàn)證。據(jù)悉，晶升股份研發(fā)的8英寸電阻法碳化硅單晶爐能夠使碳化硅晶體生長(zhǎng)過程變得“可視”，從而降低了研發(fā)成本，并為8英寸襯底的量產(chǎn)提供了設(shè)備基礎(chǔ)。
  • 高性能碳化硅隔離柵極驅(qū)動(dòng)器如何選型，一文告訴您
    高性能碳化硅隔離柵極驅(qū)動(dòng)器如何選型，一文告訴您
    電隔離式 (GI) 柵極驅(qū)動(dòng)器在優(yōu)化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色，特別是在應(yīng)對(duì)電氣化系統(tǒng)日益增長(zhǎng)的需求時(shí)。隨著全球?qū)﹄娏υ诠I(yè)、交通和消費(fèi)產(chǎn)品中依賴性的加深，SiC技術(shù)憑借其提升效率和縮小系統(tǒng)體積的能力脫穎而出。本文為第二篇，將分享電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的隔離能力評(píng)估 ，并介紹其典型的應(yīng)用市場(chǎng)與安森美(onsemi)可提供的高新能產(chǎn)品選型。
  • 國(guó)產(chǎn)SiC多環(huán)節(jié)突破：主驅(qū)芯片/液相法/激光剝離...
    國(guó)產(chǎn)SiC多環(huán)節(jié)突破：主驅(qū)芯片/液相法/激光剝離...
    “行家說三代半”發(fā)現(xiàn)，國(guó)產(chǎn)SiC近期在粉料、主驅(qū)芯片、液相法及設(shè)備等環(huán)節(jié)均取得實(shí)質(zhì)性突破：●?一汽紅旗：自主設(shè)計(jì)的碳化硅功率芯片完成首次流片。●?連科半導(dǎo)體：液相法碳化硅長(zhǎng)晶爐順利驗(yàn)收。●?匯川聯(lián)合動(dòng)力：推出Si-SiC混合模塊電機(jī)控制器，已完成A樣的開發(fā)與驗(yàn)證?！?山西中電科：成功攻克石墨粉提純工藝關(guān)鍵難題，石墨粉純度達(dá)到6.5N。
  • 4個(gè)國(guó)產(chǎn)SiC項(xiàng)目新進(jìn)度：超134億、年底投產(chǎn)！
    4個(gè)國(guó)產(chǎn)SiC項(xiàng)目新進(jìn)度：超134億、年底投產(chǎn)！
    近日，國(guó)內(nèi)多個(gè)SiC項(xiàng)目建設(shè)傳新進(jìn)度：●?士蘭微：8英寸SiC項(xiàng)目進(jìn)入土方工程收尾階段，預(yù)計(jì)于明年Q3通線?！?予秦半導(dǎo)體：SiC晶體材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目環(huán)評(píng)表公示，產(chǎn)能為840個(gè)晶錠/年。●?新潔能：總部基地及SiC/GaN產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目預(yù)計(jì)年底竣工投用。

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