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硬件設(shè)計

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  • 差分放大電路的兩個輸入端為什么要接上電壓跟隨器?有何妙用?
    差分放大電路的兩個輸入端為什么要接上電壓跟隨器?有何妙用?
    前面的文章中我們針對差分電路的選型,計算,以及共模抑制比都已經(jīng)做了詳細(xì)的介紹,詳細(xì)大家對于差分電路的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)已經(jīng)很熟悉了,其實可以把差分放大器理解成電壓減法器電路,差分放大電路的輸出電壓與施加到運算放大器反相和同相端的兩個輸入信號的電壓差成比例。
  • 精通晶振電路選型:手把手教你通過計算來確認(rèn)你選的晶振和MCU是否匹配
    精通晶振電路選型:手把手教你通過計算來確認(rèn)你選的晶振和MCU是否匹配
    上篇文章我們講解了晶振電路的分類,以及如何計算晶振的負(fù)載電容和反饋電阻選型,今天我們講一下如何通過計算確認(rèn)你的晶振電路和MCU的是否匹配,能不能讓你的MCU穩(wěn)定工作。
  • 說說硬件調(diào)試中發(fā)現(xiàn)的那些低級錯誤
    說說硬件調(diào)試中發(fā)現(xiàn)的那些低級錯誤
    最近遇到很多debug相關(guān)的咨詢,曾經(jīng)我們說過,我們做過的板子越多,遇到問題的概率也越多,很多別人沒遇到過的問題,說不定我們早就觸過雷,從而類似的問題形成經(jīng)驗總結(jié),就不會再有同樣的問題發(fā)生。一些問題可能不一定和PCB設(shè)計相關(guān),但由于找不到原因到底在哪里,最終需要進(jìn)行一一排除,所以兜兜轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)又回到PCB設(shè)計上來,這也是我們經(jīng)常要面對的工作之一。
  • Trent丨硬件設(shè)計與檢查
    Trent丨硬件設(shè)計與檢查
    硬件開發(fā)是一個系統(tǒng)性的過程,無論是經(jīng)驗豐富的硬件工程師還是熱衷于動手的電子愛好者,都會經(jīng)歷相似的步驟來將想法轉(zhuǎn)化為實際的產(chǎn)品。對于專業(yè)工程師而言,深入掌握開發(fā)流程能夠確保項目的高效推進(jìn),減少錯誤和返工,提升產(chǎn)品的質(zhì)量和競爭力。而對于電子愛好者來說,了解整個流程有助于他們更全面地理解硬件工作的原理,更好地實現(xiàn)自己的創(chuàng)意和想法,同時提升他們在實踐中的技能水平和解決問題的能力。
  • 實戰(zhàn)分享:腫瘤電場治療硬件設(shè)計方案
    實戰(zhàn)分享:腫瘤電場治療硬件設(shè)計方案
    惡性腫瘤一直是困擾人類健康的公共衛(wèi)生問題,腫瘤電場治療是當(dāng)前醫(yī)療市場上熱門的一種創(chuàng)新技術(shù)。這種技術(shù)是通過穿戴設(shè)備,對目標(biāo)位置腫瘤發(fā)出低強度交變電場來干擾癌細(xì)胞,讓它們發(fā)生紊亂,無法正常分裂增殖,從而實現(xiàn)抗癌效果。該療法有著非常好的耐受性,絕大部分副作用為輕度皮膚刺激。根據(jù)在2023年ASCO年會上發(fā)布的數(shù)據(jù),來自LUNAR試驗(NCT02973789)的結(jié)果顯示,在轉(zhuǎn)移性非小細(xì)胞肺癌(NSCLC)患者中,相比單獨使用標(biāo)準(zhǔn)治療,將腫瘤電場治療與肺癌標(biāo)準(zhǔn)治療中的免疫療法或化療相結(jié)合,可以提高患者總生存率,降低死亡風(fēng)險。
  • 手機電路設(shè)計20問
    手機電路設(shè)計20問
    這個問題本身其實并不準(zhǔn)確,首先,電壓和電流是由負(fù)載的需求來決定的,比如負(fù)載需要的是1.2V的電壓,前端電源就不能給他提供3.3V的電;負(fù)載需要500mA的電流,前端電源的輸出電牛就不能低于500mA,要知道負(fù)載是先決條件,電源要根據(jù)負(fù)載來選擇。
  • Xilinx Kintex-7系列XC7K410T-FFG900外設(shè)之DDR3硬件設(shè)計
    Xilinx Kintex-7系列XC7K410T-FFG900外設(shè)之DDR3硬件設(shè)計
    在數(shù)據(jù)速率帶寬約束方面,DDR3運行速度受限于其與K7-410T FPGA互聯(lián)的I/O Bank 管腳以及FPGA器件的速度等級。如下表所示,當(dāng)FPGA選定時,如需DDR3運行最大工作頻率時,需要將DDR3互聯(lián)至FPGA的HP I/O Bank上,同時也要將Vccaux_io的供電電壓調(diào)整為2.0V。
  • 《硬件設(shè)計指南 從器件認(rèn)知到手機基帶設(shè)計》解析:1300字,NMOS LDO原理!
    《硬件設(shè)計指南 從器件認(rèn)知到手機基帶設(shè)計》解析:1300字,NMOS LDO原理!
    圖2-16是一個NMOS LDO的基本框圖,在1.4節(jié)中已經(jīng)介紹了NMOS特點,在開關(guān)結(jié)構(gòu)電源中MOS是工作在開關(guān)狀態(tài),在LDO電源中MOS工作在飽和區(qū),注意:LDO一定是工作在飽和區(qū)(特殊情況會在可變電阻區(qū)),所以VG要大于VS,因此NMOS LDO除了有Vi引腳,一般還會有個Vbias引腳來給MOS的G極提供高壓驅(qū)動源;或者只有一個Vi,而LDO內(nèi)部集成了CHARGE BUMP (電荷泵)來為G極提供高壓驅(qū)動源。

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