加入星計(jì)劃,您可以享受以下權(quán)益:

  • 創(chuàng)作內(nèi)容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴(kuò)散
  • 作品版權(quán)保護(hù)
  • 300W+ 專(zhuān)業(yè)用戶
  • 1.5W+ 優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
  • 5000+ 長(zhǎng)期合作伙伴
立即加入

光刻技術(shù)

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

集成電路制造中利用光學(xué)- 化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法,將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上,形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術(shù)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2~3個(gè)數(shù)量級(jí)(從毫米級(jí)到亞微米級(jí)),已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù);使用波長(zhǎng)已從4000埃擴(kuò)展到 0.1埃數(shù)量級(jí)范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。

集成電路制造中利用光學(xué)- 化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法,將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上,形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術(shù)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2~3個(gè)數(shù)量級(jí)(從毫米級(jí)到亞微米級(jí)),已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù);使用波長(zhǎng)已從4000埃擴(kuò)展到 0.1埃數(shù)量級(jí)范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。收起

查看更多
  • IWAPS 2023 | 第七屆國(guó)際先進(jìn)光刻技術(shù)研討會(huì)舉辦時(shí)間通知
    IWAPS 2023 | 第七屆國(guó)際先進(jìn)光刻技術(shù)研討會(huì)舉辦時(shí)間通知
    第七屆國(guó)際先進(jìn)光刻技術(shù)研討會(huì) (IWAPS 2023) 近年來(lái),集成電路產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為世界各國(guó)越來(lái)越重視的戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè),尤其在中國(guó),集成電路產(chǎn)業(yè)受到了前所未有的關(guān)注,并在政策和資本的推動(dòng)下獲得了蓬勃發(fā)展?;谶@樣的形勢(shì),國(guó)際先進(jìn)光刻技術(shù)研討會(huì)(International Workshop on Advanced Patterning Solutions, IWAPS)應(yīng)運(yùn)而生。IWAPS為來(lái)自國(guó)內(nèi)外半
  • 光刻膠:如何封喉
    微信的推送規(guī)則進(jìn)行了調(diào)整
  • 下一代EUV光刻機(jī),關(guān)鍵技術(shù)拆解!
    imec高管深度專(zhuān)訪:突破下一代EUV光刻機(jī),要翻過(guò)“四堵墻”。世界頂級(jí)先進(jìn)半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)比利時(shí)微電子研究中心(imec)近日發(fā)布一篇深度好文,詳細(xì)解讀了下一代EUV光刻機(jī)成像技術(shù)短期和長(zhǎng)期的挑戰(zhàn)及創(chuàng)新方向。
  • 助力晶圓生產(chǎn)工藝改進(jìn),海洋光學(xué)參加2022中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備年會(huì)
    世界領(lǐng)先的光學(xué)解決方案提供商海洋光學(xué)(Ocean Insight)將參加于10月27日~29日在無(wú)錫太湖國(guó)際博覽中心召開(kāi)的第十屆(2022)中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備年會(huì)暨半導(dǎo)體設(shè)備與核心部件展示會(huì)(CSEAC)。
  • 精確跟蹤芯片蝕刻過(guò)程,用高分辨率光譜儀監(jiān)測(cè)等離子體
    蝕刻是這一過(guò)程的主要部分,在這一過(guò)程中,材料可以被分層到一個(gè)非常具體的厚度。當(dāng)這些層在晶圓表面被蝕刻時(shí),等離子體監(jiān)測(cè)被用來(lái)跟蹤晶圓層的蝕刻,并確定等離子體何時(shí)完全蝕刻了一個(gè)特定的層并到達(dá)下一個(gè)層。
  • 正在努力加載...