三星電子

• 三星緊急召回全球9大區(qū)域總經(jīng)理
  據(jù)證實(shí)，三星電子已召集所有九家海外子公司的負(fù)責(zé)人開始緊急管理策略審查，以應(yīng)對內(nèi)部和外部的不確定性。這是自2019年疫情爆發(fā)前以來，時(shí)隔五年，三星電子在年終全球戰(zhàn)略會議上與所有海外高管進(jìn)行面對面的會議。隨著韓元兌美元匯率穩(wěn)定在1美元兌1400韓元左右，以及唐納德·特朗普政府第二任期的就職，緊急燈已經(jīng)亮起。

  芯片說 IC TIME

  327

  12/19 08:55

  三星電子
• 突發(fā)！三星又換HBM封裝負(fù)責(zé)人
  

  三星電子通過年末人事調(diào)整和組織改編，對HBM（高帶寬存儲器）制造核心工序封裝（Packaging）組織進(jìn)行了變化，從臺積電聘請的副社長林俊成下臺，組織名稱也改為“系統(tǒng)封裝實(shí)驗(yàn)室”，繼續(xù)開發(fā)新一代HBM——HBM4封裝技術(shù)。

  芯片說 IC TIME

  649

  12/14 10:55

  三星電子 HBM
• 三星正開發(fā)移動HBM，能效提高70%
  

  三星電子正致力于下一代半導(dǎo)體市場，重點(diǎn)開發(fā)被稱為DRAM市場新星的“LLW（Low Latency Wide IO）DRAM”。LLW具有數(shù)據(jù)處理速度快、功耗低的特點(diǎn)，是比現(xiàn)有低功耗DRAM性能更高的產(chǎn)品。它被認(rèn)為是針對設(shè)備上人工智能市場的未來技術(shù)，因此被稱為“移動HBM（高帶寬內(nèi)存）”。

  芯片說 IC TIME

  666

  12/11 10:10

  三星電子 HBM
• 3200億晶圓大廠建設(shè)成本飆漲
  

  “我們請您考慮與德克薩斯州泰勒晶圓廠合作，盡管美國政府計(jì)劃提供大量資金注入和補(bǔ)貼支持，但運(yùn)營該晶圓廠還有很多工作要做?！比请娮影雽?dǎo)體(DS)部門新任代工部門負(fù)責(zé)人Jinman Han 于12月9日向該部門員工講述了投資正在建設(shè)的美國泰勒代工工廠的重要性，該工廠總投資約440億美元（3192.904億元人民幣），目標(biāo)是2026年開始運(yùn)營。

  芯片說 IC TIME

  656

  12/11 09:05

  三星電子 晶圓代工廠
• 晶圓大廠4nm良率達(dá)70%
  

  三星電子晶圓代工部門將其主要工藝4納米的良率提高了近70%，并已開始進(jìn)行積極的客戶銷售。據(jù)業(yè)內(nèi)人士12月9日透露，三星電子代工4納米工藝的良率據(jù)稱近期已經(jīng)接近70%。去年年初只有30%左右，但最近兩年過去了，已經(jīng)穩(wěn)定下來，提高到了近70%。此前，Trend Force等一些市場研究公司宣稱，截至去年底，三星電子代工廠的4納米工藝良率達(dá)到了75%，但實(shí)際上，根據(jù)一家研究機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)，最近這一數(shù)字已經(jīng)提高到近70%。

  芯片說 IC TIME

  999

  12/11 08:57

  晶圓代工 三星電子
• 三星晶圓代工2025年策略曝光
  

  被任命為三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)部門新任負(fù)責(zé)人的韓鎮(zhèn)萬（Jinman Han）社長在首次演講中宣布，他將重點(diǎn)關(guān)注“2納米工藝良率的顯著提高”和“擴(kuò)大成熟工藝業(yè)務(wù)”。

  芯片說 IC TIME

  994

  12/10 10:55

  晶圓代工 三星電子
• 1500億晶圓大廠開始訂購設(shè)備
  

  三星電子開始投資可大規(guī)模生產(chǎn)的“1c” DRAM。據(jù)了解，近期已向相關(guān)合作伙伴訂購了生產(chǎn)設(shè)備，安裝工作將于明年2月左右開始。由于1c DRAM是決定三星電子下一代HBM4競爭力的關(guān)鍵要素，因此看來正在為及時(shí)量產(chǎn)該產(chǎn)品做好準(zhǔn)備。

  芯片說 IC TIME

  967

  12/10 09:52

  dram 三星電子
• 又有2位芯片獵頭被起訴！21人被審判！
  

  關(guān)于三星電子20納米DRAM半導(dǎo)體加工技術(shù)被泄露一案，韓國警方將安排韓國半導(dǎo)體專家跳槽至國外公司的三名獵頭公司代表移交給韓國檢方。至此，韓國警方對韓國三星電子前高管泄密半導(dǎo)體工藝技術(shù)事件的調(diào)查似乎即將結(jié)束。

  芯片說 IC TIME

  764

  12/04 09:30

  三星電子 半導(dǎo)體技術(shù)
• 晶圓大廠100名高管被裁，最快今日公布
  

  三星電子預(yù)計(jì)將在2025年開始大規(guī)模裁員，預(yù)計(jì)將于11月29日進(jìn)行半導(dǎo)體（DS）部門約100名高管被裁。三星半導(dǎo)體一年內(nèi)有100多名高管退休，這是史無前例的。有人擔(dān)心，更多的高管會選擇去國外，而不是數(shù)量有限的韓國公司。

  芯片說 IC TIME

  1270

  11/29 14:06

  三星電子
• 晶圓大廠人事地震：3位CEO變更！
  

  三星電子會長李在镕通過更換IT電子部門負(fù)責(zé)人的職位開始了改革。三星全球研究院成立了新的總裁級組織管理審計(jì)辦公室，并任命了前未來戰(zhàn)略室成員崔潤浩為三星SDI總裁。

  芯片說 IC TIME

  2584

  11/29 11:30

  三星電子
• 晶圓大廠高管地震：2人晉升、7人變更！
  

  11月27日，三星電子宣布對2025屆總裁進(jìn)行例行人事變動，共有9人，其中2人晉升為總裁，7人職責(zé)變更。陷入危機(jī)的三星實(shí)施了總裁改組，重點(diǎn)是存儲半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。未來，內(nèi)存業(yè)務(wù)將由 CEO 和副會長直接管理，而不設(shè)單獨(dú)的總裁。

  芯片說 IC TIME

  1299

  11/27 14:46

  三星電子
• 三星已通知部分高管卸任，最快明日公布
  

  據(jù)悉，三星電子最早將于11月27日進(jìn)行年終人事變動。由于三星電子會長李在镕透露了克服危機(jī)的強(qiáng)烈意愿，預(yù)計(jì)重點(diǎn)將放在恢復(fù)三星的超高競爭力上。

  芯片說 IC TIME

  1595

  11/26 15:20

  三星電子
• 半導(dǎo)體巨頭敗訴，需賠8.55億！
  

  路透社報(bào)道稱，美國法院陪審團(tuán)判決三星電子在專利侵權(quán)訴訟中向美國半導(dǎo)體公司 Netlist 支付 1.18 億美元（8.55億元人民幣）的賠償金。據(jù)路透社11月22日（當(dāng)?shù)貢r(shí)間）報(bào)道，德克薩斯州馬歇爾市聯(lián)邦法院的陪審團(tuán)就兩家公司就高性能內(nèi)存產(chǎn)品數(shù)據(jù)處理改進(jìn)技術(shù)的專利訴訟做出了這一裁決。

  芯片說 IC TIME

  1035

  11/25 08:50

  三星電子
• 可持續(xù)內(nèi)生增長 晶科電子處價(jià)值洼地
  伴隨四季度港股IPO市場景氣度回升，年度 「超購?fù)酢咕Э齐娮樱?551.HK）的憑借驚艷表現(xiàn)，成為市場矚目的焦點(diǎn)。高達(dá)5,678倍的公開發(fā)售認(rèn)購倍數(shù)，不僅打破了科技類企業(yè)港股IPO的歷史記錄，也讓公司成為港股IPO史上僅次于毛記葵涌的唯二超過5,000倍的新股。目前晶科電子股價(jià)位于4元區(qū)間，仍處價(jià)值洼地，看漲未來長期估值。 根據(jù)公司招股書，未來三年，公司也擬根據(jù)業(yè)務(wù)運(yùn)營及現(xiàn)金流量狀況采用不低于派息

  與非網(wǎng)編輯

  435

  11/20 08:12

  led 三星電子
• ?關(guān)于斷供7nm的調(diào)研與分析
  

  近期，臺積電與三星相繼斷供7nm及以下制程的AI芯片代工，這次制裁有哪些要點(diǎn)，將來會產(chǎn)生哪些影響？此次制裁略有異常，以前是美國BIS出臺禁令，相關(guān)國際企業(yè)執(zhí)行。而此次美國政府尚未發(fā)表禁令，相關(guān)企業(yè)已經(jīng)落地執(zhí)行。芯謀研究了解到的制裁細(xì)節(jié)如下：

  芯謀研究

  3543

  11/20 09:20

  臺積電 AI芯片
• 是德科技助力三星電子成功驗(yàn)證 FiRa? 2.0 安全測距測試用例
  

  是德科技（NYSE: KEYS ）成功助力三星電子，在其Exynos Connect U100芯片組上驗(yàn)證了FiRa? 2.0安全測試用例。此次驗(yàn)證得益于是德科技提供的超寬帶 （UWB）測試解決方案，該方案符合物理層一致性測試的各項(xiàng)要求。 是德科技助力三星電子成功驗(yàn)證 FiRa? 2.0 安全測距測試用例 UWB 作為一種低功耗無線電技術(shù)，能夠在寬頻譜范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)短距離和高帶寬的通信。在處于高密度且

  與非網(wǎng)編輯

  603

  11/18 07:27

  三星電子 是德科技
• 又一3nm芯片開始量產(chǎn)
  

  三星電子已經(jīng)開始量產(chǎn)工作，在計(jì)劃于明年發(fā)布的可折疊手機(jī)“Galaxy Z Flip 7”中安裝自己的應(yīng)用處理器（AP）。此次量產(chǎn)能否為三星電子半導(dǎo)體（DS）部門的晶圓代工和系統(tǒng)LSI部門提供復(fù)蘇的機(jī)會，備受關(guān)注。

  芯片說 IC TIME

  1132

  11/15 10:44

  三星電子 3nm芯片
• 晶圓大廠又變現(xiàn)降薪！大批跳槽！
  

  隨著三星電子將其半導(dǎo)體研究中心的精英研究人員重新部署到存儲器部門、系統(tǒng)LSI和代工部門，由于高管和員工（包括一些碩士和博士級別員工）的績效獎金可能會減少，因此人員離職的擔(dān)憂日益加劇。

  芯片說 IC TIME

  844

  11/14 09:28

  三星電子
• 傳三星停供中國大陸7nm AI芯片
  

  11月12日消息，據(jù)臺媒報(bào)道，繼臺積電暫停向中國大陸AI/GPU客戶供應(yīng)所有7nm及更先進(jìn)工藝的芯片后，有傳言稱，三星同樣受到美國禁令限制，向中國大陸客戶發(fā)布相關(guān)通知，無法為提供此類晶圓代工服務(wù)。

  芯東西

  1509

  11/12 15:25

  AI芯片 三星電子
• 三星SK海力士明年下半年量產(chǎn)12層HBM4
  

  據(jù)相關(guān)行業(yè)人士11月9日透露，三星電子和SK海力士計(jì)劃從明年下半年開始量產(chǎn)12層HBM4。半導(dǎo)體公司計(jì)劃從 HBM4 開始認(rèn)真應(yīng)用新工藝“混合鍵合”。哪家公司首先穩(wěn)定應(yīng)用混合鍵合技術(shù)將決定HBM4市場的勝負(fù)。

  芯片說 IC TIME

  763

  11/11 09:18

  三星電子 SK海力士

正在努力加載...