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用2600系列數(shù)字源表進(jìn)行 IDDQ測(cè)試和待機(jī)電流測(cè)試

資源大?。?.3MB

[摘要] CMOS集成電路（CMOS IC）和電池供電產(chǎn)品的制造商需要測(cè)量靜態(tài)（或“待機(jī)”）電源電流用于驗(yàn)證生產(chǎn)測(cè)試質(zhì)量。CMOS IC或其中含有CMOS IC成品的漏電電流測(cè)量過(guò)程被稱(chēng)為IDDQ測(cè)試。此測(cè)試要求在IC處于靜態(tài)條件下測(cè)量VDD電源電流

基于高吞吐率WLR測(cè)試的ACS集成測(cè)試系統(tǒng)

資源大?。?.03MB

[摘要] 隨著器件繼續(xù)小型化，半導(dǎo)體器件可靠性測(cè)試以及器件壽命預(yù)測(cè)面臨極大挑戰(zhàn)。由于新材料和新工藝的復(fù)雜性增大，器件失效的隨機(jī)性也在增加。這需要產(chǎn)生更大的統(tǒng)計(jì)樣本測(cè)試數(shù)據(jù)。雖然傳統(tǒng)的應(yīng)力-開(kāi)關(guān)-測(cè)量可靠性測(cè)試技術(shù)能實(shí)現(xiàn)龐大數(shù)量的器件測(cè)試，但這種方法可

基于實(shí)驗(yàn)室自動(dòng)化的ACS集成測(cè)試系統(tǒng)

資源大?。?.89MB

[摘要] 隨著面市時(shí)間和測(cè)試成本的壓力增大，需要繼續(xù)仔細(xì)檢查工具利用率和測(cè)試工程師的生產(chǎn)率。提高自動(dòng)化水平是一種改善資源分配常規(guī)方法。從手動(dòng)探測(cè)器的單管芯測(cè)試到半自動(dòng)探測(cè)器的單晶圓測(cè)試的這一過(guò)程自然會(huì)通向自動(dòng)探測(cè)器的全晶匣檢測(cè)。在過(guò)去，使用精密、靈活

用于多站點(diǎn)并行測(cè)試的ACS集成測(cè)試系統(tǒng)

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[摘要] 測(cè)試成本被視為未來(lái)先進(jìn)半導(dǎo)體的首要挑戰(zhàn)。對(duì)測(cè)試成本和測(cè)試系統(tǒng)購(gòu)置成本影響最大的是測(cè)試系統(tǒng)吞吐量。不論什么具體應(yīng)用，并行測(cè)試都最大程度改善了晶圓上測(cè)試的吞吐量公式。這是因?yàn)榇蟛糠珠_(kāi)銷(xiāo)用在了移動(dòng)探針或者將探針重新定位至下一個(gè)測(cè)試站點(diǎn)。開(kāi)銷(xiāo)包括了

面向偏壓溫度不穩(wěn)定性分析的即時(shí)V TH 測(cè)量

資源大?。?73.66KB

[摘要] 在微縮CMOS和精密模擬CMOS技術(shù)中對(duì)偏壓溫度不穩(wěn)定性——負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性（NBTI）和正偏壓溫度不穩(wěn)定性（PBTI）——監(jiān)測(cè)和控制的需求不斷增加。當(dāng)前 NBTI1 的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)將“測(cè)量間歇期的NBTI恢復(fù)”視為促進(jìn)可靠性研究人員不

用2602型數(shù)字源表對(duì)激光二極管模塊和VCSEL進(jìn)行高吞吐量直流生產(chǎn)測(cè)試

資源大?。?63.26KB

[摘要] 激光二極管（LD）和垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）是光通信、光譜學(xué)和許多其它應(yīng)用中的主要組成元件。隨著這些應(yīng)用需求日益增多，對(duì)基本元件的需求也在增長(zhǎng)。這要求更注重開(kāi)發(fā)準(zhǔn)確、經(jīng)濟(jì)有效的生產(chǎn)測(cè)試策略。

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