加入星計(jì)劃,您可以享受以下權(quán)益:

  • 創(chuàng)作內(nèi)容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴(kuò)散
  • 作品版權(quán)保護(hù)
  • 300W+ 專(zhuān)業(yè)用戶
  • 1.5W+ 優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
  • 5000+ 長(zhǎng)期合作伙伴
立即加入
  • 正文
    • 1.pn結(jié)和肖特基結(jié)的區(qū)別-結(jié)構(gòu)
    • 2.pn結(jié)和肖特基結(jié)的區(qū)別-工作原理
    • 3.pn結(jié)和肖特基結(jié)的區(qū)別-材料選擇
  • 推薦器件
  • 相關(guān)推薦
  • 電子產(chǎn)業(yè)圖譜
申請(qǐng)入駐 產(chǎn)業(yè)圖譜

pn結(jié)和肖特基結(jié)的區(qū)別

2023/12/15
1萬(wàn)
閱讀需 5 分鐘
加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

pn結(jié)和肖特基結(jié)半導(dǎo)體器件中常見(jiàn)的兩種結(jié)構(gòu)。它們?cè)陔娮訉W(xué)和電路設(shè)計(jì)中扮演著重要角色。本文將重點(diǎn)比較pn結(jié)和肖特基結(jié)之間的區(qū)別,包括結(jié)構(gòu)、工作原理、應(yīng)用領(lǐng)域等方面。

閱讀更多行業(yè)資訊,可移步與非原創(chuàng),從MCU發(fā)展史,看國(guó)產(chǎn)MCU崛起進(jìn)程、中國(guó)AIoT產(chǎn)業(yè)分析報(bào)告(2023版完整報(bào)告下載)、本土信號(hào)鏈芯片上市公司營(yíng)收top10 ? 等產(chǎn)業(yè)分析報(bào)告、原創(chuàng)文章可查閱。

1.pn結(jié)和肖特基結(jié)的區(qū)別-結(jié)構(gòu)

pn結(jié):pn結(jié)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體通過(guò)擴(kuò)散或外加電場(chǎng)形成的結(jié)構(gòu)組成。p型半導(dǎo)體區(qū)域富含正空穴(空位電子),而n型半導(dǎo)體區(qū)域富含自由電子。這種結(jié)構(gòu)形成了一個(gè)正向偏置下流動(dòng)的電子和空穴,以及反向偏置下阻止電流流動(dòng)的勢(shì)壘。

肖特基結(jié):肖特基結(jié)由金屬和半導(dǎo)體的接觸形成。金屬一般是具有低功函數(shù)的材料,例如鋁、銅等。半導(dǎo)體則可以是n型半導(dǎo)體或者p型半導(dǎo)體。金屬與半導(dǎo)體的接觸形成了一個(gè)勢(shì)壘,稱(chēng)為肖特基勢(shì)壘。

2.pn結(jié)和肖特基結(jié)的區(qū)別-工作原理

pn結(jié):當(dāng)pn結(jié)處于正向偏置時(shí),p區(qū)域中的空穴和n區(qū)域中的電子被推動(dòng)向勢(shì)壘,形成正向電流。當(dāng)pn結(jié)處于反向偏置時(shí),勢(shì)壘增強(qiáng),阻止了電子和空穴的流動(dòng)。

肖特基結(jié):肖特基結(jié)由金屬和半導(dǎo)體的接觸所形成,金屬的低功函數(shù)使得電子從金屬向半導(dǎo)體流動(dòng)。當(dāng)肖特基結(jié)處于正向偏置時(shí),電子從金屬注入到半導(dǎo)體中,形成正向電流。而在反向偏置下,勢(shì)壘增強(qiáng),減少了電子注入的可能性,形成了一個(gè)阻止電流的勢(shì)壘。

3.pn結(jié)和肖特基結(jié)的區(qū)別-材料選擇

pn結(jié):pn結(jié)一般是由同種材料的不同摻雜型號(hào)構(gòu)成,例如硅(Si)或者砷化鎵(GaAs)。通過(guò)控制材料的摻雜濃度和類(lèi)型,可以調(diào)節(jié)pn結(jié)的特性。

4.2 肖特基結(jié):

肖特基結(jié)的金屬部分通常使用具有低功函數(shù)的金屬,例如鋁、銅等。半導(dǎo)體部分可以是n型半導(dǎo)體或者p型半導(dǎo)體,例如硅(Si)、鍺(Ge)等。材料的選擇對(duì)肖特基結(jié)的特性和性能有重要影響。

4.pn結(jié)和肖特基結(jié)的區(qū)別-導(dǎo)通特性

pn結(jié):pn結(jié)在正向偏置下具有較低的電阻,因?yàn)樵趐區(qū)域和n區(qū)域之間形成了一個(gè)導(dǎo)電通道。而在反向偏置下,pn結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài),幾乎沒(méi)有電流通過(guò)。

肖特基結(jié):肖特基結(jié)在正向偏置下也具有較低的電阻,并且其導(dǎo)通特性與pn結(jié)相似。但是相比于pn結(jié),肖特基結(jié)的反向漏電流更小,因此在一些高速電路和低噪聲應(yīng)用中更受青睞。

5.pn結(jié)和肖特基結(jié)的區(qū)別-應(yīng)用領(lǐng)域

pn結(jié):pn結(jié)廣泛應(yīng)用于各種電子器件中,包括二極管、晶體管、光電二極管等。它們?cè)谡鳌⒎糯蟆?a class="article-link" target="_blank" href="/tag/%E5%BC%80%E5%85%B3/">開(kāi)關(guān)等方面起著重要作用。

肖特基結(jié):肖特基結(jié)主要應(yīng)用于高速和低功耗的電路中。由于其較小的反向漏電流和快速的開(kāi)關(guān)速度,肖特基二極管常被用于高頻電路、功率轉(zhuǎn)換器、射頻接收器等領(lǐng)域。此外,肖特基勢(shì)壘也可以用于制造肖特基柵場(chǎng)效應(yīng)管(Schottky-gate FET)。

6.性能比較

pn結(jié):

  • 優(yōu)點(diǎn):廣泛應(yīng)用,易于控制,具有良好的穩(wěn)定性和可靠性。
  • 缺點(diǎn):存在開(kāi)啟電壓和反向漏電流,導(dǎo)致能量損耗和功耗增加。

肖特基結(jié):

  • 優(yōu)點(diǎn):快速開(kāi)關(guān)速度,低反向漏電流,適用于高頻和低功耗電路。
  • 缺點(diǎn):較高的制造成本,可能受到溫度和電壓變化的影響。

推薦器件

更多器件
器件型號(hào) 數(shù)量 器件廠商 器件描述 數(shù)據(jù)手冊(cè) ECAD模型 風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) 參考價(jià)格 更多信息
BKP1005HS221-T 1 TAIYO YUDEN Ferrite Chip, 1 Function(s), 0.8A, ROHS COMPLIANT, EIA STANDARD PACKAGE 0402, 2 PIN

ECAD模型

下載ECAD模型
$0.1 查看
SIT8103AC-23-18E-33.33333X 1 SiTime Corporation OSC MEMS 33.33333MHZ LVCMOSLVTTL
$1.85 查看
STM32H750VBT6 1 STMicroelectronics High-performance and DSP with DP-FPU, Arm Cortex-M7 MCU with 128 Kbytes of Flash memory, 1MB RAM, 480 MHz CPU, L1 cache, external memory interface, JPEG codec, HW crypto, large set of peripherals

ECAD模型

下載ECAD模型
$27.62 查看

相關(guān)推薦

電子產(chǎn)業(yè)圖譜