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LDMOS技術(shù)可以制造高效率和高增益的FM發(fā)射機(jī)放大器。與雙極器件相比，LDMOS在增益、效率、線性度和偏置簡單性方面具有明顯的優(yōu)勢，降低了整個(gè)系統(tǒng)成本，使其成為對低成本射頻功率晶體管解決方案有需求的大容量企業(yè)所青睞的選擇。由于這些優(yōu)勢，LDMOS射頻功率晶體管如今已成為蜂窩基站功放業(yè)務(wù)的主要支柱。本次特性描述中使用的器件是STMicroelectronics的產(chǎn)品SD57045，它是一款側(cè)向電流雙擴(kuò)散MOS晶體管，在28V供電下可提供45W輸出功率。在DC到1 GHz范圍內(nèi)表現(xiàn)出色，非常適合各種應(yīng)用，尤其是高性能、低成本的FM驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
本應(yīng)用指南記錄了將低成本900 MHz蜂窩器件用作商業(yè)FM驅(qū)動(dòng)器的可行性。LDMOS技術(shù)的關(guān)鍵優(yōu)勢包括改進(jìn)的熱阻和降低的源輸出電感。不再需要與外部電路進(jìn)行線焊接連接（DMOS配置），因?yàn)?a class="article-link" target="_blank" href="/tag/%E8%8A%AF%E7%89%87/">芯片表面的源極通過高度摻雜的p型區(qū)域擴(kuò)散連接到襯底。因此，由于其高fT和較低的反饋電容和減少的源電感，LDMOS具有出色的高頻響應(yīng)和較高的增益。LDMOS結(jié)構(gòu)的另一個(gè)優(yōu)勢是不再需要毒性電絕緣體鈹氧化物（BeO）來隔離DMOS晶體管的漏極。因此，不僅熱阻得到改善，還大大降低了封裝成本和環(huán)境影響。最后，在LDMOS中，寄生雙極已經(jīng)被抵消，保證了良好的耐用性、效率和高電流處理能力。
下載ECAD模型
