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MRF6P23190HR6 2 x W-CDMA橫向N溝道射頻功率MOSFET

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專為頻率從2300到2300的CDMA基站應(yīng)用而設(shè)計(jì)2400兆赫。適用于WiMAX、WiBro和多載波放大器應(yīng)用。適用于WLL應(yīng)用的AB類和C類。

  • 典型的雙載波W-CDMA性能：VDD=28伏，IDQ=1900毫安，Pout=40瓦特平均值，f=2390 MHz，信道帶寬=3.84 MHz，標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)=8.5 dB@0.01%概率在CCDF上。功率增益14 dB排水效率23.5%，在3.84 MHz信道帶寬下，IM3@10 MHz偏移量為-37.5 dBc，在3.84 MHz信道帶寬下，5 MHz偏移時(shí)的ACPR為-41 dBc
  • 能夠處理10:1 VSWR，@28 Vdc，2340 MHz，190瓦CW輸出功率

特征

  • 以串聯(lián)等效大信號(hào)阻抗參數(shù)為特征
  • 內(nèi)部匹配，易于使用
  • 最高32 VDD操作合格
  • 集成ESD保護(hù)
  • 專為低內(nèi)存效應(yīng)和寬瞬時(shí)帶寬而設(shè)計(jì)應(yīng)用
  • 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
  • 磁帶和卷軸。R6后綴=每56毫米13英寸卷軸150個(gè)單位。
恩智浦

恩智浦

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實(shí)現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實(shí)現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。收起

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