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MRFE6VP5600HR6、MRFE6VP5600HSR6側(cè)向N溝道寬帶射頻功率MOSFET

2023/04/25
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射頻功率場效應(yīng)晶體管、高強度N-溝道、增強型側(cè)向MOSFET,這些高強度器件專為高VSWR工業(yè)(包括激光和等離子激勵器)、廣播(模擬和數(shù)字)、航空航天和無線電/陸地移動應(yīng)用而設(shè)計。它們具有無與倫比的輸入和輸出設(shè)計,可在1.8至600 MHz的寬頻段范圍內(nèi)使用。

特點

? 無與倫比的輸入和輸出設(shè)計,可在寬頻段范圍內(nèi)使用

? 該器件可以單端或推挽配置使用

? 最大50 VDD操作

? 從30 V到50 V范圍進行特征化,擴展功率范圍

? 適合線性應(yīng)用,并配以適當(dāng)?shù)钠?/p>

? 集成ESD保護,具有更大的負(fù)柵源電壓范圍,以改善C類操作

? 通過串聯(lián)等效大信號阻抗參數(shù)進行特征化

? 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

? 帶卷筒帶和卷盤。R6后綴= 150個裝置,56毫米帶寬,13英寸卷筒。 有關(guān)R5帶卷筒選項,請參見第12頁。

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器件型號 數(shù)量 器件廠商 器件描述 數(shù)據(jù)手冊 ECAD模型 風(fēng)險等級 參考價格 更多信息
TSW-103-07-T-S 1 Samtec Inc Board Connector, 3 Contact(s), 1 Row(s), Male, Straight, 0.1 inch Pitch, Solder Terminal, Black Insulator, Receptacle, ROHS COMPLIANT

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5019301100 1 Molex 1.25MM WTB CRIMP TERM MALE

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恩智浦

恩智浦

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。收起

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