射頻功率場效應(yīng)晶體管、高強度N-溝道、增強型側(cè)向MOSFET,這些高強度器件專為高VSWR工業(yè)(包括激光和等離子激勵器)、廣播(模擬和數(shù)字)、航空航天和無線電/陸地移動應(yīng)用而設(shè)計。它們具有無與倫比的輸入和輸出設(shè)計,可在1.8至600 MHz的寬頻段范圍內(nèi)使用。
特點
? 無與倫比的輸入和輸出設(shè)計,可在寬頻段范圍內(nèi)使用
? 該器件可以單端或推挽配置使用
? 最大50 VDD操作
? 從30 V到50 V范圍進行特征化,擴展功率范圍
? 適合線性應(yīng)用,并配以適當(dāng)?shù)钠?/p>
? 集成ESD保護,具有更大的負(fù)柵源電壓范圍,以改善C類操作
? 通過串聯(lián)等效大信號阻抗參數(shù)進行特征化
? 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
? 帶卷筒帶和卷盤。R6后綴= 150個裝置,56毫米帶寬,13英寸卷筒。 有關(guān)R5帶卷筒選項,請參見第12頁。