RF功率LDMOS晶體管、高耐用性N型增強模式側(cè)向MOSFET,設(shè)計用于頻率在136至520 MHz之間的移動對講無線電應用。這些器件具有高增益、耐用性和寬帶性能,使其成為移動無線電設(shè)備中大信號共源放大器應用的理想選擇。
特點
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RF功率LDMOS晶體管、高耐用性N型增強模式側(cè)向MOSFET,設(shè)計用于頻率在136至520 MHz之間的移動對講無線電應用。這些器件具有高增益、耐用性和寬帶性能,使其成為移動無線電設(shè)備中大信號共源放大器應用的理想選擇。
特點
器件型號 | 數(shù)量 | 器件廠商 | 器件描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | ECAD模型 | 風險等級 | 參考價格 | 更多信息 |
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0532610471 | 1 | Molex | Board Connector, 4 Contact(s), 1 Row(s), Male, Right Angle, Surface Mount Terminal, ROHS COMPLIANT |
ECAD模型 下載ECAD模型 |
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$1.34 | 查看 | |
CRCW06034K70FKEAC | 1 | Vishay Intertechnologies | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.1W, 4700ohm, 75V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP |
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$0.08 | 查看 | |
2N7002WT1G | 1 | onsemi | Small Signal MOSFET?60 V, 340 mA, Single, N?Channel, SC?70, SC-70 (SOT-323) 3 LEAD, 3000-REEL |
ECAD模型 下載ECAD模型 |
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$0.23 | 查看 |
12/16 16:38
12/16 15:51
12/16 15:20
12/16 14:13
10/26 09:45
10/26 09:41
10/26 09:38
10/25 09:39
10/24 13:38
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10/24 12:58
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