MRFE6VP61K25N，MRFE6VP61K25GN 寬帶射頻功率LDMOS晶體管數(shù)據(jù)手冊

2023/04/25

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射頻功率LDMOS 晶體管高韌性N溝道增強型橫向MOSFET?這些高韌性器件設(shè)計用于高駐波比的工業(yè)、醫(yī)療、廣播、航空航天和移動無線電應(yīng)用。其無與倫比的輸入和輸出設(shè)計允許從1.8到600 MHz的廣泛頻率范圍使用。

特點

無與倫比的輸入和輸出，可實現(xiàn)廣泛頻率范圍的利用
設(shè)備可單端使用或采用推挽配置
最大50 VDD操作的合格化
在30到50 V范圍內(nèi)進行特性化，以擴展功率范圍
適用于具有適當偏置的線性應(yīng)用
集成ESD保護，具有更大的負柵源電壓范圍，以改善C類操作
使用系列等效大信號阻抗參數(shù)進行特性化
推薦驅(qū)動器：AFT05MS004N（4 W）或MRFE6VS25N（25 W）

推薦器件

更多器件

器件型號	數(shù)量	器件廠商	器件描述	ECAD模型	參考價格	更多信息
VLS6045EX-220M-H	1	TDK Corporation	General Purpose Inductor,	ECAD模型下載ECAD模型	$0.52	查看
1N4148WT	1	Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd	Rectifier Diode,		$0.07	查看
46014-0404	1	Molex	Board Connector, 4 Contact(s), 1 Row(s), Male, Straight, Solder Terminal,	ECAD模型下載ECAD模型	$0.99	查看

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恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。