氮化鎵（GaN）手機(jī)快充方案

一、氮化鎵（GaN）器件介紹：

GaN器件分為兩種類型：

耗盡型：耗盡型GaN晶體管常態(tài)下是導(dǎo)通的，為了使它截止必須在源漏之間加一個(gè)負(fù)電壓。

增強(qiáng)型：增強(qiáng)型GaN晶體管常態(tài)下是截止的，為了使它導(dǎo)通必須在源漏之間加一個(gè)正電壓。

GaN VS MOSFET：

他們的關(guān)鍵參數(shù)都是導(dǎo)通電阻和擊穿電壓。GaN的導(dǎo)通電阻非常低，這使得靜態(tài)功耗顯著降低，提高了效率。GaN FET的結(jié)構(gòu)使其輸入電容非常低，提高了開(kāi)關(guān)速度。意味著GaN具有更高的效率，并可以使用更少的電磁學(xué)和被動(dòng)元件。

二、手機(jī)快充介紹：

能在極短的時(shí)間內(nèi)（0.5-1Hr）使手機(jī)電池達(dá)到或接近完全充電狀態(tài)的一種充電方法。

實(shí)現(xiàn)手機(jī)快速充電方法：

1.電壓不變，提高電流；

2.電流不變，提升電壓；

3.電壓、電流均提高。

手機(jī)快速充電技術(shù)目前分為“高壓小電流快充”和“低壓大電流快充”兩種方案。VOOC閃充和Dash閃充屬于后者“低壓大電流快速充電”?？焖俪潆妼?duì)手機(jī)電池的壽命沒(méi)有影響，現(xiàn)在的電池都可以承受大電流。

三、氮化鎵（GaN）快充：

氮化鎵（GaN）快充在已有的快充技術(shù)上通過(guò)改用氮化鎵（GaN）核心器件，將手機(jī)快速充電器做到功率更大、體積更小、充電速度更快。

氮化鎵（GaN）快充方案包含兩個(gè)部分，充電器部分和電源管理部分

充電器部分：充電管理芯片根據(jù)鋰電池充電過(guò)程的各個(gè)階段的電器特性，向充電器發(fā)出指令，通知充電器改變充電電壓和電流，而充電器接收到來(lái)自充電管理系統(tǒng)的需求，實(shí)時(shí)調(diào)整充電器的輸出參數(shù)，配合充電管理系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)快速充電。

電源管理部分：相應(yīng)的芯片置于移動(dòng)智能終端內(nèi)，有獨(dú)立的電源管理芯片，也有的直接集成在手機(jī)套片中，電源管理芯片對(duì)鋰電池的整個(gè)充電過(guò)程實(shí)施管理和監(jiān)控，包含了復(fù)雜的處理算法，鋰電池充電包括幾個(gè)階段：預(yù)充階段、恒流充電階段，恒壓充電階段、涓流充電階段。

轉(zhuǎn)載自唯樣電子資訊。