此設(shè)計方案實現(xiàn)了一款數(shù)兆赫茲功率級設(shè)計

描述

此參考設(shè)計基于 LMG1210 半橋 GaN 驅(qū)動器和 GaN 功率的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，實現(xiàn)了一款數(shù)兆赫茲功率級設(shè)計。憑借高效的開關(guān)和靈活的死區(qū)時間調(diào)節(jié)，此參考設(shè)計不僅可以顯著改善功率密度，同時還能實現(xiàn)良好的效率和較寬的控制帶寬。此功率級設(shè)計可廣泛應(yīng)用于眾多需要快速響應(yīng)的空間受限型應(yīng)用，例如 5G 電信電源、服務(wù)器和工業(yè)電源。

特性

基于 GaN 的緊湊型功率級設(shè)計，具有高達 50MHz 的開關(guān)頻率

適用于高側(cè)和低側(cè)的彼此獨立的 PWM 輸入，或具有可調(diào)節(jié)死區(qū)時間的單一 PWM 輸入

最小脈沖寬度為 3ns

300V/ns 的高壓擺率抗擾性

驅(qū)動器 UVLO 和過熱保護