華為哈勃投資入股，半導(dǎo)體廠商源杰科技再上科創(chuàng)板

2月11日，在短暫中止陜西源杰半導(dǎo)體科技股份有限公司（以下簡稱“源杰科技”）發(fā)行上市審核后，上交所再次恢復(fù)了該公司科創(chuàng)板IPO發(fā)行上市審核。

上交所網(wǎng)站顯示，目前，源杰科技科技的審核狀態(tài)為“已受理”。

持股4.36%，華為旗下哈勃投資入股

資料顯示，源杰科技成立于2013年，主要聚焦于光芯片行業(yè)，主營業(yè)務(wù)為光芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售，主要產(chǎn)品包括2.5G、10G和25G及更高速率激光器芯片系列產(chǎn)品等，目前主要應(yīng)用于光纖接入、4G/5G移動通信網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。

自成立以來，源杰科技進(jìn)行了多次股權(quán)轉(zhuǎn)讓和增資。其中，在2020年9月23日的股權(quán)轉(zhuǎn)讓及增資中，華為旗下投資平臺哈勃投資以62.4元/注冊資本的價(jià)格受讓了源杰科技100.96萬元的注冊資本，同時(shí)以66.56元/注冊資本的價(jià)格向源杰科技增資2000萬元。

據(jù)披露，在本次發(fā)行前，哈勃投資對源杰科技的持股比例為4.36%，本次發(fā)行后，持股比例將稀釋為3.27%。

值得一提的是，源杰科技不僅獲得了華為的投資，同時(shí)雙方還和博創(chuàng)科技共同擁有發(fā)明專利《一種10G抗反射分布反饋式激光器》和實(shí)用新型專利《一種10G抗反射激光器及其制備工藝》專利。其中合作方華為負(fù)責(zé)協(xié)助系統(tǒng)測試，博創(chuàng)科技負(fù)責(zé)進(jìn)行模塊級別測試。

目前，源杰科技已實(shí)現(xiàn)向客戶海信寬帶、中際旭創(chuàng)、博創(chuàng)科技、銘普光磁等國際前十大及國內(nèi)主流光模塊廠商批量供貨，產(chǎn)品用于客戶A、中興通訊、諾基亞等國內(nèi)外大型通訊設(shè)備商。

9.8億元加速光芯片業(yè)務(wù)研發(fā)

報(bào)告期內(nèi)（2018年-2021年6月30日），源杰科技營業(yè)收入分別為7041.11萬元、8131.23萬元、2.33億元和8751.34萬元，源杰科技表示，公司2020年度營業(yè)收入規(guī)模迅速增長，主要系在5G政策推動下，下游市場對公司的25G激光器芯片系列產(chǎn)品需求量大幅增長所致。

招股說明書顯示，源杰科技此次擬募集資金9.8億元，將主要用于10G、25G光芯片產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目、50G光芯片產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目、研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目以及補(bǔ)充流動資金。

源杰科技表示，本次募集資金投資項(xiàng)目是公司在現(xiàn)有主營業(yè)務(wù)的基礎(chǔ)上結(jié)合未來市場需求，在光芯片產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)體系上的進(jìn)一步延拓。其中，“10G、25G光芯片產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”將有助于解決公司目前所面臨的10G、25G光芯片產(chǎn)線緊缺及產(chǎn)能受限的問題；“50G光芯片產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目”將助50G高速光芯片的批量生產(chǎn)，推動國產(chǎn)化進(jìn)程。

與此同時(shí)，源杰科技還在加速研發(fā)下一代激光器芯片產(chǎn)品，并積極拓展光芯片在其他領(lǐng)域的應(yīng)用。據(jù)披露，該公司在光通信領(lǐng)域已著手50G、100G高速率激光器芯片產(chǎn)品以及硅光直流光源大功率激光器芯片產(chǎn)品的商用推進(jìn)，力圖實(shí)現(xiàn)在高端激光器芯片產(chǎn)品的特性及可靠性方面對美、日壟斷企業(yè)的全面對標(biāo)。