長江存儲64層3D閃存芯片量產(chǎn)在即，國產(chǎn)芯片替代趨勢下還存在哪些挑戰(zhàn)？

近日，與非網(wǎng)獲悉，紫光集團(tuán)旗下的長江存儲計(jì)劃于今年年底前投入 64 層 3D 閃存的量產(chǎn)工作。其中風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)預(yù)計(jì)三季度啟動，目前良率已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了顯著爬升。

64 層芯片量產(chǎn)后，長江存儲的主要精力將轉(zhuǎn)移到 128 層上，后者有望在 2020 年大規(guī)模投產(chǎn)。

報(bào)道稱，此前，采用長江存儲閃存生產(chǎn)的 SSD 由紫光存儲負(fù)責(zé)經(jīng)銷。目前長江存儲正與紫光集團(tuán)溝通，希望能夠獲得 SSD、UFS 存儲芯片等產(chǎn)品的品牌建設(shè)和自主經(jīng)營權(quán)。

?

此前，長江存儲 / 紫光集團(tuán)已經(jīng)和深圳江波龍（Longsys）建立合作，計(jì)劃打造高度國產(chǎn)化甚至完全國產(chǎn)化的存儲設(shè)備。

長江存儲是國內(nèi)三大存儲芯片陣營中主攻 NAND 閃存的公司，去年小規(guī)模生產(chǎn)了 32 層堆棧的 3D NAND 閃存，還在前不久 CITE2019 上展示了使用長江存儲的 32 層 3D NAND 閃存的企業(yè)級 P8260 硬盤。

但是，公司 CTO 程衛(wèi)華表示，長江存儲并不打算大規(guī)模生產(chǎn) 32 層堆棧的 3D NAND 閃存，因此計(jì)劃于今年下半年直接量產(chǎn) 64 層堆棧的 3D NAND 閃存，目前進(jìn)展順利，暫時(shí)沒有障礙。

縱觀國際閃存巨頭，三星、SK Hynix、美光占據(jù)近乎 90%的存儲市場，目前大多正在使用 90 層堆棧的 3D NAND 閃存。SK Hynix、美光計(jì)劃今年開始大規(guī)模生產(chǎn) 96 層堆棧 3D NAND 閃存，三星則計(jì)劃在今年下半年推 100 層堆棧的 NAND 閃存。

如果長江存儲今年年底能夠成功量產(chǎn) 64 層堆棧的 3D NAND 閃存，那么與三星等國際存儲巨頭公司技術(shù)差距可以縮小到 2 年左右。

最重要的是，人們擔(dān)心一旦長江存儲進(jìn)入 NAND 閃存領(lǐng)域所帶來的影響，因?yàn)?NAND 閃存降價(jià)會比預(yù)期更多。

從總體而言，與 DRAM 領(lǐng)域不同，長江存儲在 NAND 領(lǐng)域取得了一些進(jìn)展。如果今年下半年量產(chǎn) 64 層堆棧 NAND 閃存，在國產(chǎn)替代和政策要求的趨勢下，中國智能手機(jī)及 PC 制造商可能將采用國產(chǎn) NAND 閃存。如果出現(xiàn)這種情況，將影響 NAND 業(yè)務(wù)的盈利能力，這也是三星、東芝、美光、SK Hynix 及其他 NAND 廠商擔(dān)心的問題。

但是面對差距，長江存儲想要改變內(nèi)存行業(yè)一直被三巨頭壟斷的現(xiàn)狀，還存在諸多挑戰(zhàn)：

• 還沒大規(guī)模量產(chǎn) 32 層堆棧的 3D NAND 閃存，是否能夠大規(guī)模量產(chǎn) 64 層堆棧的 3D NAND 閃存？產(chǎn)能問題如何解決？

• 閃存市場價(jià)格呈下跌態(tài)勢，長江存儲如何應(yīng)對市場環(huán)境和趨勢？

• 國產(chǎn)內(nèi)存工藝相對落后，面對 2 年左右的技術(shù)差距，又該如何追趕？

以上因素都是長江存儲或國產(chǎn)內(nèi)存廠商無法逃避的問題，挑戰(zhàn)仍在，任重道遠(yuǎn)。

與非網(wǎng)原創(chuàng)內(nèi)容，未經(jīng)許可，不得轉(zhuǎn)載！