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電離輻射如x射線和γ射線已被廣泛研究和應(yīng)用于醫(yī)學(xué)成像、射線無損檢測(cè)、科學(xué)研究等各個(gè)領(lǐng)域。

因此，用高靈敏度和低成本的材料和設(shè)備來檢測(cè)這種高能輻射是非常重要的。鹵化物鈣鈦礦與商業(yè)硅(Si)和非晶硒(a-Se)相比，具有光吸收系數(shù)大、電阻率大、漏電流小、遷移率高、合成和加工簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，成為輻射探測(cè)的有希望的候選者。

基于鈣鈦礦體系的射線探測(cè)器相比傳統(tǒng)探測(cè)器具有以下幾個(gè)主要優(yōu)勢(shì)：

高靈敏度：全無機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦具有高 X 射線衰減系數(shù)，能夠有效吸收例如 X 射線，提高探測(cè)靈敏度。
直接轉(zhuǎn)換：鈣鈦礦材料可以直接將 X 射線轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，避免了間接探測(cè)器中的二次光電轉(zhuǎn)換，從而提高了光電轉(zhuǎn)換效率。
高空間分辨率：由于直接轉(zhuǎn)換的特性，鈣鈦礦 X 射線探測(cè)器可以實(shí)現(xiàn)更高的空間分辨率。
低輻射劑量：高靈敏度意味著可以在較低的 X 射線劑量下獲得清晰圖像，有利于降低輻射風(fēng)險(xiǎn)。
優(yōu)良的載流子傳輸性能：鈣鈦礦材料具有高載流子遷移率和長(zhǎng)載流子壽命，有利于提高探測(cè)效率。
材料穩(wěn)定性：全無機(jī)鈣鈦礦相比有機(jī) - 無機(jī)雜化鈣鈦礦具有更好的穩(wěn)定性。
可調(diào)控性：鈣鈦礦材料的組分和結(jié)構(gòu)可以靈活調(diào)控，以適應(yīng)不同的應(yīng)用需求。
制備工藝簡(jiǎn)單：相比傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料，鈣鈦礦材料可以通過溶液法等簡(jiǎn)單工藝制備，有利于降低成本和實(shí)現(xiàn)大面積制備。

基于鈣鈦礦體系的研究主要包括材料開發(fā)、電極工程、能帶工程等開展，目標(biāo)為了研發(fā)出靈敏度更高、檢測(cè)極限更低、響應(yīng)時(shí)間更快的器件。同時(shí)也在大面積工藝制備方面研究，提高穩(wěn)定性和良率，并且做到環(huán)境友好無污染，不斷降低成本，加速商用化進(jìn)程。

Tektronix/Keithley 提供了專業(yè)高精度的電測(cè)儀器，廣泛的應(yīng)用于鈣鈦礦體系的研究中，其中6514/6517B，用于暗電流的測(cè)量，可對(duì)器件進(jìn)行不同的偏壓激勵(lì)，暗電流測(cè)試精度可達(dá)到 aA 量級(jí)；傳統(tǒng)的鈣鈦礦 Qe、開路電壓、電路電流等可以利用光伏模擬系統(tǒng)測(cè)量基本參數(shù)，利用 2450 系列的源表對(duì)全部電參數(shù)進(jìn)行測(cè)試；在大規(guī)模鈣鈦礦探測(cè)器陣列的研究中，還提供了 2612B 和 3706，實(shí)現(xiàn)對(duì)陣列單元的尋址和高精度光生電流的探測(cè)，為大規(guī)模成像芯片提供設(shè)計(jì)架構(gòu)和性能的充分驗(yàn)證。

案例一：異質(zhì)外延鈍化 Cs2AgBiBr6 晶片以抑制離子遷移，用于 X 射線成像

x 射線探測(cè)器廣泛應(yīng)用于醫(yī)學(xué)成像和產(chǎn)品檢測(cè)。鈣鈦礦的鹵化物在直接 x 射線探測(cè)中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能。然而 , 離子遷移引起較大的噪聲和基線漂移，限制了檢測(cè)和成像性能。該文的工作通過引入氧化溴化鉍 (BiOBr) 作為異質(zhì)外延鈍化層制備 (Cs2AgBiBr6) 多晶片，抑制離子遷移。

該案例中采用 6517B 對(duì)器件噪聲即暗電流進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)，如圖 e，為器件極限性能提供了充足的測(cè)試余量，確保新器件的性能的精確表征（器件噪聲密度距離 6517B 實(shí)際噪聲密度有 6 個(gè)數(shù)量級(jí)）。

案例二：通過蒸氣沉積法制備的鈣鈦礦光電探測(cè)器交叉陣列，用于動(dòng)態(tài)成像

光電探測(cè)器 crossbar 陣列的特性: 對(duì)于靜態(tài)成像，該陣列通過多通道掃描系統(tǒng)進(jìn)行了測(cè)試。Keithley 3706A開關(guān)卡 (Keithley 3730矩陣卡)用于選擇行和列以確定要測(cè)試的像素，Keithley 2612B源表用于測(cè)量電流與電壓特性。