200億芯片獨角獸，闖關(guān)IPO有多難？

作者 | 王藝可，報道 I 芯潮 IC

又一個芯片明星獨角獸奔赴IPO了。

近日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）向港交所遞交招股書，擬主板IPO上市，中金公司、招銀國際為其聯(lián)席保薦人。

這是一只來自第三代半導(dǎo)體賽道的超強獨角獸。英諾賽科成立于2017年，全球首家實現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵（GaN）晶圓的公司，也同時是全球唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品的公司。今年，英諾賽科完成了E輪融資，投后估值達235億元，成功躋身超級獨角獸行列。

隨著AI熱度居高不下，氮化鎵在功耗處理的優(yōu)勢得以凸顯，商業(yè)價值也逐步展現(xiàn)。在英諾賽科開啟上市征途的同時，氮化鎵（GaN）賽道的資本動作頻頻。除了融資、上市以外，氮化鎵領(lǐng)域的頭部玩家也在開展收并購動作，進一步完善自身產(chǎn)業(yè)布局。英諾賽科的IPO之路需要沖破哪些阻礙？氮化鎵熱度將會出現(xiàn)多久？

女科學家歸國創(chuàng)業(yè)，7年做出一個世界第一

這是一位鐵娘子勇闖半導(dǎo)體無人區(qū)的故事。

駱薇薇畢業(yè)于新西蘭梅西大學，獲得了應(yīng)用數(shù)學博士學位。在海外工作期間，她曾在美國宇航局（NASA）工作15年，從高級項目經(jīng)理一直干到了首席科學家。離開NASA后，她選擇了創(chuàng)業(yè)，先后創(chuàng)辦了兩家以新材料為核心業(yè)務(wù)的公司。

2015年，適逢半導(dǎo)體領(lǐng)域回國創(chuàng)業(yè)的風潮，駱薇薇一下子瞄準了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展機遇，便毅然決然回國組建團隊。2017年，駱薇薇成立英諾賽科半導(dǎo)體有限公司，開啟第三段創(chuàng)業(yè)游戲。

在這場“游戲”開始之前，駱薇薇便主動選擇了超難開局。氮化鎵(GaN)是一種具有高頻率和低導(dǎo)通電阻的寬帶隙半導(dǎo)體材料，已成為功率半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)變革的核心。2014年，世界上最早的氮化鎵充電芯片出現(xiàn)，讓駱薇薇看到了這個市場的潛力。

可是，當時的氮化鎵尚且沒有大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用，很多企業(yè)大多選用6英寸或者4英寸工藝，而駱薇薇卻帶領(lǐng)著英諾賽科選擇8英寸工藝。相較于6英寸硅基氮化鎵晶圓，8英寸的晶圓晶粒產(chǎn)出數(shù)增加80%，單一器件成本降低30%。但不得不承認，這是一件許多內(nèi)行都不敢做的事情。

在她看來，經(jīng)驗不該成為發(fā)展的瓶頸和壁壘?！叭绻X得它是可行的，你一只來自第三代半導(dǎo)體賽道的超強獨角獸的感官和智慧都會為之敞開，你會找到路徑去做。對于在‘無人區(qū)’中探索，我好像沒有那么多的恐懼心理，我會去判斷這個事情在執(zhí)行層面的可行性，再根據(jù)邏輯一步一步把它完成?！?/p>

駱薇薇的解題思路很清晰：如果氮化鎵功率電子器件在市場上要進行大規(guī)模推廣，需要解決三個痛點：

首先是成本，具備合理的價格才能被廣泛采用。其次是具備大規(guī)模量產(chǎn)能力，以應(yīng)對市場的爆發(fā)。第三，要確保器件供應(yīng)鏈穩(wěn)定，有了穩(wěn)定的貨源供應(yīng)，客戶可以全心全意投入產(chǎn)品和系統(tǒng)的開發(fā)，無需擔心因氮化鎵器件供應(yīng)戰(zhàn)略的變化而導(dǎo)致停產(chǎn)。

英諾賽科建設(shè)自主可控的生產(chǎn)線，穩(wěn)定GaN 器件的產(chǎn)能，并全力以赴推廣氮化鎵功率電子器件。目前，英諾賽科擁有珠海及蘇州兩座8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)基地，采用先進的生產(chǎn)工藝及最先進的8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)設(shè)備。擁有來自國際一流半導(dǎo)體企業(yè)的技術(shù)專家和資深人士，保障了產(chǎn)品的質(zhì)量與產(chǎn)能。

同時，英諾賽科加大力度提升氮化鎵功率半導(dǎo)體在多個下游產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用滲透率，并鞏固在消費電子市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。此外，英諾賽科持續(xù)研發(fā)更多元化的產(chǎn)品技術(shù)，以滿足客戶多樣化的需求。

一路走來，英諾賽科成為全球首家實現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓的公司，亦是全球唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品的公司。根據(jù)弗若斯特沙利文的資料，按2023年收入計算，英諾賽科在全球所有氮化鎵功率半導(dǎo)體公司中排名第一，占氮化鎵功率半導(dǎo)體行業(yè)市場份額的33.7%。

打破技術(shù)封鎖，英諾賽科帶著全球第一的光環(huán)，走向了資本市場。

虧損超30億，他如何做到世界第一

明星獨角獸沖擊IPO的故事，再也不是爽文劇本，英諾賽科最后能夠走向happy ending的結(jié)局嗎？

英諾賽科勇闖IPO的底氣來自于哪里？首先，英諾賽科一成立便選用了IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，可以實現(xiàn)從設(shè)計、制造到測試的整個過程的自主控制。如今，公司成為全球唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供電壓譜系的硅基氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品的公司，擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產(chǎn)能力。

英諾賽科擁有全球最大的氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，截至2023年12月31日，設(shè)計產(chǎn)能達到每月10,000片晶圓。憑借自身量產(chǎn)的能力，英諾賽科得以在全球市場占有一席之地。按氮化鎵分立器件出貨量統(tǒng)計，英諾賽科2023年在全球氮化鎵功率半導(dǎo)體公司中排名第一，市占率達42.4%。

產(chǎn)能在一定程度上可以與營收掛鉤。招股書顯示，2021年、2022年及2023年，英諾賽科實現(xiàn)收入分別是6821.5萬元、1.36億元、5.93億元，呈現(xiàn)持續(xù)倍增態(tài)勢。

但公司連年虧損也是客觀事實。招股書顯示，2021—2023年，英諾賽科的凈利潤分別虧損了33.99億元、22.05億元、11.02億元，三年合計凈虧損67.06億元；經(jīng)調(diào)整的凈利潤則分別虧損10.81億元、12.77億元、10.16億元，累計虧損33.74億元。

這應(yīng)該是IDM企業(yè)的通病。IDM半導(dǎo)體企業(yè)是資產(chǎn)密集型發(fā)展模式，前期資本開支巨大，盈利周期較長。英諾賽科的資金除了研發(fā)，大多用于工廠建設(shè)、設(shè)備投入等。招股書顯示，英諾賽科報告期內(nèi)產(chǎn)生的運營開支(包括研發(fā)開支、銷售及營銷開支及行政開支)分別為8.69億元、8.5億元及6.86億元，分別占各期總收入的1274.25%、623.94%及115.72%。

不過，IDM模式的優(yōu)勢可以實現(xiàn)成本的有效管控，讓英諾賽科能夠以更具競爭力的價格策略立足市場，形成難以復(fù)制的競爭優(yōu)勢。從市場環(huán)境和長遠發(fā)展來看，英諾賽科的高額投入十分重要。

但對于英諾賽科來說，如何證明自身盈利能力十分重要。從潛在市場來看，英諾賽科需要朝著更為廣闊的市場開足馬力。

目前，英諾賽科設(shè)計、開發(fā)及制造提供不同封裝選擇的高性能及可靠的氮化鎵分立器件，用于各種低中高壓應(yīng)用場景，產(chǎn)品研發(fā)范圍覆蓋了從15V至1,200V。此外，英諾賽科還開發(fā)了旗艦產(chǎn)品雙向氮化鎵芯片V-GaN系列，可應(yīng)用于消費電子、工業(yè)應(yīng)用等多個領(lǐng)域。

在消費電子領(lǐng)域，英諾賽科已經(jīng)與小米、OPPO、vivo、榮耀、聯(lián)想等廠商建立合作關(guān)系，并開始拓展汽車和可再生領(lǐng)域等版圖。英諾賽科于2024年正式推出100V車規(guī)級氮化鎵器件INN100W135A-Q，已通過AEC-Q101認證，適用于自動駕駛和先進駕駛輔助系統(tǒng)中的激光雷達、高功率密度DC-DC轉(zhuǎn)換器以及D類音頻應(yīng)用。隨著新能源汽車等優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)的興起，英諾賽科需要及時抓住市場機遇，展現(xiàn)出自身市場的持續(xù)拓展能力。

此外，英諾賽科還要積極走向海外，提升全球影響力。招股書顯示，英諾賽科業(yè)務(wù)過于依賴國內(nèi)單一市場，海外市場滲透率較低。意識到這一問題后，英諾賽科在硅谷、首爾、比利時等地設(shè)立子公司。2023年，英諾賽科的海外市場收入從2021年的20萬元增長到5800萬元，營收占比從2021年的0.3%上升至9.8%。

當中國企業(yè)跑到全球市場廝殺，勢必會受到巨頭的反擊。捆綁銷售、專利糾紛都是他們的常用競爭手段。招股書顯示，英諾賽科的若干產(chǎn)品潛在知識產(chǎn)權(quán)侵權(quán)，被兩名競爭對手提出三項訴訟。目前，所有訴訟事項仍處于相對較早階段。

而這也為英諾賽科沖擊IPO造成了一定阻礙。8月12日，證監(jiān)會國際司對英諾賽科出具補充材料要求，公司知識產(chǎn)權(quán)相關(guān)未決訴訟情況及進展，是否構(gòu)成本次發(fā)行上市實質(zhì)性法律障礙。

英諾賽科能否順利IPO敲鐘尚且是個未知數(shù)。但全球?qū)Ω咝?、低能耗半?dǎo)體技術(shù)需求的不斷增長，以英諾賽科為代表的氮化鎵廠商迎來了前所未有的發(fā)展機遇。

產(chǎn)能釋放疊加市場增長并購大戰(zhàn)開啟

半導(dǎo)體周期的持續(xù)時長通常為3-5年，目前正處于第5輪周期的上行期間，誰能沖出來、如何沖出來都是一個值得探究的問題。

氮化鎵雖然起步不如碳化硅，但增長勢頭正酣。根據(jù)QYR（恒州博智）的統(tǒng)計及預(yù)測，2023年全球氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體器件市場銷售額達到了12.81億美元，預(yù)計2030年將達到54.3億美元，年復(fù)合增長率（CAGR）為23.3%（2024-2030）。

與硅及其他半導(dǎo)體材料相比，氮化鎵具有高頻、電子遷移率高、輻射抗性強、導(dǎo)通電阻低、無反向恢復(fù)損耗等顯著優(yōu)勢，氮化鎵功率半導(dǎo)體芯片能夠有效降低電源的能量損耗，提升能源轉(zhuǎn)換效率，降低系統(tǒng)成本，并實現(xiàn)更小的設(shè)備尺寸。各種下游應(yīng)用中的發(fā)展趨勢及當前硅材料產(chǎn)品的痛點為氮化鎵功率半導(dǎo)體帶來巨大增長潛力。

高頻應(yīng)用中，氮化鎵的性能其實還是比碳化硅優(yōu)秀，在高溫高壓應(yīng)用，碳化硅優(yōu)于氮化鎵。因此，氮化鎵和碳化硅的實際應(yīng)用中分工比較明確，互不干涉。于是，氮化鎵基于自身特性，在消費電子、新能源汽車、5G通信等領(lǐng)域的市場價值持續(xù)提升。

目前，氮化鎵下游應(yīng)用還處于導(dǎo)入期，市場競爭總體呈現(xiàn)分散狀態(tài)，尚未形成穩(wěn)定的競爭格局。2023年全球前5大氮化鎵功率半導(dǎo)體公司占據(jù)了全球92.8%的市場份額，分別為英諾賽科（Innoscience）、納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）、Wolfspeed、宜普（EPC）和英飛凌（Infineon）。

混沌之際，正是英雄出沒的時候。因此，勇于突破和創(chuàng)新的企業(yè)可以沖出來，如華潤微電子、英諾賽科、三安光電等公司或是靠研發(fā)實力，或靠量產(chǎn)能力占據(jù)一席之地。巨頭想要收割這波增長機遇，則開始采用并購的手段。

2023年10月，英飛凌科技宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems），并號稱“成為領(lǐng)先的氮化鎵龍頭企業(yè)”。英飛凌表示，公司和 GaN Systems 在知識產(chǎn)權(quán)、對應(yīng)用的深刻理解以及成熟的客戶項目規(guī)劃方面優(yōu)勢互補，這為英飛凌滿足各種快速增長的應(yīng)用需求創(chuàng)造了極為有利的條件。

2024年7月，瑞薩電子宣布完成對氮化鎵（GaN）全球領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm的收購。隨著收購的完成，瑞薩電子將立即開始提供基于GaN的功率產(chǎn)品和相關(guān)參考設(shè)計，以滿足對寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體產(chǎn)品不斷增長的需求。

在完成對Transphorm的收購的同一天，瑞薩電子推出了15種新的產(chǎn)品組合，這些產(chǎn)品是面向市場的參考設(shè)計，將新的GaN產(chǎn)品與瑞薩電子的嵌入式處理、電源、連接和模擬產(chǎn)品組合相結(jié)合。其中包括Transphorm為車載電池充電器集成的汽車級氮化鎵技術(shù)的設(shè)計，以及用于電動汽車的三合一動力總成解決方案。

2024年7月，晶圓代工大廠GlobalFoundries宣布收購Tagore Technology的功率GaN技術(shù)及知識產(chǎn)權(quán)組合。資料顯示，Tagore Technology成立于2011年1月，專注開發(fā)用于射頻(RF)和電源管理應(yīng)用的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)半導(dǎo)體技術(shù)。根據(jù)收購協(xié)議，一支來自Tagore致力于開發(fā)GaN技術(shù)且經(jīng)驗豐富的工程師團隊將加入GlobalFoundries。GlobalFoundries首席商務(wù)官Niels Anderskouv表示：“通過此次收購，GlobalFoundries向加速GaN的普及邁出了又一步，并能幫助我們的客戶構(gòu)建下一代電源管理解決方案，這些方案將重塑移動性、連接性和智能化的未來?！?/p>

一筆筆并購傳遞出一個信號：GaN行業(yè)的IDM模式將會成為未來趨勢。譬如，并購方英飛凌、瑞薩電子都是IDM企業(yè)，而代工模式的Power Integrations通過收購IDM Odyssey Semiconductor擁有了氮化鎵晶圓廠。

而在國內(nèi)，中國氮化鎵企業(yè)開始不斷完善自身氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈，力圖完成從襯底到外延到功率器件、射頻器件、光電器件的全覆蓋。

面對需求興起帶來的商機，GaN廠商顯然也在采取行動，通過各種技術(shù)路線抓住機會，滿足市場需求。譬如，三安光電、英諾賽科已實現(xiàn)了氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈的全覆蓋，而蘇州能訊、華潤微電子也開始向上游拓展。

面對AI、新能源汽車需求興起帶來的商機，國內(nèi)外GaN廠商對內(nèi)精進科研實力，布局各種技術(shù)路線抓住機會，對外上下兼并、補充自身實力，滿足市場需求。氮化鎵未來無疑將成為推動半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量，中國企業(yè)能否借機走向全球，未來可期。

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