遠(yuǎn)端串?dāng)_的飽和長度

和近端串?dāng)_同樣的仿真電路圖，相關(guān)的仿真條件設(shè)置一樣，仿真得出的結(jié)果如下圖，以本例的數(shù)據(jù)來說，遠(yuǎn)端串?dāng)_的飽和長度竟然達(dá)到22.56inch，相當(dāng)于30個(gè)上升邊時(shí)間的空間區(qū)域長度，遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于近端串?dāng)_的飽和長度。

這說明，近端串?dāng)_很容易飽和，遠(yuǎn)端串?dāng)_不容易飽和。沒達(dá)到飽和之前，噪聲幅值是增加的，所以相對于近端串?dāng)_來說，更需要管控遠(yuǎn)端串?dāng)_。這也就是很多設(shè)計(jì)資料沒有對近端串?dāng)_提出設(shè)計(jì)指標(biāo)，只對遠(yuǎn)端串?dāng)_提出設(shè)計(jì)指標(biāo)的原因之一。

飽和長度的影響因素

上升邊時(shí)間

驗(yàn)證上升邊時(shí)長對遠(yuǎn)端串?dāng)_飽和長度的影響，取三個(gè)上升邊時(shí)間來進(jìn)行仿真：50ps，100ps，200ps。100 ps是前面仿真的一個(gè)值，用50ps和200ps來對比驗(yàn)證，查看上升邊時(shí)長的變化對飽和長度的影響，仿真結(jié)果如下：

仿真結(jié)果可以很直觀地看出，上升邊越長，飽和長度越長。需要注意的是：和近端串?dāng)_一樣，遠(yuǎn)端串?dāng)_的飽和長度也會(huì)達(dá)到最大值，不會(huì)無限長，飽和后噪聲幅值會(huì)持續(xù)一段時(shí)間。

線間距的不同

為了驗(yàn)證線間距對飽和長度影響，選擇2W，3W和4W的三個(gè)類型來進(jìn)行仿真對比，相關(guān)仿真的結(jié)果如下：

仿真結(jié)果表明：線間距越大，飽和長度越長。

表層和內(nèi)層

由前文的仿真結(jié)果得出：近端串?dāng)_的表層和內(nèi)層的飽和長度是不同的。電路圖和前文相同，遠(yuǎn)端串?dāng)_的表層和內(nèi)層的相關(guān)仿真結(jié)果如下：

仿真結(jié)果表明：內(nèi)層沒有遠(yuǎn)端串?dāng)_。

原因如下：本例所用的疊層信息，如下圖，為了更好地體現(xiàn)串?dāng)_的相關(guān)特征，使用的疊層里關(guān)于損耗因子和銅箔的損耗相關(guān)的因素都是無損，信號(hào)線周圍的介質(zhì)都是一樣的，且都是均勻分布，所以信號(hào)線的耦合，不管是容性耦合還是感性耦合都是相同的，遠(yuǎn)端串?dāng)_系數(shù)為零，對應(yīng)的公式如下圖。在這種情況下，就不會(huì)出現(xiàn)遠(yuǎn)端串?dāng)_。

遠(yuǎn)端耦合系數(shù)公式：

但是，在實(shí)際的產(chǎn)品疊層設(shè)計(jì)中，上下的介質(zhì)材料是不同的，即使材料完全相同，壓合工藝的差別也會(huì)造成介電常數(shù)的不同，容性耦合與感性耦合所受到的影響是不同的，這時(shí)候就會(huì)產(chǎn)生遠(yuǎn)端串?dāng)_。也有的資料從模態(tài)上，就是奇模和偶模傳輸速度的不同來理解。

這兩個(gè)方向，都能說明在正常產(chǎn)品設(shè)計(jì)中，串行serdes的信號(hào)選擇內(nèi)層而不是表層走線，除了損耗和阻抗的原因，也可以更好管控遠(yuǎn)端串?dāng)_。

但最合適的不一定是最好的，很多規(guī)定都不是固定的，SSD的芯片產(chǎn)品就選擇將高速并行信號(hào)走在表層。

有知道的小伙伴，可以評(píng)論區(qū)里講講為什么？