超1300億！2024年數(shù)十個(gè)碳化硅項(xiàng)目進(jìn)展一覽（附長(zhǎng)圖）

2024年以來(lái)，SiC產(chǎn)業(yè)延續(xù)了2023年的火熱態(tài)勢(shì)，企業(yè)圍繞技術(shù)研發(fā)、簽單合作、投融資、IPO、產(chǎn)能建設(shè)等方面忙得不亦樂(lè)乎，各大廠商頻頻有利好消息傳出。

在投資擴(kuò)產(chǎn)大旗下，2024年以來(lái)已有超30個(gè)項(xiàng)目披露了新進(jìn)展，或簽約、或開工、或封頂、或投產(chǎn)，各個(gè)項(xiàng)目都在積極推進(jìn)當(dāng)中，不斷為SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新動(dòng)力。這數(shù)十個(gè)項(xiàng)目中，不乏投資上百億的大手筆，彰顯了相關(guān)企業(yè)對(duì)于自身以及整個(gè)SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展的信心。

01、新項(xiàng)目占據(jù)半壁江山

在新能源汽車、光儲(chǔ)充等市場(chǎng)需求推動(dòng)下，SiC功率器件用量持續(xù)走高，前景光明。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，2023年全球SiC Power Device市場(chǎng)規(guī)模約30.4億美元，至2028年有望上升至91.7億美元，CAGR達(dá)25%。

盡管SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模將持續(xù)增長(zhǎng)，但其仍處于供不應(yīng)求狀態(tài)，擴(kuò)產(chǎn)順理成章，在市場(chǎng)大蛋糕吸引下，眾多SiC相關(guān)廠商紛紛加入投資擴(kuò)產(chǎn)行列。2024年以來(lái)，據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全統(tǒng)計(jì)，有十多個(gè)SiC相關(guān)項(xiàng)目簽約落地或進(jìn)行環(huán)評(píng)公示，這些項(xiàng)目都在進(jìn)行開工前準(zhǔn)備工作。

從投資規(guī)模來(lái)看，嘉興國(guó)家高新區(qū)SiC半橋模塊制造項(xiàng)目、賽達(dá)半導(dǎo)體SiC外延項(xiàng)目、連城數(shù)控第三代半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)制造項(xiàng)目、摩珂達(dá)SiC項(xiàng)目、江西罡豐第三代半導(dǎo)體襯底外延建設(shè)項(xiàng)目總投資額均在10億元（含）以上。其中，摩珂達(dá)SiC項(xiàng)目將投資超50億元，成為規(guī)模方面的領(lǐng)頭羊。

從產(chǎn)能來(lái)看，嘉興國(guó)家高新區(qū)SiC半橋模塊制造項(xiàng)目規(guī)劃建設(shè)年產(chǎn)90萬(wàn)套SiC半橋模塊制造生產(chǎn)線及相關(guān)配套，賽達(dá)半導(dǎo)體SiC外延項(xiàng)目2027年規(guī)劃產(chǎn)能為30萬(wàn)片/年，普興電子6英寸低密度缺陷SiC外延片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)24萬(wàn)片SiC外延片，東尼電子擴(kuò)建SiC項(xiàng)目將年產(chǎn)20萬(wàn)片SiC襯底，江西罡豐第三代半導(dǎo)體襯底外延建設(shè)項(xiàng)目（一期）將年產(chǎn)40萬(wàn)片SiC襯底，這些項(xiàng)目在產(chǎn)能方面成為佼佼者。

從內(nèi)容來(lái)看，這些新落地項(xiàng)目覆蓋SiC產(chǎn)業(yè)鏈大部分環(huán)節(jié)，部分新項(xiàng)目聚焦襯底/外延環(huán)節(jié)，這是SiC功率器件生產(chǎn)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，也是能夠快速有效實(shí)現(xiàn)降本增效的部分，包括天睿半導(dǎo)體項(xiàng)目、百豪新材料大尺寸SiC單晶襯底產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目等。其中，天睿半導(dǎo)體項(xiàng)目將新建8英寸SiC和GaN晶圓廠，并通過(guò)產(chǎn)業(yè)并購(gòu)和新建項(xiàng)目等方式布局第三代半導(dǎo)體襯底外延、晶圓制造、器件設(shè)計(jì)、系統(tǒng)應(yīng)用及相關(guān)設(shè)備生產(chǎn)等全產(chǎn)業(yè)鏈。

部分新項(xiàng)目致力于生產(chǎn)SiC功率器件/模塊，包括臻驅(qū)半導(dǎo)體SiC功率模塊項(xiàng)目、揚(yáng)杰科技SiC模塊封裝項(xiàng)目、愛(ài)矽科技車規(guī)級(jí)SiC模塊封裝產(chǎn)品項(xiàng)目等。其中，揚(yáng)杰科技是國(guó)內(nèi)少數(shù)集半導(dǎo)體分立器件芯片設(shè)計(jì)制造、器件封裝測(cè)試、終端銷售與服務(wù)等產(chǎn)業(yè)鏈垂直一體化（IDM）的廠商。這些新項(xiàng)目當(dāng)中，連城數(shù)控第三代半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)制造項(xiàng)目是少有的SiC設(shè)備相關(guān)項(xiàng)目。該項(xiàng)目擬投資不超過(guò)10.5億元，規(guī)劃建設(shè)SiC長(zhǎng)晶和加工設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)制造基地。

在SiC設(shè)備方面，連城數(shù)控于2020年底開始對(duì)SiC晶體生長(zhǎng)爐進(jìn)行研發(fā)立項(xiàng)，2021年9月開始對(duì)SiC等超硬材料多線切割機(jī)研發(fā)立項(xiàng)。2023年上半年，連城數(shù)控取得了多項(xiàng)技術(shù)研發(fā)成果，如創(chuàng)新推出單晶爐設(shè)備“一鍵拉晶”系統(tǒng)、液相法SiC長(zhǎng)晶爐順利下線并取得客戶數(shù)臺(tái)訂單、SiC立式感應(yīng)合成爐科研成果通過(guò)專家團(tuán)鑒定等。

02、巨頭云集，項(xiàng)目建設(shè)熱火朝天

2024年以來(lái)，已開工、正在積極建設(shè)中的項(xiàng)目同樣數(shù)量眾多、各具特色。其中，三責(zé)新材南通二期高精度高純度半導(dǎo)體設(shè)備用SiC部件項(xiàng)目于3月15日開工，作為九峰山實(shí)驗(yàn)室重大配套工程的武漢新城化合物半導(dǎo)體孵化加速及制造基地項(xiàng)目則于5月6日開工。

同時(shí)，江蘇誠(chéng)盛科技——麒思大功率器件項(xiàng)目、湖南三安半導(dǎo)體基地項(xiàng)目二期、重慶三安半導(dǎo)體SiC襯底項(xiàng)目、天域半導(dǎo)體總部、生產(chǎn)制造中心和研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目、天科合達(dá)SiC項(xiàng)目二期、Wolfspeed旗下8英寸SiC制造中心等項(xiàng)目建設(shè)取得新進(jìn)展。其中，湖南三安半導(dǎo)體基地二期工程在今年1月已進(jìn)入廠房裝修后期階段，總投資為80億元，全面達(dá)產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)50萬(wàn)片6英寸SiC襯底的年產(chǎn)能；2月初，重慶三安半導(dǎo)體SiC襯底項(xiàng)目B1棟封頂，規(guī)劃總投資70億元，規(guī)劃年產(chǎn)能為8英寸SiC襯底48萬(wàn)片；作為今年以來(lái)少有的傳出新進(jìn)展的國(guó)際廠商項(xiàng)目，耗資50億美元的Wolfspeed旗下8英寸SiC制造中心于3月26日宣告封頂。這些正在積極推進(jìn)的項(xiàng)目，大部分聚焦SiC材料和器件。

材料方面，天域半導(dǎo)體總部、生產(chǎn)制造中心和研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目投資額達(dá)80億元，建成后用于生產(chǎn)6英寸/8英寸SiC外延片，總產(chǎn)能達(dá)150萬(wàn)片/年，第一期預(yù)計(jì)在今年4月開始投產(chǎn)?；诖隧?xiàng)目，天域半導(dǎo)體有望成為國(guó)內(nèi)較早實(shí)現(xiàn)8英寸量產(chǎn)的企業(yè)之一。

器件方面，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目預(yù)計(jì)今年6月封頂，明年7月投產(chǎn)。該項(xiàng)目總投資預(yù)計(jì)200億元，一期總投資100億元，可年產(chǎn)36萬(wàn)片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝等。

2024年內(nèi)，江蘇誠(chéng)盛科技——麒思大功率器件項(xiàng)目、嘉興斯達(dá)SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、天域半導(dǎo)體總部、生產(chǎn)制造中心和研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目、天科合達(dá)SiC項(xiàng)目二期等有望竣工投產(chǎn)，為SiC材料及器件領(lǐng)域發(fā)展注入新動(dòng)力。

03、產(chǎn)能可觀，多個(gè)項(xiàng)目進(jìn)入量產(chǎn)前夜

在2023年的緊張建設(shè)后，部分項(xiàng)目在2024年迎來(lái)了驗(yàn)收或投產(chǎn)的高光時(shí)刻，包括重投天科第三代半導(dǎo)體SiC材料生產(chǎn)基地、同光股份SiC襯底和粉體項(xiàng)目、斯科車規(guī)級(jí)SiC芯片模組項(xiàng)目、智新科技SiC模塊項(xiàng)目二期等。其中，重投天科第三代半導(dǎo)體SiC材料生產(chǎn)基地于2月27日正式啟用。該項(xiàng)目總投資32.7億元，重點(diǎn)布局6英寸SiC單晶襯底和外延生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)今年襯底和外延產(chǎn)能達(dá)25萬(wàn)片。

今年3月，同光股份旗下的SiC襯底項(xiàng)目和粉體項(xiàng)目均順利通過(guò)驗(yàn)收。該項(xiàng)目自2017年啟動(dòng)規(guī)劃，歷時(shí)七年，于2024年3月順利完成驗(yàn)收，意味著該項(xiàng)目全面投入生產(chǎn)已無(wú)障礙。與此同時(shí)，斯科車規(guī)級(jí)SiC芯片模組項(xiàng)目正處于試生產(chǎn)階段，該項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，將形成年產(chǎn)240萬(wàn)套SiC半橋模塊的生產(chǎn)能力。在SiC產(chǎn)品加速上車趨勢(shì)下，該項(xiàng)目有望成為斯科半導(dǎo)體業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)新引擎。

04、總結(jié)

SiC材料的供應(yīng)緊缺問(wèn)題是過(guò)去幾年中限制SiC市場(chǎng)發(fā)展的主要因素之一，國(guó)內(nèi)外SiC相關(guān)廠商順勢(shì)開啟了洶涌的擴(kuò)產(chǎn)潮，并延續(xù)到了2024年，賽達(dá)半導(dǎo)體、普興電子、東尼電子、罡豐科技等廠商圍繞襯底外延材料，紛紛開啟了年產(chǎn)能達(dá)數(shù)十萬(wàn)片的大項(xiàng)目，將有助于緩解材料供不應(yīng)求的現(xiàn)狀。而在大手筆的產(chǎn)能擴(kuò)張背后亦蘊(yùn)藏著價(jià)格下跌和產(chǎn)能過(guò)剩風(fēng)險(xiǎn)，正在或計(jì)劃擴(kuò)產(chǎn)的廠商們必須重視相關(guān)潛在風(fēng)險(xiǎn)并積極調(diào)整應(yīng)對(duì)。

在此情況下，在SiC襯底外延材料市場(chǎng)供應(yīng)趨于穩(wěn)定后，相關(guān)廠商將更多注意力轉(zhuǎn)移到器件、設(shè)備和終端應(yīng)用等方面，一定程度上將是更加明智的選擇，更有利于提升競(jìng)爭(zhēng)力。2024年以來(lái)，晶能微電子、臻驅(qū)半導(dǎo)體、揚(yáng)杰科技、摩珂達(dá)、愛(ài)矽科技新簽約SiC功率器件/模塊項(xiàng)目，連城數(shù)控則新簽約SiC設(shè)備項(xiàng)目，都有望在對(duì)應(yīng)的細(xì)分賽道分一杯羹。

車用場(chǎng)景目前仍然是SiC最大應(yīng)用市場(chǎng)，圍繞車規(guī)級(jí)SiC產(chǎn)品，揚(yáng)杰科技、泰科天潤(rùn)、斯科半導(dǎo)體、智新科技、重慶三安等企業(yè)相關(guān)項(xiàng)目均取得了積極進(jìn)展，有望加快車規(guī)級(jí)SiC產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程。

2024年取得新進(jìn)展的項(xiàng)目當(dāng)中，部分為在已有項(xiàng)目基礎(chǔ)上進(jìn)行的擴(kuò)建，也有部分項(xiàng)目主體在2024年首次規(guī)劃SiC相關(guān)項(xiàng)目，彰顯了SiC產(chǎn)業(yè)是一片投資興業(yè)的熱土，未來(lái)大概率將有更多廠商投建項(xiàng)目，也將有更多項(xiàng)目落地實(shí)施。

整體來(lái)看，SiC產(chǎn)業(yè)目前是一個(gè)快速成長(zhǎng)的市場(chǎng)，各大廠商都意識(shí)到了規(guī)模的重要性，圍繞SiC全產(chǎn)業(yè)鏈開啟了宏偉的增資擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，可以預(yù)見(jiàn)，未來(lái)隨著市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大，SiC產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)將日益激烈。

集邦化合物半導(dǎo)體Zac