三安集成于EDICON24展示新一代砷化鎵射頻器件制造工藝

北京2024年4月10日?/美通社/ -- EDICON?CHINA?2024 （電子設計創(chuàng)新大會）于4月9日-10日在北京會議中心正式舉行，暌違三年有余，作為無線通信行業(yè)工程師的專業(yè)交流平臺，大會再次召集了射頻、微波以及無線設計行業(yè)領域的精英企業(yè)，針對當下的通信、消費和航空航天等領域的應用展開討論和技術分享。三安集成作為化合物射頻前端器件的整合服務商，應邀參與大會，并在技術報告會中做出分享。

隨著5G演進到Rel. 18及更高，推動著射頻前端迭代到最新的Phase 8架構(gòu)，集成度進一步提高。三安集成新一代的砷化鎵射頻器件制造工藝正是針對市場主流的模組化趨勢，能夠為客戶提供更高性能的解決方案。

射頻前端PA器件功放管主要采用砷化鎵HBT工藝，追求在高頻工況下，具備高線性度、穩(wěn)定性和放大效率。三安集成通過在外延材料及工藝端的改善，發(fā)展的HP1/HP2工藝，對比起前代的HG6/HG7，在IMD3和PAE均有明顯的改善，能夠滿足在復雜工況下的信號輸出穩(wěn)定需求。同時，配合新一代的銅柱工藝，實現(xiàn)晶圓的輕薄化和良好散熱特性，減小模組尺寸，縮減成本、提升整體系統(tǒng)性能。

三安集成砷化鎵研發(fā)部部長郭佳衢在報告中提道，三安集成的砷化鎵HBT工藝已經(jīng)覆蓋了2/3/4G，Sub-6GHz，以及Wi-Fi 7等無線通信應用，并向著更高頻率的應用投入研發(fā)資源。

砷化鎵PHEMT是三安集成的另一工藝體系，目前已進展到0.1um的工藝節(jié)點，可以滿足客戶在Ka至W波段的高頻應用，實現(xiàn)良好的信號強度和低噪聲系數(shù)。成熟的P25工藝型譜則廣泛應用于接收模組和中高功率的手機和基站，新一代P25ED51工藝相比前代在OIP3系數(shù)有明顯改善，顯現(xiàn)出出色的產(chǎn)品競爭力。

"三安集成具備豐富的大規(guī)模制造經(jīng)驗，秉持'客戶至上'的精神，為客戶和市場提供更高質(zhì)量的制造服務，幫助客戶實現(xiàn)商業(yè)成功，共同促進無線通信行業(yè)的發(fā)展繁榮。"郭佳衢部長補充道。