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    • 01、募資12.9億元擴產(chǎn),含第三代半導體CMP設備
    • 02、國產(chǎn)替代時機下,業(yè)績持續(xù)增長
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這家SiC設備相關廠商今日上會!

02/06 09:50
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上交所信息顯示,2月5日,北京晶亦精微科技股份有限公司(以下簡稱:晶亦精微)首發(fā)上會,未來將在科創(chuàng)板上市,保薦人為中信證券股份有限公司。

source:上交所

晶亦精微成立于2019年9月23日,公司控股股東是中電科四十五所,實際控制人為中國電科集團。晶亦精微主營半導體設備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及技術服務,主要產(chǎn)品為化學機械拋光(CMP)設備及其配件,并提供技術服務。

據(jù)介紹,CMP設備通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同配合作用,實現(xiàn)晶圓表面多余材料的高效去除與全局納米級平坦化,主要用于集成電路制造領域。值得注意的是,為把握第三代半導體的機遇,晶亦精微在2020年便推出了6/8英寸兼容CMP設備Horizon-T并進入產(chǎn)線驗證,目前主要用于硅基半導體材料。該設備適用于SiC、GaN等第三代半導體材料的特殊需求表面拋光處理工藝,截至2023年底,晶亦精微已向境內(nèi)客戶A銷售1臺6/8 英寸兼容CMP設備,用途是第三代半導體材料處理。

01、募資12.9億元擴產(chǎn),含第三代半導體CMP設備

本次發(fā)行上市,晶亦精微擬募資12.9億元,投向“高端半導體裝備研發(fā)項目”、“高端半導體裝備工藝提升及產(chǎn)業(yè)化項目”、“高端半導體裝備研發(fā)與制造中心建設項目”。

其中,高端半導體裝備研發(fā)與制造中心建設項目總投資5.55億元,將重點布局第三代半導體材料CMP成套工藝及設備的開發(fā),重點攻克SiC高效全局平坦化,實現(xiàn)研磨液循環(huán)利用系統(tǒng)、研磨液均勻分布系統(tǒng)等在研技術的產(chǎn)品化及產(chǎn)業(yè)化落地。

具體來看,該項目擬對現(xiàn)有產(chǎn)品進行擴產(chǎn),同時實現(xiàn)第三代半導體材料CMP成套工藝及設備的開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。項目建成后,可形成第三代半導體材料CMP設備18臺/年、8英寸CMP設備12臺/年、12 英寸CMP設備22臺/年(面向28nm及以上制程)、6/8英寸兼容CMP設備10臺/年的生產(chǎn)規(guī)模。

通過本項目的建設,晶亦精微計劃在2026 年完成SiC CMP產(chǎn)品線布局,推出滿足第三代半導體材料全局平坦化的CMP設備 Horizon-W,并基于該產(chǎn)品完成客戶端的工藝開發(fā)及性能驗證。

02、國產(chǎn)替代時機下,業(yè)績持續(xù)增長

據(jù)化合物半導體市場了解,在第三代半導體設備領域,目前長晶設備國產(chǎn)化率較高,而切磨拋設備仍高度依賴進口,目前是國產(chǎn)設備廠商突破的重要方向之一。

據(jù)介紹,第三代半導體材料硬度相對較大,拋光時需要提供更大的拋光壓力,需要配備更大壓力的拋光頭及更精準的壓力控制系統(tǒng)以滿足第三代半導體的拋光需求。而晶亦精微創(chuàng)立不久就研發(fā)出適用于SiC材料的CMP設備并實現(xiàn)批量銷售,可見其具備較強的研發(fā)實力。

在未來發(fā)展方向上,晶亦精微也將深化CMP技術在第三代半導體材料領域的應用作為技術攻關之一,將持續(xù)加大研發(fā)投入。同時,隨著項目的建設,晶亦精微也將逐步擴充第三代半導體CMP設備的產(chǎn)能,在國產(chǎn)替代時機下更好地滿足市場需求。

在此機遇下,國產(chǎn)設備廠商近幾年來也迎來了豐收期,晶亦精微也趕上了這一波紅利期。據(jù)披露,2020-2022年,晶亦精微分別實現(xiàn)營收9,984萬元、2.2億元、5.06億元,逐年成倍數(shù)增長;凈利潤方面,2021年開始盈利,并實現(xiàn)逐年增長。

2023年上半年,晶亦精微營收也達到3.09億元,全年營收預計約5.8 - 6億元,同比增長14.67% - 18.62%;預計實現(xiàn)凈利潤1.55-1.6億元,同比增長20.86% - 24.76%;預計實現(xiàn)扣除非經(jīng)常性損益后的凈利潤約1.28 -1.31億元,同比增長0.93% - 3.30%。總體經(jīng)營情況持續(xù)向好,業(yè)績保持持續(xù)增長。

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