1月9號,我今年的第一堂課程就要上線了。在準(zhǔn)備課件的同時,我也打算在這里和大家分享一些其中的內(nèi)容這次想講的內(nèi)容是關(guān)于下游半導(dǎo)體器件市場和上游制造設(shè)備市場的相關(guān)性話題
從市場邏輯上來講,下游器件市場的冷暖自然會反饋到上游制造領(lǐng)域的產(chǎn)能利用率,從而也影響了工廠的產(chǎn)能擴(kuò)張計劃,進(jìn)一步干預(yù)了上游設(shè)備的出貨情況
道理大家都懂,但目前似乎很少有人去分析過具體數(shù)據(jù)。這次我嘗試和大家分享一下我總結(jié)的一些結(jié)果
下圖是根據(jù)SIA和DrameXchange(TrendForce)公布的數(shù)據(jù)總結(jié)的邏輯器件(非存儲器件)和存儲器件的各自的市場規(guī)模變化趨勢由圖可知,兩者的走勢有著明顯的差異
以下是全球前四大設(shè)備供應(yīng)商(ASML、AMAT、TEL、LAM)的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收統(tǒng)計。當(dāng)我也按照下游應(yīng)用領(lǐng)域區(qū)分為邏輯市場和存儲市場以后,我們可以明顯看到它們的走勢和器件市場是高度吻合的
不過相對而言,全球前兩大測試機(jī)設(shè)備商的相關(guān)數(shù)據(jù)看起來就沒有這么高的關(guān)聯(lián)性了
首先針對邏輯市場,我分別做了一個歸一化的趨勢對比。我們可以明顯看到,隨著邏輯器件市場的增加,前道制造設(shè)備市場有著相近的趨勢,但增長速度明顯高于器件;
而測試設(shè)備的走勢幾乎和下游器件市場完全一致
這個原因主要在于:
1)隨著FinFET工藝的應(yīng)用和滲透率提高,生產(chǎn)芯片的流程復(fù)雜程度大幅提升 -- 不僅工藝技術(shù)難度爆增,而且工序的數(shù)量也明顯增加,這就導(dǎo)致了生產(chǎn)單位芯片需要的設(shè)備性能(設(shè)備單價)和設(shè)備數(shù)量都明顯提升。所以前道制造設(shè)備的市場增量跑贏下游器件市場。而且這個趨勢在未來還會持續(xù)下去
2)測試設(shè)備的技術(shù)提升與制造工藝提升相關(guān)性不強(qiáng),所以基本沒有吃到FinFET工藝帶來的紅利。所以其出貨量基本和下游芯片的出貨增量保持一致。從結(jié)果來看,上下游兩者市場規(guī)模的變化趨勢基本一致
同樣地,我把存儲器件和設(shè)備的市場數(shù)據(jù)也做了一個對比。由圖可見,制造設(shè)備和器件的市場規(guī)模走勢擬合度極高,而邏輯市場里設(shè)備跑贏器件的現(xiàn)象不存在。器件和設(shè)備的市場變化基本一致,且相位都是對齊的。由此可見,雖然存儲器的工藝技術(shù)也在不斷發(fā)展,但是由于器件架構(gòu)沒有象FinFET那樣的革命性變化,所以對于上游設(shè)備的驅(qū)動力也就沒有邏輯市場大了
另外,存儲測試設(shè)備的走勢雖然也大體和器件市場一致,但吻合度沒有前道市場那么大。這樣一來,其市場的穩(wěn)定性反而好于前道設(shè)備不過總體而言,存儲相關(guān)的設(shè)備市場從長遠(yuǎn)來看,其增長性是遠(yuǎn)不如邏輯市場的?;蛟S未來HBM的爆發(fā)以及EUV光刻機(jī)在DRAM制造中的應(yīng)用會給上游設(shè)備市場帶來一些變數(shù)吧
好了,以上就是我對于邏輯和存儲市場中器件和設(shè)備市場關(guān)聯(lián)性的一點簡單分析更多有趣的信息和話題,我會放在1月9號的線上課程里和大家分享:
課程內(nèi)容:半導(dǎo)體前道設(shè)備大點兵課程時間:2024年1月9日 周二 19:00
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