光刻機(jī)限制,終究由最先進(jìn)的極紫外光刻機(jī)(EUV)擴(kuò)大到了深紫外(DUV)。
近日,荷蘭政府表示,計(jì)劃對(duì)半導(dǎo)體技術(shù)出口實(shí)施新的管制,強(qiáng)調(diào)限制措施包括ASML制造的一些深紫外(DUV)光刻機(jī)。荷蘭光刻機(jī)巨頭阿斯麥(ASML)隨后發(fā)布聲明回應(yīng),ASML將需要申請(qǐng)出口許可證才能發(fā)運(yùn)最先進(jìn)的浸潤式DUV系統(tǒng)。
眾所周知,早在2019年,ASML就開始停止對(duì)中國銷售EUV光刻機(jī)?!肮饪虣C(jī)之痛”,成了我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)難以逾越的坎兒。
光刻機(jī)的痛,從何而來?
來自完全國產(chǎn)化較難!
每顆芯片都要經(jīng)過光刻技術(shù)的雕琢,光刻機(jī)被譽(yù)為“芯片產(chǎn)業(yè)皇冠上的明珠”,是晶圓廠里最貴的設(shè)備,每一代光刻機(jī)都在不斷挑戰(zhàn)人類工業(yè)制造能力的極限。
光刻機(jī)的原理非常簡單,就是類似照相機(jī),用光把圖案投射到硅片上。然而實(shí)現(xiàn)上有兩個(gè)難點(diǎn),一個(gè)是如何讓圖案盡可能的小,另一個(gè)是怎么讓生產(chǎn)效率最高。
圖案要多小呢?最新技術(shù)是一平方毫米(比芝麻還小)里面有一億個(gè)晶體管。
生產(chǎn)效率要多高呢?目前的核心技術(shù)是一小時(shí)出產(chǎn)近300片12英寸(300毫米)晶圓,每片晶圓上要做出上千個(gè)芯片。ASML的先進(jìn)光刻機(jī)7x24小時(shí)工作,全年停機(jī)時(shí)間不超過3%,這意味著一臺(tái)光刻機(jī)每年要連續(xù)加工出數(shù)億的芯片。
光刻機(jī)一次只能曝光指甲那么大的一點(diǎn)區(qū)域,一塊直徑12英寸的晶圓全部曝光一遍至少要移動(dòng)好幾百次,而每次移動(dòng),定位要精確到幾十納米(也就是頭發(fā)絲直徑的幾萬分之一)。你可以想象光刻機(jī)臺(tái)的移動(dòng)速度有多快。
讓動(dòng)作精密到令人發(fā)指的機(jī)器,24小時(shí)全年連續(xù)穩(wěn)定工作,是工程學(xué)上的巨大挑戰(zhàn)。
我們經(jīng)??吹叫侣?,說某科研單位實(shí)現(xiàn)了多少nm光刻,這時(shí)你要理解從實(shí)驗(yàn)室刻出兩條線到工廠7x24之間,是有天壤之別的。
因此,光刻機(jī)的技術(shù)決定了集成電路的高度,也正是有了更先進(jìn)的光刻機(jī),摩爾定律才能不斷延續(xù),計(jì)算機(jī)、手機(jī)等電子產(chǎn)品性能才能越來越強(qiáng)、功能越來越豐富。同時(shí),芯片制造以及背后的光刻機(jī)技術(shù)也成為了美國對(duì)華科技打壓的縮影。
大致來看,光刻機(jī)分為兩類:
1)DUV深紫外線光刻機(jī):DUV技術(shù)由日本和荷蘭獨(dú)立發(fā)展,可以制備0.13um到28/14/7nm芯片,也就是說能覆蓋7nm及以上制程需求,可滿足絕大多數(shù)需求;價(jià)格為2000-5000萬美元/臺(tái)不等。
2)EUV極紫外線光刻機(jī):與DUV有著本質(zhì)的不同,EUV自出生就被美國從資本和技術(shù)層面全面掌控,適合7nm到5/4/3nm以下芯片,是5nm及更先進(jìn)制程芯片的剛需,也是未來光刻技術(shù)和先進(jìn)制程的核心,這也是美國牢牢控制EUV技術(shù)的重要原因。價(jià)格則是1-3億美元/臺(tái)。
目前,全球前道光刻機(jī)幾乎被ASML、尼康、佳能壟斷。其中,最先進(jìn)的EUV光刻機(jī),則由ASML公司完全壟斷,且至今未實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),2022年預(yù)計(jì)生產(chǎn)了約50余臺(tái),臺(tái)積電、三星、英特爾等芯片巨頭,每年為此搶破了頭。
ASML:從青銅走上王者之巔
但其實(shí),早在上世紀(jì)80年代,ASML還只是飛利浦旗下的一家合資小公司。全司上下算上老板31位員工,只能擠在飛利浦總部旁臨時(shí)搭起的板房里辦公。在對(duì)手的映襯下,顯得弱小、可憐,又無助。
ASML成立于1984年的愚人節(jié),和聯(lián)想同歲,是當(dāng)時(shí)正打算大裁員的飛利浦,為了占個(gè)坑觀望,與ASM International合作成立,飛利浦并沒有大手筆押注光刻機(jī),所以那時(shí)候的ASML堪稱貧窮,而對(duì)手尼康,正來回碾壓美國對(duì)手:
1982年,尼康在硅谷設(shè)立尼康精機(jī),開始從美國巨頭 GCA 手里奪下英特爾、德州儀器和超威半導(dǎo)體等大客戶。
1984年,伴隨著日本芯片產(chǎn)業(yè)的迅速崛起,尼康的市場份額就超過了 30%,與 GCA平起平坐。
1986年前后,由于半導(dǎo)體市場不景氣,美國大部分光刻機(jī)廠商開始先后倒閉,尼康市場份額長期維持50%以上,成為光刻機(jī)設(shè)備龍頭。
在2000年之前的整個(gè)16年時(shí)間里,光刻機(jī)市場差不多都是尼康的后花園,ASML占據(jù)的份額不超過10%。
直到一個(gè)叫林本堅(jiān)的華人出現(xiàn),他當(dāng)時(shí)是臺(tái)積電研發(fā)副總經(jīng)理。
當(dāng)時(shí)芯片制程進(jìn)展到65 納米,以空氣為介質(zhì)的“干式”微影技術(shù)遇到瓶頸,在投入數(shù)十億美元的研發(fā)后,始終無法將光刻光源的193納米波長縮短到157納米。為縮短光波長度,大量科學(xué)家和幾乎整個(gè)半導(dǎo)體業(yè)界都被卷進(jìn)來,砸進(jìn)數(shù)以十億計(jì)的美金,以及大量人力,提出了多種方案。
但這些方案,要么需要增大投資成本,要么太過超前,以當(dāng)時(shí)的技術(shù)難以實(shí)現(xiàn).
林本堅(jiān)來了個(gè)腦筋急轉(zhuǎn)彎:既然157nm難以突破,為什么不退回到技術(shù)成熟的193nm,把透鏡和硅片之間的介質(zhì)從空氣換成水?因?yàn)榧兯恼凵渎时瓤諝飧?,也就是說,如果鏡頭和晶圓都泡在水里,分辨率可大大提高!
這個(gè)方案被稱做“浸入式光刻技術(shù)”,優(yōu)勢也非常明顯。
但是,當(dāng)林本堅(jiān)拿著這項(xiàng)“沉浸式光刻”方案,跑遍美國、德國、日本等國,游說各家半導(dǎo)體巨頭,卻都吃了閉門羹。
正如前文所說,光刻機(jī)是“定位精準(zhǔn)、唯快不破”,這也是ASML的發(fā)展理念。遵循這一理念,ASML盡量不考慮成本和售價(jià),只要做到最精密和最可靠。
理念相同的人很容易一拍即合,林本堅(jiān)終于在ASML聽到了合作的聲音。
2004年,ASML和臺(tái)積電共同研發(fā)出全球第一臺(tái)浸潤式微影機(jī),能夠助力芯片制程持續(xù)突破到10納米節(jié)點(diǎn),讓業(yè)界在震驚之余也刮目相看。臺(tái)積電順利突破制程節(jié)點(diǎn),拿下了全球一半的晶圓代工訂單。尼康的大客戶紛紛倒戈,市場份額被ASML不斷吞噬,5年后,ASML已經(jīng)占據(jù)了70%的市場份額。
ASML一躍翻身,執(zhí)掌起代工廠的生殺大權(quán),更成為大國博弈之間的關(guān)鍵大招。正如ASML所說,“如果我們交不出EUV,摩爾定律就會(huì)從此停止”。
ASML能從日美大戶橫行的光刻市場崛起,除了一點(diǎn)運(yùn)氣,還有“窮則思變,變則通,通則達(dá)”的必然律起作用。這也是值得我們學(xué)習(xí)的地方。
光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈上的中國企業(yè)
中國在自動(dòng)化步進(jìn)式光刻機(jī)領(lǐng)域的起步相對(duì)較晚,再加上缺乏人才和技術(shù),與ASML相比有較大差距。但是,經(jīng)過多年的努力追趕,中國光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈在一些領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了突破,初步打破國外巨頭完全壟斷的局面,讓中國光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈擁有了追趕國際的基礎(chǔ)能力。
在此,芯師爺給大家盤點(diǎn)8家在光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈上取得了一定的突破的中國光刻機(jī)企業(yè)。
光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈中游
上海微電子——光刻機(jī)的整機(jī)生產(chǎn)
成立于2002年,是國內(nèi)光刻設(shè)備領(lǐng)域的龍頭企業(yè),主要產(chǎn)品是SSX600系列步進(jìn)掃描投影光刻機(jī),可滿足IC前道制造90nm、110nm、280nm關(guān)鍵層和非關(guān)鍵層的光刻工藝需求。該設(shè)備可用于8寸線或12寸線的大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)。
上海微電子500系列先進(jìn)封裝光刻機(jī)產(chǎn)品國內(nèi)市場占有率達(dá)80%以上。盡管相比目前占據(jù)主流的中高端芯片5nm、7nm以及14nm制造工藝仍存在相當(dāng)大的距離,但隨著國產(chǎn)技術(shù)工藝的不斷精細(xì)成熟,長期來看實(shí)現(xiàn)技術(shù)的趕并非不可能。
光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈上游
華卓精科——雙工件臺(tái)方面
根據(jù)華卓精科官網(wǎng)顯示,其生產(chǎn)的光刻機(jī)雙工件臺(tái),打破了ASML公司在光刻機(jī)工件臺(tái)上的技術(shù)上的壟斷,成為世界上第二家掌握雙工件臺(tái)核心技術(shù)的公司。
華卓精科在光刻機(jī)雙工件臺(tái)技術(shù)上的突破,也為中國自主研發(fā)65nm至28nm 雙工件干臺(tái)式及浸沒式光刻機(jī)奠定了基礎(chǔ),是生產(chǎn)國產(chǎn)光刻機(jī)的上海微電子的的光刻機(jī)雙工件臺(tái)供應(yīng)商。建立初衷在于將清華大學(xué)在"極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝"國家科技重大專項(xiàng)中積累的尖端技術(shù)落地產(chǎn)業(yè)化。
科益虹源——光源方面
成立于2016年7月,是在國家大力推動(dòng)科技成果轉(zhuǎn)化的政策下,由中國科學(xué)院光電院、中國科學(xué)院微電子研究所、北京亦莊國際投資有限公司、中科院國有資產(chǎn)經(jīng)營有限公司共同投資創(chuàng)立。
在光源方面,科益虹源公司自主研發(fā)設(shè)計(jì)生產(chǎn)的首臺(tái)高能準(zhǔn)分子激光器,以高質(zhì)量和低成本的優(yōu)勢,填補(bǔ)中國在準(zhǔn)分子激光技術(shù)領(lǐng)域的空白,打破國外廠家對(duì)該技術(shù)產(chǎn)品長期市場壟斷局面,其已完成了6khz、60w主流ArF光刻機(jī)光源制造,也是上海微電子的光源制造商。
福晶科技——光源方面
成立于2001年,主要從事非線性光學(xué)晶體、激光晶體、精密光學(xué)元件和激光器件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于激光、光通訊、醫(yī)療設(shè)備、檢測分析儀器等各諸多工業(yè)領(lǐng)域。
該公司生產(chǎn)的KBBF晶體屬于激光設(shè)備的上游關(guān)鍵零部件,KBBF晶體是目前可直接倍頻產(chǎn)生EUV激光的非線性光學(xué)晶體,用于建造超高光分辨率光電子能譜儀、光刻技術(shù)等前沿領(lǐng)域。
奧普光學(xué)——光學(xué)鏡頭方面
奧普光學(xué)成立于2016年,是第三批專精特新企業(yè),從事制造光機(jī)電一體化產(chǎn)品的高新技術(shù)企業(yè),屬于專用儀器儀表制造,主要業(yè)務(wù)為光電測控儀器設(shè)備、光學(xué)材料和光柵編碼器等產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。奧普光電的大股東為中科院長春光機(jī)所,其主要負(fù)責(zé)我國國產(chǎn)光刻機(jī)光源、光學(xué)部分的研發(fā)工作。
在光學(xué)鏡頭方面,奧普光學(xué)提供的鏡頭可以做到90nm,但是與卡爾蔡司、Nikon等公司還有非常大的差距。
芯微源——涂膠顯影方面
芯源微是國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備稀缺供應(yīng)商,自2002年年成立以來深耕涂膠顯影設(shè)備,已經(jīng)在LED芯片制造及集成電路后道先進(jìn)封裝等環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代,目前正向前道擴(kuò)展。
涂膠顯影設(shè)備后道領(lǐng)域國內(nèi)市占率第一,前道產(chǎn)品線實(shí)現(xiàn)全面突破。公司是國家02重大專項(xiàng)中唯一的涂膠顯影設(shè)備廠商,后道產(chǎn)品在國內(nèi)市占率第一,覆蓋臺(tái)積電及大陸主流封測廠。前道產(chǎn)品中,公司offline實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并獲得上海華力、士蘭集科等晶圓廠訂單,I-Line實(shí)現(xiàn)小批量產(chǎn),KrF/ArF在中芯紹興、青島芯恩等晶圓廠驗(yàn)證過程較為順利,ArFi研發(fā)順利。全球先進(jìn)封裝涂膠顯影設(shè)備市場空間大約2億美元,前道市場大約40億美元
菲利華——光罩方面
菲利華成立于1966年,經(jīng)過50余年的發(fā)展,目前已具備生產(chǎn)半導(dǎo)體和光學(xué)用大尺寸合成石英材料的能力,是國內(nèi)唯一一家可以生產(chǎn)大尺寸光掩膜基板的企業(yè),也是高端光學(xué)用高精密光學(xué)合成石英材料的供應(yīng)廠商。
在大規(guī)格合成石英材料領(lǐng)域,公司已處于國內(nèi)領(lǐng)先地位,獨(dú)家研發(fā)生產(chǎn)G8 代光掩膜(光罩)基板,目前已推出從G4代到G8代的系列產(chǎn)品,打破了長期以來國外壟斷;高端光學(xué)合成石英已在多個(gè)國家重點(diǎn)項(xiàng)目中使用。
傳芯半導(dǎo)體——光罩方面
傳芯公司是一家致力于半導(dǎo)體級(jí)空白掩模版(即掩模基板)的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)的綜合型公司,通過引進(jìn)國內(nèi)外專業(yè)技術(shù)及高端人才,匯聚多方資源,組建專業(yè)團(tuán)隊(duì),實(shí)現(xiàn)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中關(guān)鍵原材料和零配件的國產(chǎn)化,填補(bǔ)國內(nèi)半導(dǎo)體級(jí)空白掩模版領(lǐng)域的空白。
根據(jù)國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)官網(wǎng)公布的信息顯示,傳芯半導(dǎo)體公開了一項(xiàng)專利,名為“曝光成像結(jié)構(gòu)、反射式光掩模版組及投影式光刻機(jī)”,該專利可用于EUV光刻,并且可以提高光刻機(jī)的分辨率和對(duì)比度,簡化光刻工藝。
寫在最后
中國多年來積極推動(dòng)芯片產(chǎn)業(yè)鏈的國產(chǎn)化,但受制于該技術(shù)的高壁壘,用于生產(chǎn)芯片的光刻機(jī)成為中國半導(dǎo)體設(shè)備制造的最大短板。
目前,中國光刻機(jī)相關(guān)的制造業(yè)尚不具備完全自主研發(fā)光刻技術(shù)的能力,美國通過長臂管轄限制中國光刻機(jī)領(lǐng)域的發(fā)展,倒逼中國未來需要繼續(xù)走自主的光刻機(jī)技術(shù)研發(fā)路線,中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)建立起一套完善的“去A化”的芯片產(chǎn)業(yè)鏈成為實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破的必然選擇。