主要SiC廠商前道工藝產線分布（附圖）

作為推動能源變革的關鍵技術，Infineon、ON Semi等功率半導體巨頭們已將SiC視為未來十年業(yè)務增長的強勁動能。然而，原材料與關鍵設備的緊缺持續(xù)干擾著全球SiC供應鏈的穩(wěn)定，“擴產”將成為未來幾年活躍于產業(yè)的關鍵詞。

過去幾年中，IDM廠商在12英寸晶圓廠上投資了數(shù)十億美元，用于制造IGBT等硅基功率元件，這使得完全折舊的6/8英寸晶圓廠現(xiàn)在可用于支持SiC大規(guī)模生產。當然，IDM廠商需要額外添置一些SiC專用生產設備，這包括超高溫CVD反應器、高溫高能離子注入機、高溫氧化爐、晶圓級測試設備等。

硅晶圓在90年代經(jīng)歷了從6英寸到8英寸的轉變，隨后在大約十年后轉向12英寸晶圓。SiC正在經(jīng)歷著同樣的事情，當前絕大多數(shù)SiC功率元件仍然依靠在6英寸晶圓上進行生產，而為了進一步降低成本并擴大SiC滲透率，Wolfspeed等一線廠商已目光投向8英寸。這十分困難，但不得不做，我們可以看到Wolfspeed Mohawk Valley Fab的實際量產時間已經(jīng)被一再推遲，這同樣關系到其近幾個季度糟糕的財務狀況。

另外，中國的SiC前道工藝產線數(shù)量正在迅速增長，TrendForce統(tǒng)計已量產和規(guī)劃產線約近20條，而須留意的關鍵產線約7條。其中，三安光電、泰科天潤已具備非常成熟的二極管制造能力，而在MOSFET制程開發(fā)過程中卻仍面臨著諸多阻礙，特別是汽車級產品。

TrendForce集邦咨詢將于近期推出SiC專題市場報告，剖析全產業(yè)鏈發(fā)展現(xiàn)狀、關鍵應用進展及廠商近況，敬請期待。