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一次性可編程存儲器。eFuse的誕生源于幾年前IBM工程師的一個(gè)發(fā)現(xiàn)：與更舊的激光熔斷技術(shù)相比，電子遷移(EM)特性可以用來生成小得多的熔絲結(jié)構(gòu)。EM熔絲可以在芯片上編程，不論是在晶圓探測階段還是在封裝中。采用I/O電路的片上電壓(通常為2.5V)，一個(gè)持續(xù)200微秒的10毫安直流脈沖就足以編程單根熔絲。

一次性可編程存儲器。eFuse的誕生源于幾年前IBM工程師的一個(gè)發(fā)現(xiàn)：與更舊的激光熔斷技術(shù)相比，電子遷移(EM)特性可以用來生成小得多的熔絲結(jié)構(gòu)。EM熔絲可以在芯片上編程，不論是在晶圓探測階段還是在封裝中。采用I/O電路的片上電壓(通常為2.5V)，一個(gè)持續(xù)200微秒的10毫安直流脈沖就足以編程單根熔絲。收起

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