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    作為第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎材料,碳化硅MOSFET具有更高的開關頻率和使用溫度,能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸,提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率,并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中,應用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件,可以實現(xiàn)更低的開關和導通損耗,同時具有更高的阻斷電壓和雪崩能力,顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度,從而降低系統(tǒng)綜合成本。 圖:SiC/Si器件效率對比
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    2017/11/12