RRAM

• 億鑄科技榮獲2023硬科技新銳之星
  2023年，新突破、新商業(yè)、新經(jīng)濟(jì)成為了科技發(fā)展的關(guān)鍵詞。這一年，科技領(lǐng)域充滿著活力和創(chuàng)新，存算一體等底層技術(shù)不斷突破，大模型和AI相關(guān)技術(shù)的突破更是引發(fā)了前所未有的廣泛關(guān)注，AIGC不斷開拓著新的邊界；投資機(jī)構(gòu)的活躍，資本的涌入，讓科技領(lǐng)域的探索更上一層樓。初創(chuàng)企業(yè)在這一年大放異彩，為全球經(jīng)濟(jì)注入著新的活力。

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  2652

  2023/12/25

  數(shù)字化技術(shù) RRAM
• 億鑄科技榮獲硬核中國芯2023年度卓越成長表現(xiàn)企業(yè)獎
  

  昨日，由國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體電子信息媒體芯師爺主辦的第五屆硬核芯生態(tài)大會圓滿落幕，會上揭曉了2023年度硬核中國芯評選大獎，億鑄科技榮獲2023年度卓越成長表現(xiàn)企業(yè)獎。

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  2007

  2023/10/31

  AI芯片 RRAM
• 新型存儲之我見(科普長文)
  也許2年內(nèi)，不知道什么時候新型存儲有可能成為下一個半導(dǎo)體板塊的炒作熱點(diǎn)題材，就像四年我預(yù)判碳化硅，氮化鎵那些化合物半導(dǎo)體一樣，我認(rèn)為一定會有這樣的機(jī)會存在，屬于提前2年預(yù)判市場的預(yù)判。

  啟哥有何妙計(jì)

  2028

  2023/04/15

  NAND 存儲技術(shù)
• 破解內(nèi)存墻，除了“存算一體”還需要什么？
  20世紀(jì)初的物理學(xué)家不會想到，懸浮在物理學(xué)大廈上的兩朵烏云會徹底顛覆整個物理學(xué)體系，馮·諾依曼在參與曼哈頓工程提出新架構(gòu)時，也不會想到未來阻止芯片算力進(jìn)步的竟然不是芯片本身。 ? 馮·諾依曼結(jié)構(gòu)的誕生與局限 1945年6月30日，美國正在秘密進(jìn)行曼哈頓計(jì)劃。馮·諾依曼作為該計(jì)劃的重要參與者與領(lǐng)導(dǎo)者，與另外兩位組內(nèi)科學(xué)家發(fā)表了一篇長達(dá)101頁的報(bào)告，這就是計(jì)算機(jī)史上著名的“101頁報(bào)告”，

  劉浩然

  2797

  2023/01/06

  與非觀察 存算一體
• 【未來可測】系列之二： 憶阻器單元基礎(chǔ)研究和性能研究測試方案
  憶阻器英文名為memristor, 用符號M表示，與電阻R，電容C，電感L構(gòu)成四種基本無源電路器件，它是連接磁通量與電荷之間關(guān)系的紐帶，其同時具備電阻和存儲的性能，是一種新一代高速存儲單元，通常稱為阻變存儲器（RRAM）。

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  1693

  2022/09/28

  泰克 PCM
• 看RRAM如何“智斗”NAND flash和DRAM
  你如果問當(dāng)前內(nèi)存市場是誰的天下？那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash，三者牢牢控制著內(nèi)存市場，當(dāng)前都處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。不過，在內(nèi)存天下三分的大背景下，新一代存儲技術(shù)3D X-point、MRAM、RRAM等開始發(fā)出聲音， RRAM非易失性閃存技術(shù)是其中進(jìn)展較快的一個。

  吳子鵬

  35

  2017/09/19

  dram NAND
• Crossbar：單芯片實(shí)現(xiàn)太字節(jié)存儲，我們能做到
  物聯(lián)網(wǎng)、云存儲推動了數(shù)據(jù)的急劇增長，預(yù)計(jì)數(shù)據(jù)量每兩年就會翻一番，到2020年會達(dá)到44TB。從超低功耗微控制器到大型數(shù)據(jù)中心的連接器件，存儲器無處不在，相對于老式的磁盤存儲器，閃存提供了更好的讀寫性能，采用閃存的固態(tài)硬盤發(fā)展勢頭加速，是由于它沒有機(jī)械運(yùn)動固件，尺寸更小且速度更快。為了滿足市場需求，閃存制造商不得不通過縮小存儲單元的尺寸，讓

  咖啡不解困

  4

  2016/03/23

  閃存 RRAM

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