未來電力電子系統(tǒng)的設(shè)計將持續(xù)推進,以實現(xiàn)最高水平的性能和功率密度。為順應(yīng)這一發(fā)展趨勢,英飛凌科技有限公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET,電壓范圍涵蓋25-150 V,并且有底部散熱(BSC)和雙面散熱(DSC)兩種不同的結(jié)構(gòu)。該新產(chǎn)品系列在半導(dǎo)體器件級層面做出了重要的性能改進,為DC-DC功率轉(zhuǎn)