加入星計(jì)劃，您可以享受以下權(quán)益：

  • 創(chuàng)作內(nèi)容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴(kuò)散
  • 作品版權(quán)保護(hù)
  • 300W+ 專業(yè)用戶
  • 1.5W+ 優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
  • 5000+ 長(zhǎng)期合作伙伴
立即加入

PCRAM

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

PCRAM 又稱 PCM、OUM（Ovonic UnifiedMemory）和 CRAM（Chalcogenide Random AccessMemory），是一種利用相變材料（一種或多種硫系化合物薄膜）作為存儲(chǔ)介質(zhì)，通過相變材料在電流的焦耳熱作用下，在結(jié)晶相態(tài)（crystalline）和非晶相態(tài)（amorphous）之間快速并可逆的轉(zhuǎn)換時(shí)，會(huì)呈現(xiàn)出的不同電阻率這一特性來實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的 NVM 技術(shù)。

PCRAM 又稱 PCM、OUM（Ovonic UnifiedMemory）和 CRAM（Chalcogenide Random AccessMemory），是一種利用相變材料（一種或多種硫系化合物薄膜）作為存儲(chǔ)介質(zhì)，通過相變材料在電流的焦耳熱作用下，在結(jié)晶相態(tài)（crystalline）和非晶相態(tài)（amorphous）之間快速并可逆的轉(zhuǎn)換時(shí)，會(huì)呈現(xiàn)出的不同電阻率這一特性來實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的 NVM 技術(shù)。收起

查看更多
暫無相關(guān)內(nèi)容，為您推薦以下內(nèi)容

正在努力加載...