當(dāng)前,隨著5G、WiFi等技術(shù)不斷演進(jìn)與應(yīng)用,射頻前端芯片正迎來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇。一方面,受益5G頻段增加,射頻前端芯片應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)一步拓展,市場(chǎng)呈現(xiàn)大幅增長(zhǎng)態(tài)勢(shì);另一方面射頻前端芯片技術(shù)高頻化和集成化,為工藝技術(shù)發(fā)展帶來(lái)新的變革。盡管以GaAs工藝為代表的III-V族PA仍然為射頻前端芯片主流技術(shù),但硅基CMOS PA憑借低成本、高集成度、漏電流低、導(dǎo)熱性好等優(yōu)勢(shì),正從非主流應(yīng)用地位轉(zhuǎn)變,將在WiFi、物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用領(lǐng)域大放異彩。