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HBM4

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  • SK海力士HBM4將導(dǎo)入3nm工藝，又甩三星
    SK海力士HBM4將導(dǎo)入3nm工藝，又甩三星
    SK海力士決定采用3納米代工工藝生產(chǎn)明年下半年量產(chǎn)的定制化HBM4，全力進(jìn)軍美國(guó)市場(chǎng)。這意味著該公司將集中精力開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)具有 NVIDIA 和 Google 等美國(guó)人工智能 (AI) 加速器公司所尋求的最佳規(guī)格的產(chǎn)品。換句話說(shuō)，這意味著他們將放棄低性能HBM市場(chǎng)。
  • 首款HBM4內(nèi)存控制器IP滿足AI 2.0時(shí)代內(nèi)存需求
    首款HBM4內(nèi)存控制器IP滿足AI 2.0時(shí)代內(nèi)存需求
    在AI訓(xùn)練階段，需要向AI‘投喂’海量的數(shù)據(jù)，隨后AI對(duì)這些數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，提取其中的規(guī)律，最終構(gòu)建出一個(gè)AI模型。例如，通過(guò)輸入貓、鳥(niǎo)、馬等動(dòng)物圖像數(shù)據(jù)，AI能夠培養(yǎng)出識(shí)別這些動(dòng)物形態(tài)的能力。
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  • SK海力士HBM4E將導(dǎo)入混合鍵合技術(shù)
    SK海力士HBM4E將導(dǎo)入混合鍵合技術(shù)
    SK 海力士從第七代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM4E）開(kāi)始應(yīng)用“混合鍵合”?；旌湘I合是一種直接用銅連接DRAM頂部和底部的技術(shù)。由于它不需要HBM目前使用的微凸塊（焊球）和鍵合材料，因此有望給半導(dǎo)體行業(yè)帶來(lái)重大變化。
  • 三星SK海力士明年下半年量產(chǎn)12層HBM4
    三星SK海力士明年下半年量產(chǎn)12層HBM4
    據(jù)相關(guān)行業(yè)人士11月9日透露，三星電子和SK海力士計(jì)劃從明年下半年開(kāi)始量產(chǎn)12層HBM4。半導(dǎo)體公司計(jì)劃從 HBM4 開(kāi)始認(rèn)真應(yīng)用新工藝“混合鍵合”。哪家公司首先穩(wěn)定應(yīng)用混合鍵合技術(shù)將決定HBM4市場(chǎng)的勝負(fù)。
  • HBM4將導(dǎo)入！三星第六代10nm DRAM首次量產(chǎn)
    三星電子最先進(jìn)的10 納米級(jí)第六代 (1c) DRAM首次實(shí)現(xiàn)產(chǎn)量。由于三星正準(zhǔn)備將這款DRAM安裝在明年發(fā)布的第6代HBM（高帶寬內(nèi)存）“HBM4”中，預(yù)計(jì)在確保第一批良率后，未來(lái)良率擴(kuò)張將加速。