HBM

三星電子通過(guò)年末人事調(diào)整和組織改編，對(duì)HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）制造核心工序封裝（Packaging）組織進(jìn)行了變化，從臺(tái)積電聘請(qǐng)的副社長(zhǎng)林俊成下臺(tái)，組織名稱也改為“系統(tǒng)封裝實(shí)驗(yàn)室”，繼續(xù)開(kāi)發(fā)新一代HBM——HBM4封裝技術(shù)。

三星電子正致力于下一代半導(dǎo)體市場(chǎng)，重點(diǎn)開(kāi)發(fā)被稱為DRAM市場(chǎng)新星的“LLW（Low Latency Wide IO）DRAM”。LLW具有數(shù)據(jù)處理速度快、功耗低的特點(diǎn)，是比現(xiàn)有低功耗DRAM性能更高的產(chǎn)品。它被認(rèn)為是針對(duì)設(shè)備上人工智能市場(chǎng)的未來(lái)技術(shù)，因此被稱為“移動(dòng)HBM（高帶寬內(nèi)存）”。

國(guó)內(nèi)市場(chǎng)DRAM現(xiàn)貨價(jià)格在整個(gè)11月份持續(xù)走低，尤其是DDR4受到的沖擊尤為嚴(yán)重。相比之下，NAND閃存價(jià)格顯示出穩(wěn)定跡象。業(yè)內(nèi)估計(jì)，雙十一期間 DRAM 模組整體銷量與 2023 年同期相比下降約 20%。單位銷量下降 16%，平均售價(jià)下降約 9%。在產(chǎn)品價(jià)格貢獻(xiàn)方面，2024年雙十一期間，SSD的銷售表現(xiàn)已超越DRAM模組。今年雙十一，長(zhǎng)江存儲(chǔ)旗下的致態(tài)品牌表現(xiàn)亮眼，在京東實(shí)現(xiàn)了SSD品類交易總額（GMV）和銷量的雙料第一，超過(guò)了三星。

美國(guó)政府計(jì)劃進(jìn)一步加強(qiáng)對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體制造設(shè)備出口的限制，該措施預(yù)計(jì)將包括高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）,引發(fā)人們對(duì)韓國(guó)半導(dǎo)體公司受到負(fù)面影響的擔(dān)憂。路透社12月2日(當(dāng)?shù)貢r(shí)間)報(bào)道稱，美國(guó)政府計(jì)劃于今日宣布對(duì)140家中國(guó)企業(yè)實(shí)施新的出口限制。據(jù)悉，來(lái)自日本和荷蘭公司的產(chǎn)品將獲得豁免。

事情大家都知道，老美BIS，再發(fā)新規(guī)則，對(duì)出口條例進(jìn)行大修改，涉及新名單企業(yè)，維護(hù)所謂的他們的“國(guó)家安全和外交利益”。生效日期為12月2日，許可的合規(guī)要求日為12月31日。目前又新添加了140個(gè)名單企業(yè)，包括130個(gè)中國(guó)企業(yè)，1個(gè)日本企業(yè)，1個(gè)新加坡企業(yè)，以及8個(gè)韓國(guó)企業(yè)。