GaN HEMT

• 意法半導(dǎo)體新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和價值
  

  意法半導(dǎo)體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)簡化電源設(shè)計，實現(xiàn)最新的生態(tài)設(shè)計目標(biāo)。 意法半導(dǎo)體的MasterGaN產(chǎn)品家族集成兩顆650V高電子遷移率GaN晶體管(HEMT)與優(yōu)化的柵極驅(qū)動器、系統(tǒng)保護功能，以及在啟動時為器件供電的集成式自舉二極管。集成這些功能省去了設(shè)計者處理GaN晶體管柵極驅(qū)動開發(fā)難題。

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  3214

  2023/12/15

  意法半導(dǎo)體 LLC
• CGD 將首次亮相中國 PCIM Asia推出易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列
  Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司，開發(fā)并大批量生產(chǎn)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 將首次參展 PCIM Asia，這是中國享譽行業(yè)的專業(yè)展會，專注于電力電子技術(shù)及其在智能移動、可再生能源和能源管理方面的應(yīng)用。

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  2023/08/04

  電力電子 PCIM Asia
• 替換Si MOSFET這個創(chuàng)新打破了GaN HEMT應(yīng)用的兩個難題
  

  當(dāng)前，以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體在功率器件中的滲透率正在逐年上升。根據(jù)Yole的預(yù)測，雖然Si仍是功率半導(dǎo)體材料主流，但今年SiC的滲透率將有望達到3.75%，GaN的滲透率達到1.0%。?

  響指

  1855

  2023/07/25

  第三代半導(dǎo)體 GaN HEMT
• 實測案例：1200V GaN HEMT功率器件動態(tài)特性測試
  

  氮化鎵器件是第三代半導(dǎo)體中的典型代表，具有極快的開關(guān)速度，能夠顯著提升功率變換器的性能，受到電源工程師的青睞。同時，極快的開關(guān)速度又對其動態(tài)特性的測試提出了更高的要求，稍有不慎就會得到錯誤結(jié)果。 傳統(tǒng)氮化鎵器件多用于消費類電子市場，研發(fā)高壓氮化鎵器件將有助于在電力電子、新能源和電動汽車行業(yè)開拓新的應(yīng)用市場。量芯微（GaNPower）是全球第一家推出1200V高壓硅基氮化鎵功率器件的廠家。這次測試的

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  2334

  2023/07/18

  示波器 功率器件
• AMEYA360:ROHM具有業(yè)界高性能的650V耐壓GaN HEMT
  全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。

  AMEYA360

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  2023/05/19

  GaN HEMT
• ROHM開始量產(chǎn)具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT！
  

  全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（以下簡稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。 據(jù)悉，電源和電機的用電量占全世界用電量的一大半，為實現(xiàn)無碳社會，如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率元器件是提高它們效率的關(guān)鍵，SiC （

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  2023/05/16

  ROHM GaN HEMT
• 借助高能效GaN轉(zhuǎn)換器，提高充電器和適配器設(shè)計的功率密度
  如今，充電器和適配器應(yīng)用最常用的功率轉(zhuǎn)換器拓撲是準(zhǔn)諧振（QR）反激式拓撲，因為它結(jié)構(gòu)簡單、控制簡便、物料（BOM）成本較低，并可通過波谷切換工作實現(xiàn)高能效。

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  353

  2022/03/29

  英飛凌 轉(zhuǎn)換器

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