加入星計(jì)劃,您可以享受以下權(quán)益:

  • 創(chuàng)作內(nèi)容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴(kuò)散
  • 作品版權(quán)保護(hù)
  • 300W+ 專業(yè)用戶
  • 1.5W+ 優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
  • 5000+ 長(zhǎng)期合作伙伴
立即加入

GaAs

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

砷化鎵(gallium arsenide)是一種無機(jī)化合物,化學(xué)式為GaAs,為黑灰色固體,熔點(diǎn)1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在,并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)5.65×10-10m,禁帶寬度1.4電子伏。2017年10月27日,世界衛(wèi)生組織國(guó)際癌癥研究機(jī)構(gòu)公布的致癌物清單初步整理參考,砷和無機(jī)砷化合物在1類致癌物清單中。

砷化鎵(gallium arsenide)是一種無機(jī)化合物,化學(xué)式為GaAs,為黑灰色固體,熔點(diǎn)1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在,并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)5.65×10-10m,禁帶寬度1.4電子伏。2017年10月27日,世界衛(wèi)生組織國(guó)際癌癥研究機(jī)構(gòu)公布的致癌物清單初步整理參考,砷和無機(jī)砷化合物在1類致癌物清單中。收起

查看更多
  • GaAs晶圓的清洗和表面處理工藝
    GaAs晶圓的清洗和表面處理工藝
    GaAs晶圓作為常用的一類晶圓,在半導(dǎo)體功率芯片和光電子芯片都有廣泛應(yīng)用。而如何處理好該類晶圓的清洗和進(jìn)一步的鈍化工作是生產(chǎn)工藝過程中需要關(guān)注的點(diǎn)。
  • CHA5659-98F高功率放大器UMS
    UMS的CHA5659-98F是款四級(jí)單片GaAs高功率放大器,輸出功率為1.3瓦。CHA5659-98F是極度線性的,具備可能出現(xiàn)的增益控制并集成化功率檢測(cè)器。包含ESD保護(hù)。
  • 地芯科技推出線性CMOS PA,突破30-33dBm區(qū)間GaAs壟斷
    地芯科技推出線性CMOS PA,突破30-33dBm區(qū)間GaAs壟斷
    近幾年,受到市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)以及地緣政治等因素的影響,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)自主研發(fā)熱潮,與此同時(shí),同質(zhì)化競(jìng)爭(zhēng)問題不斷涌現(xiàn),尤其在射頻前端領(lǐng)域怎一個(gè)“卷”字了得。當(dāng)然“卷”也有兩面性,好的一面是充分競(jìng)爭(zhēng)下的行業(yè)創(chuàng)新動(dòng)力會(huì)更強(qiáng),而不好的一面是大多數(shù)企業(yè)沒辦法做到技術(shù)迭代和資金流的正向循環(huán)。 圖 | 地芯科技副總裁張頂平 地芯科技副總裁張頂平就此表示:“射頻前端行業(yè)的卷有目共睹,做同樣PA產(chǎn)品的企業(yè)可能就有十幾到二十
    2562
    2023/05/19
  • 誰將成為化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)贏家?
    與非導(dǎo)語 你中有我,我中有你,卷在一起。 隨著世界對(duì)通信、傳感和功率效率的要求越來越高,到2027年,CS(化合物半導(dǎo)體)襯底材料市場(chǎng)將翻一番以上,與硅相比,預(yù)計(jì)用于功率應(yīng)用的SiC的市場(chǎng)份額將大幅增加。這是Yole Group旗下Yole Intelligence《2022年化合物半導(dǎo)體現(xiàn)狀》的觀點(diǎn)。所有的大趨勢(shì)都在其路線圖中增加了化合物半導(dǎo)體器件的使用。 用于RF(射頻)GaN的襯底包括硅和S
    2722
    2023/04/20
  • GaAlAs/GaAs半導(dǎo)體激光器
    可見光激光器的應(yīng)用是十分廣泛的,甚至有人說可見激光是比LED更棒的光源。但是其發(fā)展的主要困難是如何選擇合適的有源層、限制層材料以及對(duì)應(yīng)的生長(zhǎng)工藝。