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CMOS電路

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基本單元電路反相器由N溝道和P溝道 MOS場效應(yīng)晶體管對管（見P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體集成電路和N溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體集成電路）構(gòu)成，以推挽形式工作,能實(shí)現(xiàn)一定邏輯功能的集成電路,簡稱CMOS。單元電路如圖1。CMOS電路的特點(diǎn)是：①靜態(tài)功耗低,每門功耗為納瓦級；②邏輯擺幅大,近似等于電源電壓;③抗干擾能力強(qiáng),直流噪聲容限達(dá)邏輯擺幅的35%左右;④可在較廣泛的電源電壓范圍內(nèi)工作,便于與其他電路接口；⑤速度快，門延遲時間達(dá)納秒級；⑥在模擬電路中應(yīng)用，其性能比NMOS電路好；⑦與NMOS電路相比，集成度稍低；⑧有“自鎖效應(yīng)”，影響電路正常工作。

基本單元電路反相器由N溝道和P溝道 MOS場效應(yīng)晶體管對管（見P溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體集成電路和N溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體集成電路）構(gòu)成，以推挽形式工作,能實(shí)現(xiàn)一定邏輯功能的集成電路,簡稱CMOS。單元電路如圖1。CMOS電路的特點(diǎn)是：①靜態(tài)功耗低,每門功耗為納瓦級；②邏輯擺幅大,近似等于電源電壓;③抗干擾能力強(qiáng),直流噪聲容限達(dá)邏輯擺幅的35%左右;④可在較廣泛的電源電壓范圍內(nèi)工作,便于與其他電路接口；⑤速度快，門延遲時間達(dá)納秒級；⑥在模擬電路中應(yīng)用，其性能比NMOS電路好；⑦與NMOS電路相比，集成度稍低；⑧有“自鎖效應(yīng)”，影響電路正常工作。收起

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  • CMOS電路
    CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）電路是一種集成電路技術(shù)，也是數(shù)字電子電路中最常用的一種邏輯家族。CMOS電路由n型MOS場效應(yīng)晶體管和p型MOS場效應(yīng)晶體管組成，具有低功耗、高速度、可靠性高等特點(diǎn)。CMOS電路廣泛應(yīng)用于微處理器、存儲器、芯片組、FPGA等各類數(shù)字電路領(lǐng)域。
  • cmos電路的原理 ttl電路和cmos電路的區(qū)別
    在現(xiàn)代電子設(shè)備和集成電路中，CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）和TTL（Transistor-Transistor Logic）電路是兩種常見的邏輯家族。本文將深入探討CMOS電路的原理，并對比TTL電路和CMOS電路的區(qū)別，以幫助讀者更好地理解它們之間的差異。
  • TTL、CMOS電路以及OC門電路分別是什么意思
    門電路（Logic Gate）是一種用于實(shí)現(xiàn)邏輯運(yùn)算的基本電子電路。它根據(jù)輸入信號的邏輯狀態(tài)產(chǎn)生輸出信號，并按照特定的真值表定義不同的邏輯功能。門電路是數(shù)字電路中最基本和常見的組件，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、通信、控制系統(tǒng)等領(lǐng)域。
  • ttl電路和cmos電路的區(qū)別 ttl電路和cmos電路的優(yōu)缺點(diǎn)
    TTL是小規(guī)模數(shù)字集成電路家族，CMOS是大規(guī)模數(shù)字集成電路家族。兩者的最大區(qū)別在于它們的工作原理。TTL電路使用晶體管作為開關(guān)，其優(yōu)點(diǎn)是適合高速操作; 缺點(diǎn)是功耗較大且易受溫度波動影響。 CMOS電路使用場效應(yīng)晶體管作為開關(guān)，具有低功耗性和阻止靜態(tài)漏電流的能力，但其工作速度稍慢。
  • ttl電路和cmos電路的區(qū)別
    TTL（Transistor-Transistor Logic，可譯為晶體管—晶體管邏輯）是一種數(shù)字電路技術(shù)，常用于單片機(jī)、微處理器等。CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）是另一種數(shù)字電路技術(shù)，也常用于同樣的電子設(shè)備。