作為當下熱門的第三代半導體技術(shù),GaN在數(shù)據(jù)中心、光伏、儲能、電動汽車等市場都有著廣闊的應(yīng)用場景。和傳統(tǒng)的Si器件相比,GaN具有更高的開關(guān)頻率與更小的開關(guān)損耗,但對驅(qū)動IC與驅(qū)動電路設(shè)計也提出了更高的要求。按照柵極特性差異,GaN分為常開的耗盡型(D-mode)和常關(guān)的增強型(E-mode)兩種類型;按照應(yīng)用場景差異,GaN需要隔離或非隔離、低邊或自舉、零伏或負壓關(guān)斷等多種驅(qū)動方式。針對不同類型的GaN和各種應(yīng)用場景,納芯微推出了一系列驅(qū)動IC解決方案,助力于充分發(fā)揮GaN器件的性能優(yōu)勢。