高邊開關(guān)使用P-MOSFET的優(yōu)點(diǎn)是,驅(qū)動電路簡單,不需要自舉電路,所以成本更低(可以節(jié)省自舉電路成本)。但缺點(diǎn)是,在相同的其他電路參數(shù)下,P-MOSFET的導(dǎo)通電阻RDS(ON)比N-MOSFET的大,導(dǎo)致的導(dǎo)通損耗大,轉(zhuǎn)換效率稍低。TPS64203DBVR非同步降壓控制器需要外置高邊開關(guān)管P-MOSFET和續(xù)流二極管,而且該器件僅能驅(qū)動P-MOSFET。