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負(fù)載電容

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負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。

負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。收起

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  • 理解晶體負(fù)載電容（CL）與PCBA負(fù)載電容的關(guān)系
    晶發(fā)電子專(zhuān)注17年晶振生產(chǎn),晶振產(chǎn)品包括石英晶體諧振器、振蕩器、貼片晶振、32.768Khz時(shí)鐘晶振、有源晶振、無(wú)源晶振等，產(chǎn)品性能穩(wěn)定,品質(zhì)過(guò)硬,價(jià)格好,交期快.國(guó)產(chǎn)晶振品牌您值得信賴的晶振供應(yīng)商。 在振蕩器電路的設(shè)計(jì)中，晶體負(fù)載電容（CL）與印刷電路板（PCBA）負(fù)載電容的關(guān)系是確保振蕩器輸出頻率無(wú)偏差的關(guān)鍵因素。以下是關(guān)于這兩種負(fù)載電容關(guān)系的詳細(xì)解釋。 晶體負(fù)載電容（CL）的作用 晶體負(fù)載電
  • 如何正確計(jì)算并使用晶振的外接負(fù)載電容
    晶發(fā)電子專(zhuān)注17年晶振生產(chǎn),晶振產(chǎn)品包括石英晶體諧振器、振蕩器、貼片晶振、32.768Khz時(shí)鐘晶振、有源晶振、無(wú)源晶振等，產(chǎn)品性能穩(wěn)定,品質(zhì)過(guò)硬,價(jià)格好,交期快.國(guó)產(chǎn)晶振品牌您值得信賴的晶振供應(yīng)商。 晶體振蕩器(晶振)是電子設(shè)備中常用的頻率源，其性能的穩(wěn)定性很大程度上取決于外接負(fù)載電容的選擇。然而，直接使用晶振規(guī)格書(shū)上的負(fù)載電容CL值并不是一個(gè)準(zhǔn)確的做法。以下是如何正確計(jì)算并使用晶振外接負(fù)載電容
  • 外接電容越大晶振起振越慢?
    首先說(shuō)明的是:但凡需要外接電容的晶振均為無(wú)源晶振。另外，注意區(qū)分外接電容C1和C2（接地電容，對(duì)地電容）并不等同于晶振負(fù)載電容（CL）。C1和C2是電路板和包括IC和晶振在內(nèi)的組件的總電容值。
  • 負(fù)載電容對(duì)晶振頻率穩(wěn)定性的影響
    在電子系統(tǒng)中，晶振是產(chǎn)生精確頻率的關(guān)鍵元件，而負(fù)載電容是影響晶振頻率穩(wěn)定性的重要因素之一。本文將深入探討負(fù)載電容對(duì)晶振頻率穩(wěn)定性的影響，并分析如何通過(guò)合理的選擇和設(shè)計(jì)來(lái)減小這種影響。
  • 晶振參數(shù)中的負(fù)載電容CL是什么？
    在晶振的振蕩電路中，負(fù)載電容CL是指連接到無(wú)源晶振頻率引腳終端上的電容總數(shù)。CL值取決于外部電容器CL1、CL2和雜散電容Cs。對(duì)于晶振單體而言，負(fù)載電容CL則屬于它本身重要電氣參數(shù)之一，由晶振制造商給出，可在晶振數(shù)據(jù)手冊(cè)中找到。