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肖特基二極管

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肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。

肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。收起

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  • 不同二極管的壓降是多少？
    不同類型的二極管具有不同的壓降特性，以下是一些常見二極管類型的壓降范圍： 硅二極管：硅二極管是最常見的二極管類型，其正向壓降一般在0.6V到0.7V之間。這一范圍是由于硅的帶隙約為1.1eV，電子和空穴的重組需要一定的能量。 鍺二極管：鍺二極管的正向壓降相對較低，通常在0.2V到0.3V之間。鍺的帶隙約為0.66eV，使得載流子在P-N結中更容易復合，從而降低了正向壓降。然而，由于鍺的熱穩(wěn)定性較差
  • 采用自主設計封裝，絕緣電阻顯著提高！
    采用自主設計封裝，絕緣電阻顯著提高！
    與普通產(chǎn)品相比，可確保約1.3倍的爬電距離。即使是表貼型也無需進行樹脂灌封絕緣處理~ 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出引腳間爬電距離*1更長、絕緣電阻更高的表面貼裝型SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）。目前產(chǎn)品陣容中已經(jīng)擁有適用于車載充電器（OBC）等車載設備應用的“SCS2xxxNHR”8款機型。計劃2024年12月再發(fā)售8款適用于FA設備和光伏逆變器等工業(yè)設備
  • 英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V
    英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V
    如今，許多工業(yè)應用可以通過提高直流母線電壓，在力求功率損耗最低的同時，向更高的功率水平過渡。為滿足這一需求，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V G5，這是市面上首款擊穿電壓達到2000 V的分立碳化硅二極管。該產(chǎn)品系列適用于直流鏈路電壓高達1500 VDC的應用，額定電流為10
  • ??Nexperia擴展功率器件產(chǎn)品組合，新增標準和車規(guī)級理想二極管?
    ??Nexperia擴展功率器件產(chǎn)品組合，新增標準和車規(guī)級理想二極管?
    ??Nexperia宣布為其持續(xù)擴展的功率器件產(chǎn)品組合新增兩款理想二極管IC。其中，NID5100適用于標準工業(yè)和消費應用，而NID5100-Q100已獲得認證，可用于汽車應用。這兩款理想二極管均以MOSFET為基礎，擁有比傳統(tǒng)二極管更低的正向壓降，非常適合用來替換系統(tǒng)中的標準二極管，進而滿足相關的超高能效要求。 ? ??NID5100和NID5100-Q100理想二極管采用小型TSSP6/SOT
  • 大聯(lián)大世平集團推出基于onsemi、Vishay和Toshiba產(chǎn)品的30W反激式輔助電源方案
    大聯(lián)大世平集團推出基于onsemi、Vishay和Toshiba產(chǎn)品的30W反激式輔助電源方案
    致力于亞太地區(qū)市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NCP1239BD65R2G PWM控制器的30W反激式輔助電源方案。 圖示1-大聯(lián)大世平基于onsemi、Vishay和Toshiba產(chǎn)品的30W反激式輔助電源方案的展示板圖 在信息技術時代，人們對于高效、穩(wěn)定且具備出色節(jié)能特性的輔助電源需求日益增加。特別是在服務器、PC、新能源轉換系統(tǒng)以