加入星計(jì)劃,您可以享受以下權(quán)益:
第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。
第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。收起
查看更多? 2010 - 2024 蘇州靈動(dòng)幀格網(wǎng)絡(luò)科技有限公司 版權(quán)所有
ICP經(jīng)營許可證 蘇B2-20140176 | 蘇ICP備14012660號-6 | 蘇公網(wǎng)安備 32059002001874號