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第三代半導體

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第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。

第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。收起

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    近日，國內(nèi)3個第三代半導體相關項目宣布簽約、開工、封頂：據(jù)“桐鄉(xiāng)國投”官微消息，11月19日，“AI改變能源”咖薈在烏村舉行，會上進行了多個項目簽約。
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    10月16日，為期三天的首屆SEMiBAY灣芯展——灣區(qū)半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)博覽會在深圳會展中心（福田）盛大開幕。首屆SEMiBAY灣芯展打造了晶圓制造、封裝測試、化合物半導體、汽車半導體、EDA/IP與設計服務、零部件等6大主題展區(qū)，覆蓋半導體全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)以及市場熱點領域，全方位展示行業(yè)前沿技術、創(chuàng)新成果、最新產(chǎn)品與解決方案以及市場應用。
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    2024年的碳化硅市場猶如一條洶涌的大河，全球各大廠家傾瀉而下、奔涌向前。我們可以看到全球各大廠在過去幾年中投資布局的8英寸碳化硅生產(chǎn)線已逐步進入落地階段，包括英飛凌在馬來西亞建設的居林新廠，安森美在韓國富川規(guī)劃的生產(chǎn)設施，三安在重慶投資的碳化硅項目等等。聚焦我國，則以碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的8英寸襯底材料發(fā)展為甚，近兩年許多企業(yè)8英寸襯底技術陸續(xù)突破。
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    近日，國內(nèi)又新增了多個SiC項目：●?北一半導體：第三代半導體功率模塊生產(chǎn)線正式投產(chǎn)，總投資10億?！?思銳智能：半導體先進裝備研發(fā)制造中心項目封頂，項目投資超12億?！?連城凱克斯、海浥半導體：SiC相關項目簽約落戶江蘇無錫。