電遷移

• 淺談power signoff之power EM
  電遷移是一個(gè)重要問(wèn)題，尤其是在金屬互連的橫截面積非常小的低工藝節(jié)點(diǎn)中。

  志芯

  3.9萬(wàn)

  09/23 11:40

  電遷移
• 模擬版圖中常見(jiàn)的“效應(yīng)問(wèn)題”及解決辦法
  

  天線效應(yīng)是指在芯片生產(chǎn)過(guò)程中，暴露的金屬線或者多晶硅等導(dǎo)體，像天線一樣收集電荷（如等離子刻蝕產(chǎn)生的帶電粒子），導(dǎo)致電位升高。當(dāng)這些導(dǎo)體連接到MOS管的柵極時(shí)，高電壓可能擊穿柵氧化層，使電路失效。這種現(xiàn)象主要發(fā)生在深亞微米集成電路加工工藝中，特別是使用等離子刻蝕技術(shù)時(shí)。

  芯火平臺(tái)

  5162

  07/24 11:40

  電遷移
• Siemens EDA推mPower，為2D和3D IC提供電源完整性驗(yàn)證方案
  mPower能夠?yàn)槟MIC設(shè)計(jì)人員提供一種創(chuàng)新的動(dòng)態(tài)解決方案，可在大型模塊和芯片上進(jìn)行高度精確的、基于模擬的EM/IR分析，從而取代對(duì)選定網(wǎng)絡(luò)粗略的靜態(tài)分析和SPICE模擬。

  夏珍

  468

  2021/10/25

  與非觀察 eda
• 芯片毀于噪聲（二）FinFET使噪聲效應(yīng)疊加
  FinFET技術(shù)已經(jīng)成為工藝尺寸繼續(xù)減小的主要?jiǎng)恿??！霸诳深A(yù)見(jiàn)的未來(lái)，極低的工作電壓與漏電流使得FinFET工藝成為CMOS工藝的標(biāo)準(zhǔn)架構(gòu)，” ANSYS應(yīng)用工程高級(jí)總監(jiān)Arvind Shanmugavel說(shuō)道，“但上述優(yōu)點(diǎn)是有代價(jià)的—電源噪聲問(wèn)題變得突出。一方面，10納米或7納米的FinF

  與非網(wǎng)記者

  5

  2016/09/23

  FinFET 電遷移

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