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氮化鎵

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氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。2014年，日本名古屋大學(xué)和名城大學(xué)教授赤崎勇、名古屋大學(xué)教授天野浩和美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校教授中村修二因發(fā)明藍(lán)光LED而獲得當(dāng)年的諾貝爾物理獎(jiǎng)。

氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。2014年，日本名古屋大學(xué)和名城大學(xué)教授赤崎勇、名古屋大學(xué)教授天野浩和美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校教授中村修二因發(fā)明藍(lán)光LED而獲得當(dāng)年的諾貝爾物理獎(jiǎng)。收起

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    意法半導(dǎo)體推出的250W MasterGaN參考設(shè)計(jì)可加速實(shí)現(xiàn)緊湊、高效的工業(yè)電源
    為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵(GaN)電源(PSU)的設(shè)計(jì)，意法半導(dǎo)體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。 意法半導(dǎo)體的MasterGaN-SiP在一個(gè)封裝內(nèi)整合了GaN功率晶體管與開關(guān)速度和控制準(zhǔn)確度優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器。使用高集成度的系統(tǒng)級(jí)封裝SiP代替采用多個(gè)分立元件的等效解決方案，有助于最大限度地提高電源的性能和可靠性，同時(shí)
  • 引領(lǐng)功率半導(dǎo)體市場變革 氮化鎵龍頭英諾賽科港股招股中
    近年來，隨著新能源產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，以及智能制造、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的興起，功率半導(dǎo)體器件市場需求增長迅猛。其中，以氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料，憑借優(yōu)秀的物理性能和廣泛的下游應(yīng)用場景，已成為推動(dòng)功率半導(dǎo)體行業(yè)變革的核心驅(qū)動(dòng)力。 在這一領(lǐng)域，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（「英諾賽科」或「公司」，2577.HK）是公認(rèn)的頭部企業(yè)，憑借強(qiáng)大的技術(shù)專長和前瞻布局，穩(wěn)居行業(yè)領(lǐng)先地位。12月18日至1
  • 英諾賽科今日在港招股 氮化鎵功率半導(dǎo)體新星升起
    中央政治局會(huì)議指，要以科技創(chuàng)新引領(lǐng)新質(zhì)生產(chǎn)力發(fā)展，建設(shè)現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)體系。以半導(dǎo)體為代表的硬科技兼具「經(jīng)濟(jì)順周期」與「新質(zhì)生產(chǎn)力」的雙重特征，在國家政策大力扶持下，復(fù)蘇趨勢(shì)逐漸明朗，各細(xì)分板塊投資機(jī)遇顯現(xiàn)。 作為最新一代半導(dǎo)體材料，氮化鎵近年來已廣泛應(yīng)用于各行各業(yè)，不僅將在功率半導(dǎo)體行業(yè)的持續(xù)變革中發(fā)揮關(guān)鍵作用，也有望誕生第一家港股上市公司。12月18日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（下稱「英諾賽
  • 羅姆與臺(tái)積公司在車載氮化鎵功率器件領(lǐng)域建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
    羅姆與臺(tái)積公司在車載氮化鎵功率器件領(lǐng)域建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
    全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）宣布與Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited（以下簡稱“臺(tái)積公司”）就車載氮化鎵功率器件的開發(fā)和量產(chǎn)事宜建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。 通過該合作關(guān)系，雙方將致力于將羅姆的氮化鎵器件開發(fā)技術(shù)與臺(tái)積公司業(yè)界先進(jìn)的GaN-on-Silicon工藝技術(shù)優(yōu)勢(shì)結(jié)合起來，滿足市場對(duì)高耐壓和
  • 隱藏在納微半導(dǎo)體、珠海鎵未來背后的小米
    隱藏在納微半導(dǎo)體、珠海鎵未來背后的小米
    氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅基技術(shù)相比，具有更高的擊穿電場、更低的導(dǎo)通電阻和更高的能量轉(zhuǎn)換效率。它能夠在高頻高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作，尤其適合功率器件、射頻器件和快充設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用。 根據(jù)行業(yè)預(yù)測(cè)，全球氮化鎵市場將在未來幾年迎來高速增長，預(yù)計(jì)到2027年市場規(guī)模將突破10億美元，年復(fù)合增長率保持在30%以上。其廣泛的應(yīng)用場景包括消費(fèi)電子、5G通信、新能源汽車和數(shù)據(jù)中心等，這使得氮化鎵成為未來
  • 氮化鎵的未來：IDM還是Fabless
    氮化鎵的未來：IDM還是Fabless
    今年十月份，日本功率器件大廠羅姆半導(dǎo)體（ROHM）公開表示，將在氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域加強(qiáng)與臺(tái)積電合作，公司旗下的氮化鎵（GaN）產(chǎn)品將全面委托臺(tái)積電代工生產(chǎn)。
  • 新型IsoVu? 隔離電流探頭：為電流測(cè)量帶來全新維度
    新型IsoVu? 隔離電流探頭：為電流測(cè)量帶來全新維度
    作者：泰克科技，Yogesh Pai 示波器測(cè)量電流的常見方法包括使用電流互感器、羅氏線圈和霍爾效應(yīng)鉗式探頭。按規(guī)格要求使用時(shí)，優(yōu)質(zhì)磁探頭的測(cè)量結(jié)果非常準(zhǔn)確。因?yàn)椴恍枰獢嚅_電路，因此用于測(cè)量在電線或測(cè)試回路中流動(dòng)的電流也很方便。然而，磁探頭存在一些固有的局限性。在本文中，作者將介紹針對(duì)基于分流器進(jìn)行電流測(cè)量而優(yōu)化的探頭屬性，并探討 IsoVuTM電流分流探頭特別適用的兩種應(yīng)用。 如上所述，使用磁探
  • 揭秘全球首款1700V GaN開關(guān)IC InnoMux?-2，PI如何賦能高壓應(yīng)用場景？
    揭秘全球首款1700V GaN開關(guān)IC InnoMux?-2，PI如何賦能高壓應(yīng)用場景？
    氮化鎵作為顛覆傳統(tǒng)功率器件的革命性創(chuàng)新，正逐漸擴(kuò)展其應(yīng)用邊界。作為全球高壓功率轉(zhuǎn)換技術(shù)的領(lǐng)軍企業(yè)，Power Integrations（簡稱PI）長期致力于通過創(chuàng)新推動(dòng)行業(yè)變革，尤其是在氮化鎵（GaN）技術(shù)領(lǐng)域不斷實(shí)現(xiàn)突破。 2024年11月4日，PI發(fā)布了業(yè)界首款1700V氮化鎵開關(guān)IC——InnoMux?-2，這一產(chǎn)品標(biāo)志著氮化鎵技術(shù)發(fā)展的重要里程碑。InnoMux?-2采用PI獨(dú)有的Powi
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  • 寬禁帶半導(dǎo)體“漸入佳境”
    寬禁帶半導(dǎo)體“漸入佳境”
    隨著微波射頻、高效功率電子和光電子等新需求的快速發(fā)展，寬禁帶半導(dǎo)體材料對(duì)推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要性日益凸顯。尤其是伴隨人工智能、新能源汽車、物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的進(jìn)一步發(fā)展，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體需求逐漸攀升，寬禁帶半導(dǎo)體在技術(shù)推進(jìn)、產(chǎn)品創(chuàng)新、行業(yè)布局上都迎來了新的變化。
  • 業(yè)界首款1700V氮化鎵開關(guān)IC面世，碳化硅面臨被替代？
    業(yè)界首款1700V氮化鎵開關(guān)IC面世，碳化硅面臨被替代？
    而氮化鎵雖然擁有與碳化硅相似的優(yōu)點(diǎn)，但相較于碳化硅，近幾年的發(fā)展似乎有些不溫不火。在高壓領(lǐng)域，有碳化硅器件，在低壓領(lǐng)域，又有硅器件。近期Power Integration（PI）推出的首款1700V氮化鎵開關(guān)IC打破了這一局面，讓氮化鎵器件開始與碳化硅器件進(jìn)行正面較量。
  • 超2億！新增2起氮化鎵收購案
    超2億！新增2起氮化鎵收購案
    近期，“行家說三代半”又發(fā)現(xiàn)行業(yè)內(nèi)又新增2起氮化鎵收購案：11月6日，據(jù)MACOM官網(wǎng)透露，MACOM已經(jīng)完成對(duì)氮化鎵企業(yè)ENGIN-IC的收購，此次交易以現(xiàn)金支付，預(yù)計(jì)對(duì) MACOM 的近期財(cái)務(wù)業(yè)績影響不大。
  • Power Integrations推出1700V氮化鎵開關(guān)IC 為氮化鎵技術(shù)樹立新標(biāo)桿
    Power Integrations推出1700V氮化鎵開關(guān)IC 為氮化鎵技術(shù)樹立新標(biāo)桿
    1700V額定耐壓的氮化鎵InnoMux-2 IC可在1000VDC母線電壓下實(shí)現(xiàn)高于90%的效率，并通過三路精確調(diào)整的輸出提供高達(dá)70W的功率 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日推出InnoMux?-2系列單級(jí)、獨(dú)立調(diào)整多路輸出離線式電源IC的新成員。新器件采用公司專有的PowiGaN?技術(shù)制造而成，是業(yè)界首款17
  • 英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術(shù)極限并提高能效
    英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術(shù)極限并提高能效
    繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓和在馬來西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體晶圓廠之后，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）再次在半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域取得新的里程碑。英飛凌在處理和加工史上最薄的硅功率晶圓方面取得了突破性進(jìn)展，這種晶圓直徑為300㎜，厚度為20μm。厚度僅有頭發(fā)絲的四分之一，是目前最先進(jìn)的40-60μ
  • 氮化鎵也要代工了？
    氮化鎵也要代工了？
    近日，日本功率器件大廠羅姆半導(dǎo)體（ROHM）公開表示，將在氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域加強(qiáng)與臺(tái)積電合作，公司旗下的氮化鎵產(chǎn)品將全面委托臺(tái)積電代工生產(chǎn)。
  • 超3.3億！新增4個(gè)氮化鎵項(xiàng)目
    超3.3億！新增4個(gè)氮化鎵項(xiàng)目
    近日，山東、浙江及中國臺(tái)灣地區(qū)共新增了4個(gè)GaN相關(guān)項(xiàng)目，10月18日，據(jù)“投資濟(jì)南”官微消息，濟(jì)南市半導(dǎo)體、空天信息產(chǎn)業(yè)高價(jià)值技術(shù)成果本市轉(zhuǎn)化對(duì)接會(huì)于17日在歷城區(qū)國家超級(jí)計(jì)算濟(jì)南中心舉辦，會(huì)上簽約了一個(gè)GaN單晶項(xiàng)目。
  • 這家GaN突破3300V！投資15億建3條芯片線
    這家GaN突破3300V！投資15億建3條芯片線
    近日，一家GaN企業(yè)宣布了其在高壓氮化鎵功率器件領(lǐng)域的突破，電壓等級(jí)達(dá)3300V——10月18日，據(jù)“泰克科技”官微消息，近日，遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布了新一代高壓氮化鎵功率器件，并送往泰克科技進(jìn)行了測(cè)試。
  • 碳化硅/氮化鎵：排隊(duì)“上車”
    碳化硅/氮化鎵：排隊(duì)“上車”
    碳化硅和氮化鎵在汽車產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用，似乎正在“漸入佳境”。其中，碳化硅功率器件加速“上車”趨勢(shì)已十分明朗，近年來，越來越多的新能源新車型導(dǎo)入了碳化硅技術(shù)，而在近期，星途品牌全新純電SUV星紀(jì)元STERRAES、第二代AION V埃安霸王龍、鴻蒙智行首款豪華旗艦轎車享界S9、2025款海豹、2025款極氪007、嵐圖汽車旗下嵐圖知音SUV等搭載碳化硅的新車型密集發(fā)布，碳化硅和新能源汽車組“CP”已蔚然成風(fēng)。
  • 【泰克先進(jìn)半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室】遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件
    【泰克先進(jìn)半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室】遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件
    氮化鎵功率器件因其高速開關(guān)能力、高功率密度和成本效益而成為市場的熱門選擇。然而，由于工作電壓和長期可靠性的制約，這些器件的潛力并未得到充分發(fā)揮，主要在消費(fèi)電子領(lǐng)域內(nèi)競爭價(jià)格。近期，隨著高壓氮化鎵器件的陸續(xù)推出，我們看到了它們?cè)诟鼜V泛市場應(yīng)用中的潛力。 遠(yuǎn)山半導(dǎo)體最近發(fā)布了新一代高壓氮化鎵功率器件，并在泰克先進(jìn)半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行了詳盡的測(cè)試，這些測(cè)試結(jié)果為我們提供了對(duì)遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化鎵功率器件性能的全面
  • “鑫威源”實(shí)現(xiàn)高性能氮化鎵激光芯片研制及產(chǎn)線通線試產(chǎn)
    據(jù)了解，2024年9月，武漢鑫威源電子科技有限公司內(nèi)部傳來喜訊，該企業(yè)在高性能氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片方面取得重大技術(shù)突破，同時(shí)氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片產(chǎn)線順利完成通線試產(chǎn)。 武漢鑫威源是一家專注于氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片的設(shè)計(jì)、開發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)，致力于推動(dòng)國產(chǎn)氮化鎵半導(dǎo)體激光器的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。在江夏區(qū)政府及相關(guān)部門的大力支持下，鑫威源公司完成了廠房建設(shè)。廠房位于江夏經(jīng)開區(qū)大橋智能制造產(chǎn)業(yè)園，于2
  • 總投資超36億，新增6個(gè)GaN項(xiàng)目
    總投資超36億，新增6個(gè)GaN項(xiàng)目
    氮化鎵行業(yè)最近很是熱鬧，英飛凌宣布實(shí)現(xiàn)了12吋晶圓突破；近日，國內(nèi)外多家GaN也傳來了項(xiàng)目、研發(fā)等新動(dòng)態(tài)：●?冠鼎半導(dǎo)體：投資1.055億人民幣，推進(jìn)第三代氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)新建項(xiàng)目。●?華通芯電：旗下封裝產(chǎn)線正式通線，專注于氮化鎵射頻功率器件模組的封裝與測(cè)試。●?新鎵能半導(dǎo)體：氮化鎵功率芯片項(xiàng)目簽約落戶無錫惠山。

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