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掃碼加入法國和瑞士科學(xué)家首次使用氮化鎵在(100)-硅(晶體取向?yàn)?00)基座上，成功制造出了性能優(yōu)異的高電子遷徙率晶體管(HEMTs)。
法國和瑞士科學(xué)家首次使用氮化鎵在(100)-硅(晶體取向?yàn)?00)基座上，成功制造出了性能優(yōu)異的高電子遷徙率晶體管(HEMTs)。收起
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